压裂酸化暂堵剂性能评价方法与流程

文档序号:12351225阅读:1114来源:国知局

本发明涉及一种压裂酸化暂堵剂,特别涉及一种压裂酸化暂堵剂性能评价方法。



背景技术:

页岩是一种渗透率极低的沉积岩,通常被认为是油气运移的天然遮挡层,在含气页岩中,天然气产自其本身,页岩即是气源岩,又是储层。页岩气主要是以吸附、游离或溶解状态赋存于暗色泥页岩、粉砂质泥岩地层及其夹层中的天然气。

油田在开采后期,为了提高石油产量,对油层要采取一些技术处理,例如对油水层压裂等,在选择性压裂的工艺技术中,对高渗透性地层需要事先采用封堵剂封堵,以便对低渗透性地层进行压裂,而多裂缝压裂过程中要对已加砂完的压裂缝进行暂堵,以便再压开裂缝。其主要是依据分层压裂原理解决层间矛盾,即利用各层间破裂压力不同,首先压开破裂压力较低的层段进行加砂,然后再注顶替液后投入暂堵剂将其射孔孔眼暂时堵塞,再提高压力压开破裂压力较高的层段,依据选择性压裂原理解决决层内矛盾,即利用层内渗透性的差异,在泵注的适当时机泵入暂堵剂,改变液体进入产层的分配状况,在渗透性较差的层段或部位建立起压力,直至地层破裂。暂堵剂造新缝原理是对于最大、最小主应力差值较小,可应用高强度暂堵剂封堵原已形成的裂缝,促使张开的新裂缝偏离原裂缝方位,增加油层渗流面积。

页岩中存在大量天然裂缝,研究表明,天然裂缝等非连续体对水力裂缝的扩展和裂缝形态有很大影响,在构造应力场影响下,水力裂缝与天然裂缝干扰后变得更扭曲,天然裂缝会造成大量流体滤失及多裂缝分支,甚至会导致主裂缝沿着天然裂缝带的方向扩展。

到目前为止,页岩气储层水力压裂缝网形成与扩展机理等基础理论还不完善,因此研究水力裂缝在页岩气储层中的扩展规律具有重要意义。人工水力裂缝与天然裂缝之间的干扰对页岩气的压裂设计及施工带来了困扰。



技术实现要素:

针对上述问题,本发明的目的是提供一种压裂酸化暂堵剂性能评价方法。能实现对暂堵剂的性能评价。

本发明的目的,提供一种压裂酸化暂堵剂性能评价方法,

包括如下步骤:

a.采样步骤,取方岩心作为样件;

b.钻井眼步骤,在样件中央钻出一井眼;

c.井筒介入步骤,沿井眼介入井筒并固定,井筒与井眼间留有裸眼段;

d.评测参数设定步骤,评测参数包括暂堵剂种类、三轴压力、排量;

e.试验设定步骤,每种暂堵剂分别设定至少三组三轴压力、排量;

f.压裂试验步骤,针对每种暂堵剂分别进行压裂试验;

优选的,所述步骤a中,采用300cm*300cm*300cm的方岩心。

优选的,所述步骤a中还包括密封步骤,采用胶带或树脂将方岩心进行密封。

优选的,所述步骤b中,所述井眼直径2~8cm,长15~20cm。

优选的,所述步骤c中,井筒采用锚固胶固定于井眼内,所述裸眼段长度为5~10cm。

优选的,所述步骤b中,井眼方向为平行于沉积层理方向,所述步骤d中,三轴压力的方向分别为垂直方向、垂直层理面的水平方向和平行层理面的水平方向。

优选的,所述步骤e中,每种暂堵剂分别设定十组三轴压力、排量。

本发明的有益效果:提出了一种对压裂酸化暂堵剂的性能评价方法,能测评暂堵剂,通过评价参数了解暂堵剂的性能,指导页岩压裂的施工设计,选择适用的暂堵剂能对页岩压裂缝网形态加以控制,从而提高页岩气单井产能。

具体实施方式:

下面对本发明作具体说明,本发明内容不局限于下述实施例的范围。

一种压裂酸化暂堵剂性能评价方法,

包括如下步骤:

a.采样步骤,取复数300cm*300cm*300cm的方岩心作为样件,方岩心采用胶带或树脂将方岩心进行密封,密封便于保护方岩心,防 止方岩心长时间暴露在空气中造成大量层理缝开裂。

b.钻井眼步骤,在样件中央钻出一井眼,井眼直径2~8cm,长15~20cm;根据样件的物理性质,选用适合的直径及长度。

c.井筒介入步骤,沿井眼介入井筒并固定,井筒采用锚固胶固定于井眼内,井筒与井眼间留有裸眼段,裸眼段长度为5~10cm;裸眼段便于水力裂缝起裂。

d.评测参数设定步骤,评测参数包括暂堵剂种类、三轴压力、排量;具体的,暂堵剂性能、三轴压力及排量是页岩层进行水力压裂施工的必要施工参考依据。

e.试验设定步骤,每种暂堵剂分别设定至少三组三轴压力、排量;多组测试能提高评价的准确性。

f.压裂试验步骤,针对每种暂堵剂分别进行压裂试验;作为暂堵剂的选择依据。

其中,步骤b中,井眼方向为平行于沉积层理方向,步骤d中,三轴压力的方向分别为垂直方向、垂直层理面的水平方向和平行层理面的水平方向。垂直方向为最小应力,平行层理面的水平方向为最大应力,首先垂直层里面的水平方向施加上覆岩层压力,然后再施加最大和最小应力,这样可以减小沉积层理缝对试验的干扰。

优选实施例中,每种暂堵剂分别设定十组三轴压力、排量。通过十组测试,提高评价的准确性。

上述仅为本发明的具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本 发明保护范围的行为。

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