本发明涉及特种气体供应装置领域，尤其是涉及一种防止调压阀结霜的高纯nf3供应管路。
背景技术：
在半导体实际生产中，nf3（三氟化氮）气体常常作为清洗机台管路的气体。但是机台使用nf3气体有时候不规律，使用的时候用量很大，不使用的时候用量几乎为零。一个问题是，机台用量很大的时候，单位时间内经过调压阀调压的nf3气体流量很大，当达到某一值的时候，则调压阀会出现结露甚至结霜现象，这对调压阀的使用寿命大大减少。结露和结霜的现象是因为nf3满瓶气体压力高达1400psi，调压阀调压至80psi左右，这个过程会产生吸热的节流效应，当外界热量不足的时候，空气中的水分就会在调压阀上结霜或者结露。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明提出了一种防止调压阀结霜的高纯nf3供应管路。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种防止调压阀结霜的高纯nf3供应管路，包括：
气源，以及
供气管路，其数量有两路，两路供气管路均连接气源，两路供气管路后端汇集成一路作为供气端，第一供气管路包括有依次连接的第一截止阀和第一调压阀，第二供气管路包括有依次连接的第二截止阀和第二调压阀；供气管路后端连接有出口阀；
单路和/或两路供气管路的出口阀前端装有流量监测器。
进一步地，所述出口阀是气动阀或电动阀。
进一步地，所述流量监测器流量超过设定值则触发打开该流量监测器所在供气管路的出口阀。
进一步地，所述第一截止阀和第二截止阀之间安装有第三截止阀。
进一步地，所述第一调压阀前端依次连接初级吹扫阀和初级文丘里吸入口。
进一步地，所述第一调压阀后端和第二调压阀后端依次连接次级吹扫阀和次级文丘里吸入口。
进一步地，所述初级文丘里的排气口和次级文丘里的排气口接入气体吸附器。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：原本单路供应的系统可以在机台用量大的时候改为双路供应，减小单侧供应管路的流量，防止节流效应引起调压阀的结露或者结霜。
附图说明
图1为本发明的示意图；
附图标记说明：1-气源；2-主阀；3-第三截止阀；4-第一截止阀；5-初级文丘里；6-初级吹扫阀；7，15-气体吸附器；8-第一调压阀；9，13-流量监测器；10，14-出口阀；11，12-次级吹扫阀；16-次级文丘里；17-第二调压阀；18-第二截止阀；19-供应管路。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围不局限于以下所述。
具体实施例一：
如图1所示，本发明提供了一种防止调压阀结霜的高纯nf3供应管路，包括气源1和供气管路19，气源1出口有主阀2，供气管路19数量有两路，两路供气管路19均连接气源，两路供气管路19后端汇集成一路作为供气端，第一供气管路包括有依次连接的第一截止阀4和第一调压阀8，第二供气管路包括有依次连接的第二截止阀18和第二调压阀17，两路供气管路的意义在于，如果一路有外漏，另一路还可以使用，因为一般情况下半导体厂要求全年24小时供应；供气管路19后端连接有出口阀10，14；单路和/或两路供气管路19的出口阀10，14前端装有流量监测器9，13。所述第一调压阀8前端依次连接初级吹扫阀6和初级文丘里5吸入口，文丘里有吹扫气入口和出口，侧面的吸入口连接被抽真空的管道。所述第一调压阀8后端和第二调压阀17后端依次连接次级吹扫阀11，12和次级文丘里16吸入口。所述初级文丘里5的排气口和次级文丘里16的排气口接入气体吸附器7，15，nf3具有很强的氧化性，以极快的速度喷出时甚至会让金属燃烧，所以安全起见必须使用吸附剂吸附残余nf3气体，作为文丘里动力抽真空的气体是高纯氮气。
具体实施例二：
在实施例一的基础上，可以改进的是，所述出口阀10，14是气动阀或电动阀。所述流量监测器9，13流量超过设定值则触发打开该流量监测器9，13所在供气管路19的出口阀10，14。
具体实施例三：
优选地，所述第一截止阀4和第二截止阀18之间安装有第三截止阀3，单路进行吹扫的时候需要屏蔽另一路，同时也是防止第一截止阀4和第二截止阀18有内漏的时候无法吹扫的情况，需要指出的是吹扫是利用低压高纯氮气对管路进行清洗，清洗管路的颗粒杂质或者气体和管路反应产生的杂质。
工作原理：机台用量不大的时候，单路供应管路19供应即可；当机台用量大的时候，流量超过流量监测器的设定值时，触发打开另一备用供应管路19的出口阀，两路供应机台使用，减少单路调压阀的流量。
可以得出的是，原本单路供应的系统可以在机台用量大的时候改为双路供应，减小单侧供应管路的流量，防止节流效应引起调压阀的结露或者结霜。
以上揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作地等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。