一种高真空的铝合金活塞的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种活塞，尤其涉及一种高真空的铝合金活塞。
【背景技术】
[0002]现有技术中的活塞，焊接时，两边热容量相差较大，造成焊接熔池散热不均易产生焊接气孔；同时活塞座与活塞筒配合过紧，活塞内部腔体真空要求达不到，与活塞座配合过松，焊接时易产生间隙，造成焊接后凹陷。
[0003]中国专利201320713523.1，公开一种高抗咬合铝合金活塞，包括活塞基体、镶圈、销孔，其活塞的压缩高为65?75mm，销孔的直径为40mm，销孔的单边长度为27mm。所述的销孔的型线包括中间直线段长度为9± 1mm，此处直径为40mm;外侧段长度为7±2mm，由与直线段连接点渐开至外口最大直径为40.0057mm；内侧段长度为11 ± 2mm，由与直线段连接点渐开至内口最大直径为40.0155mm。所述销孔由中间直线段的两个端点向内和向外的内侧段、外侧段的渐开线段与所述活塞销变形轨迹相一致。此结构存在传统活塞的缺点，导致产品质量无法提升。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足，提供一种结构紧凑，同时操作更加方便，进一步提升广品质量的一种尚真空的招合金活塞。
[0005]本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
[0006]—种高真空的铝合金活塞，包括活塞座和活塞筒，所述的活塞筒呈中空状，所述的活塞筒内壁的上端设有一对呈对称状分布的通气槽，所述的通气槽的顶端延伸至活塞筒的上部，所述的活塞筒上部形成焊接平面，所述的焊接平面的底端与活塞筒的内壁通过倾斜过渡层相过渡连接，所述的活塞座的上部设有焊接凸台，所述的焊接平面与焊接凸台相配接，所述的活塞座与活塞筒通过焊接层相定位，所述的通气槽的深度从上端至下端逐渐缩小，所述的通气槽呈长条状，所述的通气槽的宽度为3-5mm。
[0007]作为优选，所述的焊接凸台呈圆柱状，所述的活塞座呈实心状。
[0008]此结构使用寿命长，操作性能出色。
[0009]因此，本实用新型的一种高真空的铝合金活塞，结构紧凑，提高使用性能，提升使用寿命。
【附图说明】
[00?0]图1是本实用新型的结构不意图；
[0011]图2是本实用新型中活塞座的结构不意图；
[0012]图3是本实用新型中活塞筒的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
[0014]实施例1:如图1、图2和图3所示，一种高真空的铝合金活塞，包括活塞座I和活塞筒2，所述的活塞筒2呈中空状，所述的活塞筒2内壁的上端设有一对呈对称状分布的通气槽3，所述的通气槽3的顶端延伸至活塞筒2的上部，所述的活塞筒2上部形成焊接平面4，所述的焊接平面4的底端与活塞筒2的内壁通过倾斜过渡层5相过渡连接，所述的活塞座I的上部设有焊接凸台6，所述的焊接平面4与焊接凸台6相配接，所述的活塞座I与活塞筒2通过焊接层相定位，所述的通气槽3的深度从上端至下端逐渐缩小，所述的通气槽3呈长条状，所述的通气槽3的宽度为3-5mm。
[0015]所述的焊接凸台6呈圆柱状，所述的活塞座I呈实心状。
【主权项】
1.一种高真空的铝合金活塞，其特征在于:包括活塞座(I)和活塞筒(2)，所述的活塞筒(2)呈中空状，所述的活塞筒(2)内壁的上端设有一对呈对称状分布的通气槽(3)，所述的通气槽(3)的顶端延伸至活塞筒(2)的上部，所述的活塞筒(2)上部形成焊接平面(4)，所述的焊接平面(4)的底端与活塞筒(2)的内壁通过倾斜过渡层(5)相过渡连接，所述的活塞座(I)的上部设有焊接凸台(6)，所述的焊接平面(4)与焊接凸台(6)相配接，所述的活塞座(I)与活塞筒(2)通过焊接层相定位，所述的通气槽(3)的深度从上端至下端逐渐缩小，所述的通气槽(3)呈长条状，所述的通气槽(3)的宽度为3-5mm。2.根据权利要求1所述的一种高真空的铝合金活塞，其特征在于:所述的焊接凸台(6)呈圆柱状，所述的活塞座(I)呈实心状。
【专利摘要】本实用新型涉及一种活塞，尤其涉及一种高真空的铝合金活塞。包括活塞座和活塞筒，所述的活塞筒呈中空状，所述的活塞筒内壁的上端设有一对呈对称状分布的通气槽，所述的通气槽的顶端延伸至活塞筒的上部，所述的活塞筒上部形成焊接平面，所述的焊接平面的底端与活塞筒的内壁通过倾斜过渡层相过渡连接，所述的活塞座的上部设有焊接凸台，所述的焊接平面与焊接凸台相配接，所述的活塞座与活塞筒通过焊接层相定位，所述的通气槽的深度从上端至下端逐渐缩小，所述的通气槽呈长条状，所述的通气槽的宽度为3-5mm。一种高真空的铝合金活塞结构紧凑，提高使用性能，提升使用寿命。
【IPC分类】F16J1/00
【公开号】CN205278342
【申请号】CN201620053003
【发明人】沈华勤, 来虹刚
【申请人】杭州雷神激光技术有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年1月20日