专利名称：半桥补偿驱动装置和电子产品的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子领域，特别涉及一种半桥补偿驱动装置和电子产品。
背景技术：
现有技术中的半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，不能作为全桥驱动，具有发热量大、功耗高的问题。
实用新型内容本实用新型提供了一种可将半桥驱动芯片作为本桥驱动芯片使用，发热量小、功耗低的半桥补偿驱动装置和电子产品。为解决上述问题，作为本实用新型的第一个方面，提供了一种半桥补偿驱动装置，包括:第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管和第二三极管；第一外接芯片半桥信号输入端分别与第一三极管的集电极、第二三极管的集电极及第二外接芯片半桥信号输入连接；第一三极管的基极与第二三极管的集电极连接；第一三极管的集电极接地；第一三极管的发射极与电源输入端连接；第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接；第二三极管的发射极与电源输入端连接；第一三极管的集电极与第一线圈连接端连接，第二三极管的集电极与第二线圈连接端连接。进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第一电阻，第二三极管的基极通过第一电阻与第一三极管的集电极连接。进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第二电阻，第一三极管的基极通过第二电阻与第二三极管的集电极连接。进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第一二极管和第二二极管，第一三极管的发射集通过第一二极管与第一三极管的集电极连接；第二三极管的发射集通过第二二极管与第二三极管的集电极连接。进一步地，半桥补偿驱动装置还包括稳压管，第一外接芯片半桥信号输入端通过稳压管接地。进一步地，半桥补偿驱动装置还包括第三电阻和电容，第一外接芯片半桥信号输入端依次通过第三电阻和电容接地。作为本实用新型的第二个方面，提供了一种电子产品，包括半桥驱动芯片和半桥补偿驱动装置，该半桥补偿驱动装置是上述的半桥补偿驱动装置，半桥驱动芯片的一个半桥信号输出端与半桥补偿驱动装置的第一外接芯片半桥信号输入端连接，半桥驱动芯片的另一个半桥信号输出端与半桥补偿驱动装置的第二外接芯片半桥信号输入连接。进一步地，电子产品是风扇。本实用新型具有外围元件较小，电路导通压降很低的特点，解决了半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，不能作为全桥驱动，具有发热量大、功耗高的问题。
图1示意性地示出了本实用新型的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。作为本实用新型的第一方面，提供了一种半桥补偿驱动装置。如图1所示，该半桥补偿驱动装置包括:第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端VCC、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管Tl和第二三极管T2 ;第一外接芯片半桥信号输入端分别与第一三极管Tl的集电极、第二三极管T2的集电极及第二外接芯片半桥信号输入连接；第一三极管Tl的基极与第二三极管T2的集电极连接；第一三极管Tl的集电极接地；第一 三极管Tl的发射极与电源输入端连接；第二三极管T2的基极与第一三极管Tl的集电极连接；第二三极管T2的发射极与电源输入端连接；第一三极管Tl的集电极与第一线圈连接端连接，第二三极管T2的集电极与第二线圈连接端连接，以驱动与第一线圈连接端、第二线圈连接端连接的马达的线圈COIL。本实用新型利用半桥驱动芯片Ul本身高低的时序，当半桥驱动芯片Ul内第一开关单元ITl (例如为N-MOSFET或者NPN三极管等)导通工作时，第一开关单元ITl的集电极为低电平，将用于偏置的第二电阻R2接到第一三极管Tl的基极，使第一三极管Tl的EC极导通，经过线圈绕组到第一开关单元ITl变成全桥驱动。此时第一三极管Tl的Vec ^ 0.2V，第一三极管Tl与第二三极管T2的发射极接同一电位，这时第二三极管T2的EC极不能导通，因第一开关单元ITl工作而第二开关单元IT2此时不工作，(根据半桥驱动芯片Ul本身的时序)。当第二开关单元IT2工作时，第一开关单元ITl截止，此时第二三极管T2经过线圈绕组到第二开关单元IT2。本实用新型具有外围元件较小，电路导通压降很低的特点，解决了半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，不能作为全桥驱动，具有发热量大、功耗高的问题。优选地，半桥补偿驱动装置还包括第一电阻Rl，第二三极管T2的基极通过第一电阻Rl与第一三极管Tl的集电极连接。优选地，半桥补偿驱动装置还包括第二电阻R2，第一三极管Tl的基极通过第二电阻R2与第二三极管T2的集电极连接。优选地，半桥补偿驱动装置还包括第一二极管Dl和第二二极管D2，第一三极管Tl的发射集通过第一二极管Dl与第一三极管Tl的集电极连接；第二三极管T2的发射集通过第二二极管D2与第二三极管T2的集电极连接。优选地，半桥补偿驱动装置还包括稳压管ZD，第一外接芯片半桥信号输入端通过稳压管ZD接地。当半桥驱动芯片Ul的第一开关单元和第二开关单元为MOSFET的时候，可选择稳压管ZD，使MOSFET的Vds峰值电压降低，使Vds峰值电压不超过第一开关单元和第二开关单兀的最闻承受:电压。优选地，半桥补偿驱动装置还包括第三电阻R3和电容Cl，第一外接芯片半桥信号输入端依次通过第三电阻R3和电容Cl接地。第三电阻R3和电容Cl构成保护电路，当半桥驱动芯片Ul的第一开关单元和第二开关单元为三极管时，可选择第三电阻R3和电容Cl来降低第一开关单元和第二开关单元的Vce的峰值电压，使峰值电压不超过第一开关单元和第二开关单元的Vce最大承受电压。半桥驱动芯片Ul可以为多种型号,其内部的结构会不一样,但工作原理是一样的。作为本实用新型的第二方面，提供了一种电子产品，包括半桥驱动芯片Ul和半桥补偿驱动装置，该半桥补偿驱动装置是上述的半桥补偿驱动装置，半桥驱动芯片Ul的一个半桥信号输出端与半桥补偿驱动装置的第一外接芯片半桥信号输入端连接，半桥驱动芯片Ul的另一个半桥信号输出端与半桥补偿驱动装置的第二外接芯片半桥信号输入连接。优选地，电子产品是风扇。以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种半桥补偿驱动装置，其特征在于，包括:第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端(VCC)、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管(Tl)和第二三极管(T2)； 所述第一外接芯片半桥信号输入端分别与所述第一三极管(Tl)的集电极、所述第二三极管(T2)的集电极及所述第二外接芯片半桥信号输入连接； 所述第一三极管(Tl)的基极与所述第二三极管(T2)的集电极连接；所述第一三极管(Tl)的集电极接地；所述第一三极管(Tl)的发射极与所述电源输入端连接； 所述第二三极管(T2)的基极与所述第一三极管(Tl)的集电极连接；所述第二三极管(T2)的发射极与所述电源输入端连接； 所述第一三极管(Tl)的集电极与所述第一线圈连接端连接，所述第二三极管(T2)的集电极与所述第二线圈连接端连接。
2.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置，其特征在于，所述半桥补偿驱动装置还包括第一电阻(Rl)，所述第二三极管(T2)的基极通过所述第一电阻(Rl)与所述第一三极管(Tl)的集电极连接。
3.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置，其特征在于，所述半桥补偿驱动装置还包括第二电阻(R2)，所述第一三极管(Tl)的基极通过所述第二电阻(R2)与所述第二三极管(T2)的集电极连接。
4.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置，其特征在于，所述半桥补偿驱动装置还包括第一二极管(Dl)和第二二极管(D2)，所述第一三极管(Tl)的发射集通过所述第一二极管(Dl)与所述第一三极管(Tl)的集电极连接；所述第二三极管(T2)的发射集通过所述第二二极管(D2)与所述第二三极管(T2)的集电极连接。
5.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置，其特征在于，所述半桥补偿驱动装置还包括稳压管(ZD)，所述第一外接芯片半桥信号输入端通过所述稳压管(ZD)接地。
6.根据权利要求1所述的半桥补偿驱动装置，其特征在于，所述半桥补偿驱动装置还包括第三电阻(R3)和电容(Cl)，所述第一外接芯片半桥信号输入端依次通过所述第三电阻(R3)和电容(Cl)接地。
7.一种电子产品，包括半桥驱动芯片(Ul)和半桥补偿驱动装置，其特征在于，所述半桥补偿驱动装置是权利要求1至6中任一项所述的半桥补偿驱动装置，所述半桥驱动芯片(Ul)的一个半桥信号输出端与所述半桥补偿驱动装置的所述第一外接芯片半桥信号输入端连接，所述半桥驱动芯片(Ul)的另一个半桥信号输出端与所述半桥补偿驱动装置的所述第二外接芯片半桥信号输入连接。
8.根据权利要求7所述的电子产品，其特征在于，所述电子产品是风扇。
专利摘要本实用新型提供了一种半桥补偿驱动装置和电子产品。半桥补偿驱动装置包括第一线圈连接端、第二线圈连接端、电源输入端、第一外接芯片半桥信号输入端、第二外接芯片半桥信号输入、第一三极管和第二三极管；第一外接芯片半桥信号输入端分别与第一三极管的集电极、第二三极管的集电极及第二外接芯片半桥信号输入连接；第一三极管的基极与第二三极管的集电极连接；第一三极管的集电极接地；第一三极管的发射极与电源输入端连接；第二三极管的基极与第一三极管的集电极连接；第二三极管的发射极与电源输入端连接。本实用新型具有外围元件较小，电路导通压降很低的特点，解决了半桥驱动芯片只可作为半桥驱动，发热量大、功耗高的问题。
文档编号F04D27/00GK203057098SQ20132004079
公开日2013年7月10日 申请日期2013年1月23日 优先权日2013年1月23日
发明者陈小阳 申请人:何立立