专利名称：感应电流位置传感器相关申请的相互参考的制作方法
根据美国法律35USC§119，本申请要求申请号为2000-198895、申请日为2000年6月30日的日本专利申请的优先权，并且通过交叉引用其全部内容的方式将其并入本申请中。
本发明涉及一种感应电流位置传感器，该传感器适用于例如测径仪、直线测高仪和直线标尺。更特别的是，本发明涉及一种感应电流位置传感器，其能减少从传感器内部扩散到外界的有害磁通量，从而提高信号强度。
在本领域采用一种感应电流位置传感器的电测径器已经被开发成功并且被展示。在感应电流位置传感器内，磁场发生器产生初级磁场，其耦合到耦合线圈的第一部分，该耦合线圈由两个线圈部分组成。第一部分响应初级磁场以产生感应电流。耦合线圈的第二部分响应感应电流以产生耦合到磁通量传感器的二级磁场。磁通量传感器以相应于耦合线圈阵列的一个空间周期设置，以便将依据耦合线圈相对位置的信号提供给磁通量传感器。
上述信号处理技术可以应用到测量设备。在这种情况下，由于测量设备本身在结构和结构材料特性上的限制，因而它通常采用金属作材料。如果上述技术应用到此条件下进行精确测量，就需要维持一个起信号作用的磁场强度，且具有最小可能损失。不过，初级和二级磁场沿着构成测量设备的元件扩散。结果，不能保证一个有效的与耦合线圈进行的磁耦合，以及不能够获得一个有效的信号强度。
在考虑到这些缺点的情况下提出本发明，相应的，本发明的目的提供一种更高精度的测量技术，并通过下述方式完成防止磁通量的有害扩散，减少由耦合线圈和磁场发生器以及磁通量传感器之间的距离变化导致的信号强度的变化，以提高在距离变化上的稳定度；在耦合线圈和磁场发生器以及磁通量传感器之间形成一个封闭的磁路，以提高信号强度。
本发明提供了一种感应电流位置传感器，其包括相对设置的第一和第二元件，他们能沿测量轴线相对移动，并且第一和第二元件都有与测量轴线正交的第一和第二磁通量区域；在第一磁通量区域响应一个驱动信号以产生第一可变磁通量的磁场发生器；一个耦合线圈，其第一区位于第一磁通量区域内，第二区位于第二磁通量区域内，第一区响应第一可变磁通量以产生感应电流，第二区响应感应电流以产生第二可变磁通量；磁通量传感器设置在第二磁通量区域内，以传感第二可变磁通量，其中磁场发生器、耦合线圈和磁通量传感器三者之一位于第一和第二元件之一上，剩余两个位于第一和第二元件另一个上，同时，一个高渗透性物质被设置在第一元件、第二元件以及第一元件和第二元件间缝隙的至少一部分上，以形成磁通在磁场发生器、耦合线圈和磁通量传感器三者至少一个中能透过的磁路。
在本发明的一个优选实施例中，磁场发生器和磁通量传感器位于第一和第二元件其中一个上，耦合线圈位于第一和第二元件中的另一个上。
在第二个实施例中，磁场发生器和耦合线圈可以位于第一和第二元件的其中一个上，磁通量传感器位于第一和第二元件的另一个上。
在第三个实施例中，耦合线圈和磁通量传感器可以位于第一和第二元件的其中一个上，磁场发生器位于第一和第二元件的另一个上。
优选的是，在第一和第二个实施例中的磁通量传感器以及在第三个实施例中的磁场发生器有大量沿测量轴线改变极性的区间，更详细地说，这些区间沿测量轴线形成一定波长的周期图形。
高渗透性物质可以包括一种高渗透性树脂，层叠在第一和第二元件至少一个上；一种磁性材料，粘附在第一和第二元件至少一个上；或者一种磁性材料，埋置在第一和第二元件至少一个内。
高渗透性物质还可以包括一种高渗透性树脂，层叠在第一和/或第二元件上，以及被加工成图形，以覆盖磁场发生器、耦合线圈和磁通量传感器三者中至少一个的图形。
第一和第二元件之一固定在沿测量轴线伸展的横梁上，第一和第二元件的另一个固定在滑动地安装在梁上的滑座上。横梁和滑座可以由磁性材料制成。
在本发明中，第一和第二元件之一固定在沿测量轴线伸展的横梁上，第一和第二元件中的另一个固定在滑动地安装在梁上的滑座上。优选的是，横梁可以由磁性材料制成，而至少使滑座与横梁相对的一面由非磁性材料制成。
本发明的其它特征和优点将通过以下优选实施例的描述而变得显而易见。
本发明将结合附图作详细的描述，因而其能被更加全面的理解。
图1是根据本发明实施例的一个感应电流位置传感器；图2是沿局部切开的同一感应电流位置传感器的透视图；图3A是图2沿箭头A方向上的横截面图；图3B是用于作比的传统设备的横截面图；图4是根据本发明另一实施例的一个传感器的横截面图；图5是根据本发明另一个实施例的一个传感器的横截面图；图6A-B是根据本发明另一个实施例的一个传感器标尺的截面图和平面图；图6C-D是根据本发明另一个实施例的一个传感器标尺的截面图和平面图；图7是相同传感器主要部分的透视图；图8是根据本发明另一个实施例的一个传感器主要部分的透视图；以及图9是根据本发明进一步的实施例的一个传感器主要部分的透视图。
下面结合附图对本发明的优选实施例作详细的描述。
图1是根据本发明实施例的一个增量型感应电流位置传感器的主要部分。
位置传感器200包括一个读头220或者第一元件，以及标尺210或第二元件，它们相互间通过一置于二者之间的缝隙相对设置，且可沿着图中的测量轴线114相对移动。在该实施例中，设置了一个磁场发生器222、两套磁通量传感器224、226以及耦合线圈212、216以减小偏移，当然，每一套传感器和耦合线圈也可以应用到本发明。磁场发生器222和磁通量传感器224、226位于读头220上，耦合线圈212、216位于标尺210上。磁场发生器222和耦合线圈212、216内的第一区213、217位于第一磁通量区域内，而磁通量传感器224、226和耦合线圈212，214内的第二区214、218位于第二磁通量区域内。
标尺210包括大量第一耦合线圈212，其由第一极性的封闭线圈组成；以及大量第二耦合线圈216，其由第二极性的封闭线圈组成。耦合线圈212发生空间相移并与耦合线圈216电隔离。
第一耦合线圈212包括第一区213和第二区214，它们之间通过一对连接导体215相连。第二耦合线圈217包括第一区217和第二区218，它们之间通过一对连接导体219以相同的方式相连。
在大量的第一耦合线圈212内，第一区213沿测量轴线114设置在标尺210的第一侧边。第二区214沿测量轴线114设置在标尺210的中心。连接导体215在与测量轴线114正交的方向上伸展，以连接第一区213和第二区214。
在大量的第一耦合线圈216内，第一区217沿测量轴线114设置在标尺210的第二侧边。第二区218沿测量轴线114设置在标尺210的中心，并与耦合线圈212的第二区214交错。连接导体219在与测量轴线114正交的方向上伸展，以连接第一区217和第二区218。
感应电流位置传感器200的读头220包括有第一部分223A和第二部分223B的磁场发生器222。磁场发生器的第一部分223A位于读头220的第一侧边，而磁场发生器的第二部分223B位于读头220的第二侧边。磁场发生器的第一部分223A和第二部分223B包括长方形图形，其长边沿测量轴线114伸展且与测量轴线114长度相等。另外，磁场发生器的第一部分223A和第二部分223B有一短边，其沿与测量轴线114正交的方向伸展，且宽为d1。
磁场发生器222有用于传输的终端222A和222B，它们被连接到驱动信号发生器150。驱动信号发生器150向磁场发生器终端222A提供随时间变化的驱动信号。结果，随时间变化的电流能从终端222A通过磁场发生器222流向终端222B。
为响应上述操作，磁场发生器的第一部分223A产生初级磁场，并且从图1第一部分223A的线圈内的表格上升，然后下降到图1第一部分223A的线圈外的表格。相反，磁场发生器的第二部分223B产生初级磁场，并且从图1第二部分223B的线圈外的表格上升，然后下降到图1第二部分223B的线圈内的表格。结果，在耦合线圈212、216内产生能抵消磁场变化感应电流。
分别流入耦合线圈第一区213、217的感应电流同流入磁场发生器223A和223B部分相应近端部分的电流方向相反。相反极性的线圈电流流入位于标尺中心的第二部分214和218中相邻的一个。因而，第二磁场就产生了，使得相反极性的磁场分量沿着标尺中心周期性分布。该周期性第二磁场的波长λ等于连续两个第二部分214(或者218)之间的间隔。
为维持初级和第二磁场磁通量强度，减少泄露到外界的磁通，标尺210和读头220设置了一种高渗透性的物质，设置该物质的位置和设置该物质造成的影响将在随后被详细描述。
读头220包括第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226。第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226分别由产生大量正弦波形图中一部分的导体部分228、229组成。导体部分228、229都在印刷电路版绝缘层的表面被加工成图形，该印刷电路版用来构造读头220。
导体部分228、229经过导线230连接，以在第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226内形成交替的正极线圈232和负极线圈234。结果，感应区域以空间宽度调制的周期形式被配置和形成。在这种情况下，一对邻近的正极线圈232和负极线圈234沿着测量轴线方向的长度等于波长λ。另外，在第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226间确定了λ/4相差。第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226位于读头220的中心，并夹在磁场发生器的第一部分223A和第二部分223B之间，其沿与测量轴线正交方向上的宽度为d2。
该构造能够避免磁场发生器线圈与磁通量传感器线圈(与位置和标尺无关)无用的耦合。磁场发生器的第一部分223A和第二部分223B产生的初级磁场在第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226邻近的范围内方向相反。因此，初级磁场在第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226覆盖区域内相互抵消了。理想的是，初级磁场应在该区域完全被抵消。
第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226分别与磁场发生器第一部分223A和第二部分223B彼此隔开相等的距离d3。因此，相应于磁场发生器第一部分223A和第二部分223B，读头220内的第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226覆盖区域内产生的磁场是对称的、相反的。因而，直接的感应作用能被有效地抵消。如果磁场发生器与磁通量传感器是隔开的话，来自于与磁场发生器第一部分223A和第二部分223B无用的直接耦合在第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226间产生的感应电压能够首先被减小到某种程度；其次，对称设计能使无用的耦合减少到0。
多个第一耦合线圈212以相同的等于第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226波长λ的间距排列。预期第一区213沿测量轴线114的长度尽可能接近于波长λ，同时，确保邻近区间之间的一个绝缘区201。第一区213在与测量轴线114正交方向上的宽度为d1。
多个第二耦合线圈216以相同的等于波长λ的间距按类似的方式排列。预期第一区217沿测量轴线114的长度尽可能接近于波长λ，同时，确保邻近区间之间的一个绝缘空间201。这些区在与测量轴线114正交方向上的宽度为d1。
在第一耦合线圈212和第二耦合线圈216内的第二区214、218也以相同的等于波长λ的间距排列。然而，第二区214、218沿测量轴线114的长度尽可能确定为接近于λ/2波长。如图，在一对相邻的第二区214、218之间设置绝缘区202。因而，第一耦合线圈212和第二耦合线圈216内的第二区214、218沿标尺210长度方向交替设置。第二区214、218在与测量轴线114正交方向上的宽度为d2。
第二区214、218与相应的第一区213、217之间的距离为d3。因此，当读头220接近标尺210设置时，磁场发生器第一部分223A与第一耦合线圈212的第一区213设置在一条直线上。磁场发生器第二部分223B与第二耦合线圈216的第一区217设置在一条直线上。第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226与第一耦合线圈212和第二耦合线圈216内的第二区214、218设置在一条直线上。
在该实施例中，标尺210和读头220采用印刷电路版。另外，磁场发生器、耦合线圈和磁通量传感器采用印刷电路版工序生产。
在测量操作中，随时间变化的驱动信号由驱动信号发生器150提供给磁场发生器的终端222A。从而磁场发生器第一部分223A在第一区产生第一方向的可变磁场。第二部分223B在第二区产生与第一区方向相反的第二可变磁场。第二可变磁场与由磁场发生器第一部分223A产生的第一可变磁场有相同的磁场强度。
多个第一耦合线圈212与磁场发生器第一部分223A通过第一部分223A产生的第一磁场感应耦合。从而感应电流顺时针流入耦合线圈212的每一个中。同时，多个第二耦合线圈216与磁场发生器第二部分223B通过第二部分223B产生的第二磁场感应耦合。这将产生感应电流并逆时针流入第二耦合线圈216的每一个中。结果，这些电流通过耦合线圈212和216内的第二区214和218在相反方向流动。
流入第一耦合线圈212内的第二区214的顺时针电流产生第三磁场，其下降到图1中第二区214内的表格。流入第二耦合线圈216内的第二区218的逆时针电流产生第四磁场，其从图1中第二区218内的表格上升。由此沿着测量轴线114产生一个净变化磁场。该变化磁场的波长等于第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226的波长λ。
相应的，当第一磁通量传感器224的正极线圈232适配第二区214、218中的其中一个时，第一磁通量传感器224的负极线圈234适配第二区214、218中的另外一个。当第二磁通量传感器226的正极线圈232和负极线圈234适配第二区214、218时，同样发生类似情况。对第二部分214和218产生的可变磁场进行空间调制，使其波长与空间调制磁通量传感器使用的波长一样。因此，当正极线圈232和负极线圈234适配第二区214时，所产生的感应电动力(EMF)彼此相等，并且与适配第二区218时产生的EMF相反。
因而，当读头220相对标尺210移动时，来自正极线圈232的净输出表现为读头220沿标尺210位置“X”的正弦函数。在该函数中，来自于无用耦合导致的输出信号中的偏移成分变为令人满意的0。类似的，当读头220相对标尺210移动时，来自负极线圈234的净输出表现为读头220沿标尺210位置“X”的正弦函数。在该函数中，来自于无用耦合导致的输出信号中的偏移成分变为令人满意的0。正极线圈232和负极线圈234在相同相内提供EMF分布。
第一和第二磁通量传感器224和226之间有90度相位差。因此，在第一磁通量传感器224中获得的作为位置X函数的输出信号与在第二磁通量传感器226获得的作为位置X函数的输出信号有90度相位差。这些信号都被送到用于处理接收信号的信号处理电路140。
信号处理电路140读入磁通量传感器224和226的输出信号，这些输出信号经取样，转换成数字值，然后输送到控制单元160。控制单元160处理经数字化的输出信号，以确定在波长λ内读头220和标尺210之间的相对位置关系。
相对于正极线圈232和负极线圈234(作为位于邻近线圈之间的简单导体元件而起作用)之一，在测量轴线正交的方向上，贯穿传导线位置上的适当变化以给出0宽度应该是可理解的。在这种情况下，第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226作为单极磁通量接收器，与在前实施例相比较，对外部磁场来说，其有增强的灵敏度，并提供1/2振幅(由线圈区域的减少得出)的输出信号。
该设计的变化能提供一些好处。磁场发生器对称设置的结果是通过线圈的无用磁通量被控制到令人满意的0。来自磁通量传感器224和226的输出信号也有0偏移，并在最大正值和最小负值之间摇摆。因为标尺元件和磁通量传感器互补的周期性构造，所以每单位位移的信号变化程度相对于给定测量范围非常高。
在第一磁通量传感器224和第二磁通量传感器226的90度相位差输出特性的基础上，控制单元160能确定读头220相对标尺210相对移动的方向。控制单元160计算部分或者所有通过的波长λ的增量。控制单元160利用该计算和波长λ内的相对位置以提供一个距离位于读头220和标尺210之间某一原点的相对位置。控制单元160发送控制信号给产生随时间变化的驱动信号的驱动信号发生器150。
图2表示实施例中标尺210和读头220之间草图的位置关系。为简化方便，传感器被一个与测量轴线114正交的平面切开。
沿测量轴线伸展的横梁31可滑动地支持一个滑座32。标尺210位于横梁31上。读头220位于滑座32上，其与标尺210相对。
图3A是标尺210、读头220以及它们支持件在图2A方向上的横截面图。图3B是用于作比的一个传统实施例。
例如，横梁31和滑座32都由磁性不锈钢组成。高渗透性物质层叠在读头220上且与标尺210相对的表面。该高渗透性物质33可采用一种高渗透性树脂，其由埋置在树脂中的高渗透性磁粉组成。在这种情况下，如果一个IC被安装在读头220的表面，以及高渗透性树脂将被层叠在该表面上，那么该高渗透性物质33能通过浇注树脂而形成。如果没有安装IC，一个通用磁盘或磁带也可以在粘附在读头220的所述表面。
高渗透性物质能够设置在读头220的上表面。如图3所示，这种设置允许大部分由磁场发生器223A、223B部分产生并位于其之上的磁通量34穿过高渗透性物质33，高渗透物质磁阻很小。因此，就可以抑制磁通量34泄露和扩散到外界以及集中磁场发生器223A、223B部分产生的磁通量到耦合线圈212、216的第一区213、217。也可以减少磁通路中的磁阻以及增加在磁通量传感器232、234接收的信号强度。
相反，如图3B所示的传统感应电流位置传感器，没有磁性材料连接到读头220的表面。另外，滑座32的内部框架由磁性金属组成。相应的，磁通量34的流动不能形成有效穿过读头220的封闭的磁路，导致磁通量34朝读头220之上扩散。结果，来自磁场发生器223A、223B部分产生的磁通量不能集中到耦合线圈212、216的第一区213、217，导致磁通量泄露的损失发生。这就意味着在耦合线圈212、216内的第二区213、217产生的第三、第四磁场也很弱。更进一步，第三、第四磁场朝读头220之上的扩散阻止了它们有效地集中在磁通量传感器232、234上。从而，磁通量传感器232、234不能提供足够的信号强度。
如果高渗透性物质存在于读头220和标尺210之间将会更加有效。图4表示另一高渗透性物质35，其层叠在读头220上与标尺210相对的表面。高渗透性物质35也可以层叠在标尺210上与读头220相对的表面。
图5是滑座32的另一实施例，其内部框架36可以由非磁性金属或者树脂制成，其外部框架37可以由金属不锈钢制成。根据这样一种构造，内部框架36能阻止磁通量从横梁31扩散到滑座32。另外，滑座32的外部框架37能够磁性屏蔽影响测量的外部磁场。
图6A-D表示用以在标尺210上设置高渗透性物质的16种位置A-I和A′-I′。图6B和6D分别是图6A和6C沿箭头线S-S′、T-T′的横截面图。
标尺210被应用到图7所示的感应电流位置传感器。该传感器包括在第一元件或读头220上的一套磁场发生器222和一套磁通量传感器224，以及大量在第二元件或标尺210上的耦合线圈212。图6中的高渗透性物质的设置也可以应用到图1中的感应电流位置传感器。
可取的是，如图中箭头所示，设置高渗透性物质的位置确定在信号磁通量被认为理想通过的路径上。
由于上述原因，高渗透性物质相应于标尺基质41内或者其上或下表面的每一个耦合线圈212而特有地存在。特别的，A、B、C和A′、B′、C′分别位于第一区213和第二区214的轴的延长线上。
举例说明了E和F每一个耦合线圈212的高渗透性物质的构造图形。I、H和举例说明了I′、H′使用高渗透性物质的每一个耦合线圈212中相同的第一区213以及相同的第二区的构造图形。上述16种位置A-I和A′-I′中的任何一种也可以被设置高渗透性物质。所述用来设置高渗透性物质位置的任何一种组合可以根据限制、如传感器设计技术条件来选择。
用于设置高渗透性物质的位置存在越多，来自位置的影响变得越足以增加信号强度和减少漏磁。
在上述的实施例中，磁场发生器222和磁通量传感器224位于读头220上，而耦合线圈212位于标尺210上。如图8所示，磁通量传感器224可以位于标尺210上，而耦合线圈212和磁场发生器222可以位于读头220上。在这种情况下，磁通量传感器224有一个跨越一定周期的波形图，磁场发生器222产生一个矩形波形图，以覆盖耦合线圈212的第二区214。
图9是进一步的实施例。在该实施例中，磁通量传感器224位于标尺210，而耦合线圈212和磁场发生器222位于位于读头220上。在这种情况下，磁通量传感器224有一个跨越一定周期的波形图，磁场发生器222产生一个矩形波形图，以覆盖耦合线圈212的第一区213。本发明也可以应用于这样构造的感应电流位置传感器。
由上所述，很显然，根据本发明，一种有效的封闭磁路在磁场发生器和磁通量传感器之间形成，从而减少了有害泄漏磁通量的发生，防止了来自外部磁场的影响，因而产生了能提高信号强度和取得更高测量精度的感应电流位置传感器。
由于已描述了符合本发明的实施例，故其它符合本发明的实施例和变化对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，本发明不应被看作仅局限于所揭示的实施例，而应看作仅限定于权利要求的精神和范围。
权利要求
1.一种感应电流位置传感器(200)，其包括相对设置并沿测量轴线(114)相对移动的第一元件(220)和第二元件(210)，且第一元件和第二元件每一个都有与所述测量轴线正交的第一和第二磁通量区；一个磁场发生器(222)，用于响应一个驱动信号在所述第一磁通量区产生第一可变磁场；一个耦合线圈(212、216)，包括位于所述第一磁通量区域的第一区(213、217)，以及位于所述第二磁通量区域的第二区(214、218)，其中第一区(213、217)响应所述第一可变磁通量产生感应电流，第二区(214、218)响应所述感应电流产生第二可变磁通量；以及一个磁通量传感器(224、226)位于所述第二磁通量区域，以传感所述第二可变磁通量，其中，所述磁场发生器(222)、所述耦合线圈(212、216)以及所述磁通量传感器(224、226)三者之一位于所述第一元件(220)和第二元件(210)之一上，所述三者中剩余的两个位于所述第一元件(220)和第二元件(210)中另一个上，其特征在于一种高渗透性物质(33、35)设置在所述第一元件(220)、所述第二元件(210)以及所述第一元件(220)和第二元件(210)之间的缝隙的至少一部分上，以形成磁路，以便使磁通量渗透所述磁场发生器(222)、所述耦合线圈(212、216)以及所述磁通量传感器(224、226)中至少一个。
2.根据权利要求1所述的感应电流位置传感器(200)，其特征在于所述高渗透物质(33、35)包括一种层叠在所述第一元件(220)和第二元件(210)中至少一个上的高渗透树脂。
3.根据权利要求1或2所述的感应电流位置传感器(200)，其特征在于所述高渗透物质(33、35)包括一种粘附在所述第一元件(220)和第二元件(210)至少一个上的磁性材料。
4.根据权利要求1-3中任何一项所述的感应电流位置传感器(200)，其特征在于所述高渗透物质(33、35)包括一种埋置在所述第一元件(220)和第二元件(210)中至少一个内的磁性材料。
5.根据权利要求1所述的感应电流位置传感器(200)，其特征在于所述高渗透物质(33、35)包括一种层叠在所述第一元件(220)和/或第二元件(210)至少一个上的高渗透树脂，该高渗透物质被加工成图形以覆盖所述磁场发生器(222)的图形、所述耦合线圈(212、216)以及所述磁通量传感器(224、226)至少之一的图形。
6.根据权利要求1-5中任何一项所述的感应电流位置传感器(200)，其特征在于所述第一元件(220)和第二元件(210)之一被固定在一个沿所述测量轴线(114)伸展的横梁(31)上，所述第一元件(220)和第二元件(210)的另一个被固定在滑动地安装在所述横梁上的一个滑座(32)上，所述横梁(31)和所述滑座(32)由磁性材料制成。
7.根据权利要求1-5中任何一项所述的感应电流位置传感器(200)，其特征在于所述第一元件(220)和第二元件(210)之一被固定在一个沿所述测量轴线(114)伸展的横梁(31)上，所述第一元件(220)和第二元件(210)中的另一个被固定在滑动地安装在所述横梁上的一个滑座(32)上，所述横梁(31)由磁性材料制成，以及在所述滑座(32)内至少与所述横梁(31)相对的一面(36)由非磁性材料制成。
全文摘要
本发明提供了一种感应电流位置传感器,其相对于距离变量有提高的信号强度和寿命。这能通过防止磁通量有害扩散以减少磁通泄露引起的损失、以及在磁场发生器和磁通量传感器之间形成有效的闭合磁路来实现。一种高渗透物质(33)设置在读头(220)上的第一元件以及标尺(210)的目标磁路上。这种设置能抑制传统线圈结构因磁通量扩散而导致的磁通泄露引起的损失,提高了磁通量的信号强度,减少了来自外部磁场的影响。
文档编号G01B7/00GK1334437SQ0112432
公开日2002年2月6日 申请日期2001年6月29日 优先权日2000年6月30日
发明者宫田俊治, 冈本雅美 申请人:株式会社三丰