一种调控式金属离子原位掺杂TiO<sub>2</sub>纳米管阵列的制备方法

文档序号:10716689阅读:543来源:国知局
一种调控式金属离子原位掺杂TiO<sub>2</sub>纳米管阵列的制备方法
【专利摘要】本发明涉及调控式金属离子原位掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法,包括以下步骤:1)以钛合金片或钛合金棒为阳极,Pt片或Pt棒为阴极,在含氟溶液中阳极氧化制备金属离子原位掺杂TiO2纳米管阵列,清洗样品;2)通过选取恰当的酸或碱溶液,采用超声辅助选择性酸或碱溶解法浸出部分金属离子,实现纳米管阵列中金属离子含量的定量调控;3)调控完成后清洗,干燥即得到调控式金属离子原位掺杂量TiO2纳米管阵列。本发明的优点和有益效果在于:以钛合金为基材,不但简化金属离子掺杂TiO2纳米管阵列的制备工艺,还使掺杂离子分散更均匀;采用超声辅助选择性溶解法能便捷可控地调节金属离子掺杂量,为制备性能优良的催化剂提供可靠方法。
【专利说明】
一种调控式金属离子原位掺杂T i O2纳米管阵列的制备方法
技术领域
[0001]本发明属于纳米材料制备领域,涉及一种调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法。
【背景技术】
[0002]T12纳米管阵列具有优异的光(电)催化活性和化学稳定性,广泛应用于光(电)催化产氢、光(电)催化治理环境污染物和太阳能电池等领域。金属离子掺杂后形成能量较低的掺杂能级以吸收可见光,拓宽光谱响应范围,同时还可以在T12表面形成氧空位,促使Ti3+氧化中心的形成,有利于电荷俘获并抑制电子-空穴复合,提升光量子效率。目前,金属离子掺杂T12纳米管阵列主要采用常规的后期引入方式,即先制备T12纳米管阵列,再通过化学或电化学等方法将金属离子引入至T12纳米管阵列表面。但该方式存在以下两方面难题:
[0003]1.T12纳米管阵列管底为封闭结构,金属离子从管口进入,依靠扩散作用向管内输入,因管内溶液缺乏流动性,金属离子扩散至管底的过程中易形成浓度差,使管口区域的金属离子溶度较高,沉积也较多,而接近管底区域的金属离子溶度较低,沉积也较少,金属离子浓度差造成了掺杂不均匀的现象;
[0004]2.T12纳米管阵列结构致密,管与管之间空隙非常小,管外壁难以有效附着金属氧化物。
[0005]这两方面难题导致大部分金属氧化物集中在管开口处,分散程度较差,管开口处掺杂效果较好,但随着管长的延伸管内掺杂效果逐渐下降,并且管外壁难以掺杂。近年来,研究者们采用提前引入法对T12纳米管阵列进行金属离子掺杂,取得了良好的效果。该方法以钛合金代替纯钛作电解阳极,提前引入掺杂金属,制备了金属离子原位掺杂的T12纳米管阵列。但提前引入的金属掺杂量主要由钛合金成分决定,因此该方法存在金属离子掺杂比例难以调控的问题。众多研究表明掺杂比例是金属离子改性T12光催化性能的决定性因素之一。如Choi等系统研究了不同掺杂比例(0.l-3at%)的21种金属离子对T12光催化活性的影响,发现除无改性效果的金属离子外,纳米T12的光催化性能随金属离子掺杂比例的增加,表现出先上升后下降的抛物线型变化规律,研究认为掺杂量需要控制在适宜的比例(约0.5at%),比例过少不能充分发挥掺杂的作用,过多则会引起大量的结构缺陷,形成电子-空穴的复合中心。L0pez等详细探索了不同比例(0.l_5wt% )Cu掺杂纳米T12的性能,发现0.5wt%的掺杂比例具有最佳的光催化性能,Iwt %和0.1wt %的掺杂比例效果相当,更过量的掺杂会引起性能的退化。钛合金中合金成分含量普遍较高,由其制备的纳米管阵列可能也存在金属离子掺杂过量的问题。因此,对金属离子原位掺杂T12纳米管阵列进行再处理,以优化金属离子的掺杂比例,可实现光催化性能的最优化。

【发明内容】

[0006]本发明所要解决的技术问题是提供一种成本低、工艺简单的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法。
[0007]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,包括以下步骤:
[0008]I)以钛合金片或钛合金棒为阳极,Pt片或Pt棒为阴极,在含氟溶液中阳极氧化制备金属离子原位掺杂T12纳米管阵列,清洗样品;
[0009]2)利用掺杂金属和Ti的化学性质差异,通过选取恰当的酸或碱溶液,并精确控制浸出条件,采用超声辅助选择性酸或碱溶解法浸出部分金属离子,实现纳米管阵列中金属离子含量的定量调控;
[0010]3)调控完成后清洗,干燥即得到调控式金属离子原位掺杂量T12纳米管阵列。
[0011]按上述方案,步骤I)所述的阳极氧化的电压为5-50V,温度为20-50°C,时间为30min-4ho
[0012]按上述方案,步骤2)所述的超声辅助采用的超声波频率为30-60KHZ。
[0013]按上述方案,步骤2)所述的溶解温度为20-60°C,溶解时间为20min-4h。
[0014]按上述方案,所述的钛合金为了厶5、了厶6、了厶7、了厶10、了厶11、了厶12、了厶13、了厶14、了厶15、TA16、TA17、TA18、TA19、TA20、TA21、TA22、TA23、TA24、TA25、TA26、TA28、TB2、TB3、TB4、TB5、TB6、TB7、TB8、TB9、TB10、TB11、TC1、TC2、TC3、TC4、TC6、TC8、TC9、TC10、TC11、TC15、TC16、TCl 7、TCl 8、TCl 9、TC20、TC21、TC22、TC23、TC24、TC25 或 TC26。
[0015]按上述方案,所述的含氟溶液为含氟化铵的有机溶液或含氢氟酸的无机溶液。
[0016]按上述方案,所述的含氟溶液为含氟化铵的乙二醇、丙三醇溶液或含氢氟酸的水溶液。
[0017]按上述方案,所述的金属离子原位掺杂为Al、Cu、Fe、Sn、V、Cr、Mo、Nb、Mn、N1、Zr、Ta、W、Nd、Ru和Pd离子中的单一离子掺杂或多种离子共掺杂。
[0018]按上述方案,所述的酸溶液为HC1、H2S04、HN03或H3PO4溶液,所述的碱溶液为NaOH、K0H、Ca(0H)2 或 Mg(OH)2 溶液。
[0019]按上述方案,所加入的酸溶液pH为1-4,所加入的碱溶液控制pH为10-13。
[0020]本发明采用钛合金为基材壳实现更优良的金属离子掺杂效果,为实现金属离子的调控,同时保持纳米管阵列的结构不被破坏,首次开发了温和的超声辅助选择性溶解法调控金属离子含量,在较低频率的超声波辅助下,适宜的酸或碱溶液可以深入纳米管内部,可控的溶出金属离子,实现调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备。
[0021]本发明的优点和有益效果在于:
[0022]1.以钛合金为基材,不但简化金属离子掺杂T12纳米管阵列的制备工艺,还使掺杂离子分散更均匀;
[0023]2.采用超声辅助选择性溶解法能便捷可控地调节金属离子掺杂量,为制备性能优良的催化剂提供可靠方法。
【具体实施方式】
[0024]下面结合实施例对本发明做进一步详细的说明,此说明不会构成对于本发明的限制。
[0025]实施例1
[0026]将厚度为2mm的TA5合金片裁剪为2X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含2wt%水、0.3wt%氟化铵的乙二醇溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为50V,温度为20°C,时间为30min。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温20°C的pH为I的HCl溶液中,30KHz频率下超声2h后取出并用去离子水冲洗干净,得到1.5wt%Al离子掺杂的T12纳米管阵列。将该纳米管阵列与常规T12纳米管阵列应用于紫外光降解初始溶度为10mg/L甲基蓝溶液,由于
1.5^%的六1离子掺杂,对比发现该纳米管阵列的光催化降解甲基蓝效率优于常规的T12纳米管阵列,2h降解后甲基蓝溶液的剩余溶度分别为1.0mg/L和1.3mg/L。
[0027]实施例2
[0028]将直径为2cm的TA6合金棒裁剪长8cm的短棒状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以2 X Scm2的Pt片为阴极并配制含2wt%水、0.3wt%氟化铵的丙三醇溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为40V,温度为30 °C,时间为Ih。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温30°C的pH为3的H3PO4溶液中,30ΚΗζ频率下超声4h后取出并用去离子水冲洗干净,得到2wt%Al离子和lwt%Sn离子共掺杂T12纳米管阵列。将该纳米管阵列与常规T12纳米管阵列应用于紫外光降解初始溶度为10mg/L甲基蓝溶液,由于2wt^^^Al离子和1的%的311离子共掺杂,对比发现该纳米管阵列的光催化降解甲基蓝效率优于常规的T12纳米管阵列,2h降解后甲基蓝溶液的剩余溶度分别为0.9mg/L和 1.3mg/L0
[0029]实施例3
[0030]将厚度为2mm的TAlO合金片裁剪为2X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含2wt%水、0.3wt%氟化铵的乙二醇溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为30V,温度为40 °C,时间为2h。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温40°C的pH为4的秘04溶液中,40KHz频率下超声20min后取出并用去离子水冲洗干净,得到0.2wt %Mo离子和0.5wt %Ni离子共掺杂T12纳米管阵列。将该纳米管阵列与常规T12纳米管阵列应用于紫外光降解初始溶度为I Omg/L甲基蓝溶液,由于0.2wt%的此离子和0.5wt%的附离子共掺杂,对比发现该纳米管阵列的光催化降解甲基蓝效率优于常规的T12纳米管阵列,2h降解后甲基蓝溶液的剩余溶度分别为0.5mg/L和1.3mg/L。
[0031 ] 实施例4
[0032]将厚度为2mm的TAlI合金片裁剪为2 X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含2wt%水、0.3wt%氟化铵的乙二醇溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为20V,温度为50 °C,时间为3h。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温50 0C的pH为12的NaOH溶液中,50KHz频率下超声2h后取出并用去离子水冲洗干净,得到1.5wt%Al离子、0.4wt%Mo和0.3wt%V离子共掺杂T12纳米管阵列。
[0033]实施例5
[0034]将厚度为2mm的TA13合金片裁剪为2X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含0.3wt%氟化铵的水溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为1V,温度为30 °C,时间为Ih。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温60 0C的pH为4的HCl溶液中,60KHz频率下超声3h后取出并用去离子水冲洗干净,得到0.5wt Cu离子掺杂的T12纳米管阵列。
[0035]实施例6
[0036]将厚度为2mm的TA23合金片裁剪为2X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含0.3wt%氟化铵的水溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为5V,温度为30°C,时间为Ih。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温30 0C的pH为13的的KOH溶液中,50KHz频率下超声40min后取出并用去离子水冲洗干净,得到0.8wt%Al、1.1wt%Zr和0.3wt%Fe离子共掺杂T12纳米管阵列。
[0037]实施例7
[0038]将厚度为2mm的TC2合金片裁剪为2X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含2wt%水、0.3wt%氟化铵的乙二醇溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为50V,温度为30°C,时间为4h。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温30 0C的pH为1的Mg (OH) 2溶液中,50KHz频率下超声4h后取出并用去离子水冲洗干净,得到2.1wt%Al和0.5wt%Mn离子共掺杂T12纳米管阵列。
[0039]实施例8
[0040]将厚度为2mm的TB7合金片裁剪为2X 8cm2长条状,通过砂纸打磨并超声清洗后作待用阳极,以相同尺寸Pt片为阴极并配制含2wt%水、0.3wt%氟化铵的乙二醇溶液作电解质。电解过程采用两电极直流电解系统,电压为50V,温度为30°C,时间为4h。电解完成后用去离子水冲洗阳极表面的残留液体,再浸渍于恒温30 0C的pH为11的Ca (OH) 2溶液中,50KHz频率下超声4h后取出并用去离子水冲洗干净,得到4.8wt%Mo离子掺杂的T12纳米管阵列。
【主权项】
1.一种调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,包括以下步骤: 1)以钛合金片或钛合金棒为阳极,Pt片或Pt棒为阴极,在含氟溶液中阳极氧化制备金属离子原位掺杂T12纳米管阵列,清洗样品; 2)利用掺杂金属和Ti的化学性质差异,通过选取恰当的酸或碱溶液,并精确控制浸出条件,采用超声辅助选择性酸或碱溶解法浸出部分金属离子,实现纳米管阵列中金属离子含量的定量调控; 3)调控完成后清洗,干燥即得到调控式金属离子原位掺杂量T12纳米管阵列。2.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:步骤I)所述的阳极氧化的电压为5-50V,温度为20-50°C,时间为30min-4h。3.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的超声辅助采用的超声波频率为30-60KHZ。4.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的溶解温度为20-60 0C,溶解时间为20min-4h。5.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述的钛合金为了厶5、了厶6、了厶7、了厶10、了厶11、了厶12、了厶13、了厶14、了厶15、了厶16、了厶17、了八18、TA19、TA20、TA21、TA22、TA23、TA24、TA25、TA26、TA28、TB2、TB3、TB4、TB5、TB6、TB7、TB8、TB9、TB10、TB11、TC1、TC2、TC3、TC4、TC6、TC8、TC9、TC10、TC11、TC15、TC16、TC17、TC18、TC19、TC20、TC21、TC22、TC23、TC24、TC25 或 TC26。6.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述的含氟溶液为含氟化铵的有机溶液或含氢氟酸的无机溶液。7.按权利要求6所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述的含氟溶液为含氟化铵的乙二醇、丙三醇溶液或含氢氟酸的水溶液。8.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述的金属离子原位掺杂为41、(^11、?6、311、¥、0、]\10、他、]\111、祖、21'、13、¥、则、1?11和?(1离子中的单一离子掺杂或多种离子共掺杂。9.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述的酸溶液为HC1、H2S04、HN03或H3PO4溶液,所述的碱溶液为Na0H、K0H、Ca(0H)2或Mg(OH)2溶液。10.按权利要求1所述的调控式金属离子原位掺杂T12纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所加入的酸溶液pH为1-4,所加入的碱溶液控制pH为10-13。
【文档编号】C25D11/26GK106086991SQ201610693640
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月19日 公开号201610693640.4, CN 106086991 A, CN 106086991A, CN 201610693640, CN-A-106086991, CN106086991 A, CN106086991A, CN201610693640, CN201610693640.4
【发明人】汤丁丁, 史德亮, 李亚龙, 刘凤丽
【申请人】长江水利委员会长江科学院
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