本发明涉及在半导体领域所应用的管路保护措施，具体是一种抽气管路内壁保护层及其制备方法。
背景技术：
在半导体薄膜沉积设备中，抽气管路部分会有不同气体在此处相遇发生化学反应，长此以往，一些副产物会附着在内壁上，并且会越沉积越多，最终导致管路堵塞，影响工艺的进行，如果每次都进行抽气管路的拆卸清洗，会浪费很多时间，也面临工艺生产的停滞，如果腐蚀严重就需要进行抽气管路的更换，这样也会造成成本的增加；现在的保护层也会受形状尺寸的限制，需要单独定制，成本较高。因此，面对这种情况，需要在抽气管路的内壁制备一层保护膜，既能保护管路内壁还能易于安装拆卸。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提供了一种抽气管路内壁保护层及其制备方法，所述保护层不受管路形状的限制，形成的过渡层可以缓冲受力，延长保护层的寿命，并且方便清洗，对反映环境要求不高，反应源成本较低，易于在半导体行业推广。
本发明是这样实现的，根据本发明的一个方面，提供了一种抽气管路内壁保护层，其形成是通过在抽气管路内壁上先涂覆基础层再涂覆催化层，再用离子束辐照表面使基础层和催化层发生反应，形成过渡层和保护层而成；
基础层为正硅酸乙酯、甲基三甲氧基硅烷、无水乙醇和盐酸的混合物，催化层为氨水、无水乙醇和蒸馏水的混合物。
进一步地，基础层正硅酸乙酯、甲基三甲氧基硅烷、无水乙醇的质量比为1.6:1:1.4，用盐酸将基础层溶液的pH调节为4；催化层无水乙醇和蒸馏水的质量比例为3.5:1，将催化层涂覆到基础层之后，催化层中的氨水将两种溶液混合后的pH调节为8。
进一步地，过渡层为基础层和催化层形成的凝胶，保护层为形成的二氧化硅层经高温裂解的光滑保护层。
根据本发明另外一个方面，提供了一种制备所述抽气管路内壁保护层的方法，包括如下步骤：
1)在抽气管路内壁上喷涂一层基础层混合物，基础层混合物中正硅酸乙酯、甲基三甲氧基硅烷、无水乙醇的质量比为1.6:1:1.4，盐酸将基础层溶液的pH调节为4，使基础层混合物均匀的铺满整个管路内侧；
2)在基础层上涂一层催化层混合物，催化层混合物中无水乙醇和蒸馏水的质量比例为3.5:1，将催化层涂覆到基础层之后，催化层中的氨水将两种溶液混合后的pH调节为8；
3)用离子束辐射抽气管内壁，离子束的能量使基础层与催化层发生反应，生成一层过渡层溶胶，同时生成二氧化硅层经高温裂解的光滑保护层，管路保护层即可生成。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1)所述抽气管路内壁保护层不受管路形状的限制，可以形成任意形状的紧贴内壁的保护层；
2)避免了传统的保护层管路内壁有空隙的缺点；
3)基础层与催化层发生发应，形成过渡层，可以缓冲受力，还可以延长保护层的寿命；
4)氧化物发生高温裂解，形成陶瓷状的光滑表面，减小了副产物的附着效应。
5)保护层方便清洗，对反映环境要求不高，反应源成本较低，易于在半导体行业推广。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明主要是根据化学气相沉积的方法在管路的内壁生成一层保护层，将反应源分成两部分，通过离子束的高能量辐照，使反应源发生发应，最后形成保护层，此保护层一方面可以保护管路内壁，另一方面方便清洗。
实施例
按照本发明提供的方法制备所述抽气管路内壁保护层
1)在抽气管路内壁上喷涂一层基础层混合物，基础层混合物中正硅酸乙酯、甲基三甲氧基硅烷、无水乙醇的质量比为1.6:1:1.4，盐酸将基础层溶液的pH调节为4，使基础层混合物均匀的铺满整个管路内侧；
2)在基础层上涂一层催化层混合物，催化层混合物中无水乙醇和蒸馏水的质量比例为3.5:1，将催化层涂覆到基础层之后，催化层中的氨水将两种溶液混合后的pH调节为8；
3)用离子束辐射抽气管内壁，离子束的能量使基础层与催化层发生反应，生成一层过渡层溶胶，同时生成二氧化硅层经高温裂解的光滑保护层，管路保护层即可生成。
制备的保护层发生老化后，用无水乙醇溶解即可清除，然后再经过上述制 备过程生成新的保护层。