专利名称：管芯温度估计器的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及电子器件，并且更具体来讲，涉及管芯温度估计电路以及用于估 计集成电路管芯温度的方法。
背景技术：
多个集成电路是利用大半导体晶片制造的。在完成对晶片的加工之后，切割晶片， 即分离在硅晶片上的各个硅芯片或集成电路。集成电路情形下的管芯是小块的半导体材 料，在其上制造具有给定功能的电路。由于流过具有电阻的电子器件的每个电流使所述器 件温度升高并且消散热能，因此任何这样的器件的性能参数由于温度改变而发生变化，对 于半导体器件而言，尤其是结温度变化。过热会造成器件暂时失效或者甚至永久性损坏器 件。这尤其与严格安全环境下使用的集成电路器件相关，例如，在其中器件失效会造成驾驶 者处于危险的汽车安全系统中。因此，对于某些应用，通过温度传感器测量在使用时连接到 系统(例如，在印刷电路板上)的集成电路的温度。然而，温度传感器增加了额外的成本并 且需要用于传感器装置和其连接的空间。此外，由于使用了测量装置，导致不可能在不将噪 声添加到测量值的情况下测量温度。
发明内容
本发明提供一种如所附权利要求书描述的温度估计电路以及用于估计集成电路 管芯温度的方法。本发明还提供数据处理系统、安全关键系统(safety critical system) 和包括所描述的温度估计电路的交通工具以及至少部分实现温度估计的计算机程序产品。从属权利要求中阐述本发明的特定实施例。从下文描述的实施例，本发明的这些和其他方面将变得清楚，并且参照这些实施 例对本发明的这些和其他方面进行说明。
参照附图，将只通过实例的方式描述本发明另外的细节、方面和实施例。以简便和 清晰的方式示出图中的元件，并且元件不必按比例绘制。不同图中的相同附图标记表示相 同或近似的组件。图1示意性示出具有温度估计电路的数据处理系统的实施例的实例的框图。图2示意性示出温度估计电路的实施例的实例的框图。图3示意性示出用于估计集成电路管芯的温度的方法实施例的实例的流程图。图4示意性示出具有安全关键系统的交通工具实施例的实例的框图。
具体实施例方式参照图1，示出具有温度估计电路200的数据处理系统100的实施例的实例的框 图。图1示出数据处理系统100，其包括下面参照图2描述的集成电路114、116以及温度估计电路200和数据处理装置112，所述数据处理装置112在操作中用于向集成电路114、 116发送一个或多个命令信号120，并且向温度估计电路200发送一个或多个对应的通知信 号118。数据处理系统100可以是与单个芯片一样的单片电路(monolithic)或者分布遍及 相同或不同印刷电路板上的若干芯片。其可以包含集成电路114、116，集成电路114、116通 常从数据处理装置112接收指令120并且接收和传递数据。其还可以自身传递指令。由于 接收到命令信号120，电流流动造成集成电路114、116自身的温度升高，这是由于例如电子 穿过集成电路中不同半导体组件的结的运动造成的。将命令信号传给集成电路的数据处理 装置112可以是例如微控制器或数字信号处理器(DSP)或通用目的处理器(GPP)，例如计算 机系统的中央处理单元(CPU)。例如，其可以是PowerPC，即，利用增强Risc(减少指令集计 算)性能芯片进行性能优化，例如Freescale的5121 PowerPC远程通信业务处理器。然而， 其还可以是遵循复杂指令集计算(CISC)原理的处理器或者任何其他数据处理装置的处理 器。数据处理装置112可以向一个以上的集成电路装置114、116发送命令信号120，并且一 个以上的温度估计电路200可以计算接收的集成电路装置的对应的估计温度122。同样可 行并且在所述系统的范围内的是，创建一个温度估计电路来计算从数据处理装置接收命令 信号的一个以上的集成电路装置114、116的估计温度。温度估计电路可以被具体实施为集 成电路本身或者可以是数据处理装置中的部件或者可以被具体实施为在数据处理装置112 上执行的计算机程序产品。数据处理系统100的一个实施例可以具有数据处理装置112，该数据处理装置112 根据计算出的管芯温度值122来调节每个单位时间发送到集成电路114、116的命令信号 120的数目。由温度估计电路200提供管芯温度值122。可以装配数据处理装置112，以使 其根据发送到集成电路114、116的指令120数目减小集成电路装置114、116的负载来降低 集成电路装置114、116的温度。例如，如果集成电路装置是一组存储器装置中的一个，则数 据处理装置可以决定停止向遭遇温度升高的存储器装置存储数据，并且替代地使用其他可 用的存储器装置，以便避免存储器装置过热，由此避免性能降低、数据丢失或暂时性甚至永 久性的装置失效。该系统可以用于在允许的温度范围内操作，而无需实现另外的温度传感 器，从而节约了成本并降低了整体管芯尺寸。现在另外参照图2，示出温度估计电路200的实施例的实例的框图。公开了用于 估计集成电路管芯114、116温度的温度估计电路200，其包括温度升高估计电路210，该 温度升高估计电路210具有在操作中用于接收一个或多个通知信号118的一个或多个输入 212-220以及提供一个或多个温度升高值224-232之和的输出222，每个通知信号与传递到 集成电路的命令信号120相对应，每个温度升高值与由于命令信号120之一导致的集成电 路114、116的温度升高相对应；温度降低估计电路234，该温度降低估计电路234包括在操 作中用于接收计算出的管芯温度值122的输入236以及用于提供温度降低值的输出238， 所述温度降低值取决于在没有命令信号120施加到集成电路114、116时温度降低的数学模 型；以及温度计算电路对0，该温度计算电路240具有与温度升高估计电路210的输出222 连接的第一输入对2、与温度降低估计电路234的输出238连接的第二输入M4以及提供 计算出的管芯温度值122的输出M6。虽然所述的温度升高电路210通过其通知信号输入 212-220接收与命令信号120相对应的通知信号118，但是还能可行的是，将命令信号120 本身用作通知信号118。
图2所示的温度计算电路240可以包括计算器248、250，其用于根据至少一个在前 的管芯温度值与一个或多个温度升高值之和相加并且减去温度降低值来计算管芯温度值 122。在一个实施例中，计算出的温度值可以是接收加法器/减法器250的输出的存储器或 延迟元件248的输出值，其中，加法器/减法器250将温度升高估计电路210提供的温度升 高值之和加到反馈回路中反馈的系统时钟的在前时钟周期期间计算出的温度值，并且减去 温度降低估计电路234提供的温度降低值。温度降低估计电路234可以提供温度降低值，作为计算出的管芯温度值122与当 没有命令信号施加到集成电路时的估计管芯温度值的调整差(scaled difference) 0温度 降低值可以通过如下方式来确定使用减法器252从温度计算电路接收计算出的管芯温度 值122，并且减去通过输入258接收的集成电路的闲置时间(即，当其没有接收命令信号 时)期间的结温度值。所得到的值被施加到调整器(scaler)。在此，调整器放大或衰减减 法器的输出信号。开关272可以用于向加法器/减法器250施加调整器邪4输出信号。开 关272受通过控制输入274接收的时钟信号控制。该时钟信号可以根据实际实施而具有固 定的频率。例如，其可以是整体系统时钟频率或任何其他时钟频率，例如，1MHz。每当开关 272导通时，从延迟元件M8中存储的在前温度值中，减去调整器2M提供的温度升高值。 通过控制输入274接收的时钟信号可以在温度降低估计电路234内产生或者它可以被接收 作为电路234的输入。施加的调整因子(scaling factor)可以根据系统时钟频率来匹配 集成电路管芯的时间常数。该时间常数可以是集成电路的指数的结温度降低的常数。其可 以预先测量，根据集成电路半导体器件的物理参数来计算出或者根据所使用的集成电路的 数据单来推导出。开关274的用途是时间离散温度估计，如图2所示。然而，所描述系统的 其他实施例可以例如使用电容器释放的电荷将温度降低建模为时间连续的过程。可以使用具有可编程比例因子输入256的调整器2M对减法器252提供的差进行 调整。因此，将可以调节结合温度计算电路的温度降低估计电路，以将指数的温度降低建模 成为闲置时的估计结温度。可用由温度降低估计电路和温度计算电路构成的一阶低通滤波 器，对结温度的该降低进行建模。对于许多集成电路，例如D-RAM，该模型可以匹配其热特 性。然而，实施对其他或相同热特性进行建模的其他滤波器在所呈现系统的范围内。例如， 可以使用二阶或三阶有限脉冲响应(FIR)滤波器，其系数可以根据集成电路的热测量或仿 真结果来得到。闲置时的估计结温度是当没有命令信号施加到集成电路114、116时的估计管芯 温度值，并且可以被永久地存储在降低估计电路内。然而，为了将温度估计电路200调节成 不同的集成电路或者为了考虑根据当前环境温度而不同的闲置温度值，温度降低估计电路 可以包括输入258，用于施加当没有命令信号施加到集成电路时的估计管芯温度值。可以使用加法器270确定温度升高值之和，加法器270将通过经由输入212-220 施加的一组通知信号所控制的一组开关沈0-268的输出信号值相加。传递到集成电路114、 116的每个命令信号120产生通知信号118，该通知信号118触发开关260-268之一，以 将施加的输入值与加法器270相连接。温度升高估计电路210可以包括一个或多个开关 260-268,每个开关具有用于温度升高值2M-232之一的输入，每个温度升高值与由于命令 信号120之一导致的集成电路114、116的温度升高相对应。例如，使用静态查找表，可以将 温度升高值224-232永久地存储在温度升高估计电路内。然而，为了相对于测量的集成电路114、116以及环境温度随时间的变化来调节这些值，可以期望对所使用的值224-232进 行单独编程。因此，温度升高电路210可以包括在操作中用于接收一个或多个温度升高值 2M-232的一个或多个输入。这些值可以预先测量，根据集成电路半导体器件的物理参数来 计算出或者通过所使用的集成电路的数据单来推导出。温度估计电路200可以估计任何集成电路装置114、116的温度。集成电路甚至可 以是数据处理装置本身，用于估计其自身的温度。并且，温度估计电路可以实现为数据处理 装置本身的一部分。然而，在数据处理系统的另一个实施例中，集成电路114、116可以是存 储器装置。频繁接收命令120的装置将尤其经历升温。仅对最频繁使用的命令进行建模会 是足够的。对于许多应用，存储器装置最频繁地由数据处理装置112使用。通常，在中断电 源时使用丢失其所存储数据的易失性数据存储器。RAM(随机存取存储器)芯片每秒接收许 多命令信号10并且经历自加热过程。这涉及任何类型的RAM。然而，由于动态RAM(D-RAM) 芯片需要周期性刷新，这是因为用于存储信息位的电容器电荷往往会逐渐减弱，因此D-RAM 或双倍数据速率(DDR)-DRAM存储器芯片会尤其受益于温度估计和控制。另外，在一个实施 例中，D-RAM可以集成在数据处理装置内，从而允许甚至更频繁地向D-RAM发送命令信号。 例如，如果集成电路管芯114、116是D-RAM芯片，则其可以接收“D-RAM激活”命令(D-RAM ACT cmd)、“D-RAM 预充电”命令(D-RAM PRE cmd)、“D-RAM 读”命令(D-RAM READ cmd)、 “D-RAM写”命令(D-RAM WRITE cmd)禾口“D-RAM刷新”命令(D-RAM REFRESH cmd)。这些命令 120可以直接用作温度升高估计电路210的通知信号118，从而触发开关沈0力68，以向加 法器270施加对应的温度升高值Kaet (用于D-RAM激活)224,Kpre (用于D-RAM预充电)226、 Kread (用于 D-RAM 读)228、Kwrite (用于 D-RAM 写)230 和 Kref (用于 D-RAM 刷新)232。对于某 些应用，D-RAM芯片可以具有大约85°C的操作温度并且会在大约95°C时开始出现故障。因 此，可以由所述的温度估计电路来提供温度监测，并且如果有需要，通过向将有可能过热的 D-RAM发送较少的命令，由数据处理装置进行温度降低。无论如何，诸如EPROM(可擦除可编 程只读存储器)或EEPROM(电EPR0M)的非易失性存储器也会受益于温度估计和过热防护。现在再参照图3，示出用于估计集成电路管芯114、116温度的方法的实施例的实 例的示意性流程图300，其包括接收310—个或多个通知信号118，每个通知信号对应于传 递到集成电路114、116的命令信号120 ；提供一个或多个温度升高值224-232之和，每个温 度升高值与由于命令信号120之一导致的集成电路的温度升高相对应；提供温度降低值， 所述温度降低值取决于当没有命令信号120施加到集成电路114、116时据温度降低的数学 模型；以及提供316计算出的管芯温度值122，所述计算出的管芯温度值122取决于一个或 多个温度升高值之和、温度降低值以及至少一个在前的管芯温度值。所述方法允许实现所 述温度估计电路的优点和特性作为用于估计集成电路管芯温度的方法的一部分。现在再参照图4，示出具有安全关键系统412的交通工具410的实施例的实例的框 图。安全关键系统412可以包括数据处理系统100或温度估计电路200，或者可以使用如上 所述的方法。并且，交通工具410可以包括安全关键系统412、数据处理系统100或温度估 计电路200，或者可以使用如上所述的方法。安全关键系统412是用于其中系统故障避免 和安全是关键问题的环境下并且可以发现于例如诸如刹车或电动转向系统的交通工具410 的安全系统的功能安全应用中的系统，其中故障可能引发驾驶者的危险情形并且永久温度 检测可以有助于避免过热。交通工具410可以是汽车。然而，其可以是例如飞机、轮船、直升机等的任何机动设备。本发明还可以实现为在计算机系统上运行的计算机程序，计算机程序产品可以包 括代码部分，该代码部分当在可编程设备上运行时执行如上所述用于估计集成电路管芯 114、116温度的方法中的一些步骤或者用于实现温度估计电路200的一部分或者用于实现 数据处理系统100的一部分。如本文所使用的，术语“程序”被限定成设计用于在计算机系 统上执行指令序列。计算机程序可以例如包括如下的一种或多种子程序、函数、进程、目 标方法、目标实现、可执行应用、小型应用程序、小服务程序、源代码、目标代码、共享库/动 态加载库和/或设计用于在计算机系统上执行的其他指令序列。计算机程序可以在诸如 CD-ROM或磁盘的数据载体上设置，可加载到计算机系统的存储器中的数据被存储在该数据 载体上，所述数据代表计算机程序。数据载体还可以是数据连接，例如电话线缆或无线连 接。本文所描述软件的全部或部分可以是例如来自诸如其他计算机系统上的存储器 或其他介质的计算机可读介质的系统100的接收元件。这样的计算机可读介质可以永久 地、可拆卸地或远程地耦合到诸如系统100的信息处理系统。计算机可读介质可以包括例 如但不限于任意数目的以下物质磁性存储介质，所述磁性存储介质包括盘和带存储介质； 诸如小型光盘介质的光学存储介质(例如，CD-R0M、CD-R等)和数字视频盘存储介质；非易 失性存储器存储介质，所述非易失性存储器存储介质包括基于半导体的存储器单元，例如， FLASH存储器、EEPR0M、EPR0M、R0M ；铁磁数字存储器；MRAM ；易失性存储介质，所述易失性存 储介质包括寄存器、缓冲器或高速缓存(cache)、主存储器、RAM等；以及数据传输介质，所 述数据传输介质包括计算机网络、点对点电信设备和载波传输介质，这只是举几个示例。在上述说明书中，已经参照本发明实施例的特定实例描述了本发明。然而，将明显 的是，在不脱离所附权利要求书阐述的本发明的更广精神和范围的情况下，可以对其做出 各种修改和变化。例如，所述连接可以是适于例如经由中间装置传送来自各个节点、单元或 装置的信号或者将信号传送到各个节点、单元或装置的连接类型。因此，除非暗指或明述， 否则所述连接可以例如是直接连接或间接连接。本文所描述的半导体衬底可以是任何半导体材料或诸如砷化镓、锗硅、绝缘体上 硅(SOI)、硅、单晶硅等和以上物质组合的材料组合。因为实现本发明的设备大多数由本领域技术人员已知的电子组件和电路构成，因 此为了理解和了解本发明的基本构思以及不模糊或不分散本发明的教导，没有以任何比如 上所述必要考虑的程度更详细的程度来说明电路细节。如可应用的以上实施例中的一些可以使用各种不同的信息处理系统来实现。例 如，虽然图2和对其的讨论描述了示例性的温度估计电路构造，但是这种示例性构造只是 用于在讨论本发明的各种方面中提供可用的参考。当然，为了讨论的目的，已经简化了对构 造的描述，并且这只是根据本发明可以使用的众多不同类型的合适构造中的一个。本领域 的技术人员将认识到，逻辑块之间的边界只是示例性的，并且可替选的实施例可以合并逻 辑块或电路元件，或者对各种逻辑块或电路元件赋予替换的功能性分解。因此，要理解的是，本文所述的构造只是示例性的，并且事实上可以实现许多其他 构造来实现相同的功能性。虽然是概要性的，但仍然是意义明确的，用于实现相同功能性的 组件的任何布置被有效地“相关联”，使得所期望的功能被实现。因此，本文中组合实现特定功能性的任何两个组件可以被视为彼此“相关联”，使得所期望的功能性得以实现，而不管 构造或中间组件如何。同样，如此相关联的任何两个组件还可以被视为彼此“可操作地连 接”或“可操作地耦合”，以实现所期望的功能。另外，例如，在一个实施例中，系统100中所示元件可以是位于单个集成电路上或 位于同一装置内的电路。可替选地，系统100可以包括彼此互连的任何数目的单独的集成 电路或单独的装置。例如，数据处理装置112可以与温度估计电路200位于同一集成电路 上或者位于单独的集成电路上或者位于与系统100的其他元件离散地分开的另一个外围 集成电路或从属集成电路内。外围集成电路114、116还可以位于单独的集成电路管芯上。 另外，例如，系统100或其一部分可以是物理电路的软表示和代码表示或者可以是可被转 换为物理电路的逻辑表示的软表示和代码表示。如此，系统100可以实现为任何合适类型 的硬件描述语言。此外，本领域的技术人员将认识到，上述操作的功能性之间的边界只是示例性的。 多个操作的功能性可以结合成单个操作，和/或单个操作的功能性可以分布于额外的操作 中。此外，可替选的实施例可以包括特定操作的多个示例，并且可以在各种其他实施例中更 改操作的次序。另外，本发明不限于在不可编程硬件中实现的物理装置或单元，而是可以实现为 通过根据合适程序代码进行操作而能够执行所期望装置功能的可编程装置或单元。此外， 这些装置可以物理分布于许多设备中，但在功能上却作为单个装置来操作。另外，在功能上形成单独装置的装置可以集成于单个物理装置。例如，温度估计电 路200可以是数据处理装置112的一部分。然而，其他更改、变形和替选也是可行的。因此，说明书和附图将被视为是示例性 的而非限制性的。在权利要求中，置于括号间的任何附图标记不应被理解为限制权利要求。词语“包 括”不排除除了权利要求中所列的元件或步骤之外还存在其他元件或步骤。此外，如本文所 用的术语“a”或“an”被限定为一个或一个以上。另外，即使在同一权利要求包括引入短语 “一个或多个”或“至少一个”以及诸如“a”或“an”的不定冠词时，在权利要求中使用诸如 “至少一个”和“一个或多个”的引导语也不应被理解为意味着由不定冠词“a”或“an”限定 的引入的另一个权利要求要素将包含这样引入的权利要求要素的任何特定权利要求限制 到只包含一个这样的要素的本发明。对于定冠词的使用同样如此。除非另外指出，否则诸 如“第一”和“第二”的术语用于任意区分这样术语描述的要素。因此，这些术语不必意图 表示这样要素的时间优先次序或其他优先次序。某些手段在相互不同的权利要求中列举的 纯粹事实并不表示这些手段的组合不能有益地利用。
权利要求
1.一种用于估计集成电路管芯(114、116)温度的温度估计电路000)，包括温度升高估计电路010)，所述温度升高估计电路(210)具有一个或多个输入012-220)，所述一个或多个输入(212-220)在操作中用于接收一个 或多个通知信号(118)，每个通知信号与传递到所述集成电路的命令信号(120)相对应，以 及输出022)，所述输出(22 提供一个或多个温度升高值(224-23 之和，每个温度升 高值与由于所述命令信号(120)之一导致的所述集成电路(114、116)的温度升高相对应；温度降低估计电路034)，所述温度降低估计电路(234)包括输入036)，所述输入(236)在操作中用于接收计算出的管芯温度值(122)，以及输出038)，所述输出(238)提供温度降低值，所述温度降低值取决于在没有命令信号 (120)施加到所述集成电路(114、116)时温度降低的数学模型；以及温度计算电路040)，所述温度计算电路(MO)具有第一输入042)，所述第一输入( 被连接到所述温度升高估计电路(210)的所述输 出 02 ，第二输入044)，所述第二输入(M4)被连接到所述温度降低估计电路(234)的所述输 出(238)，以及输出046)，所述输出(M6)提供所述计算出的管芯温度值(122)。
2.根据权利要求1所述的温度估计电路，其中，所述温度计算电路(MO)包括计算器 048、250)，所述计算器(M8、250)用于根据至少一个在前的管芯温度值与所述一个或多 个温度升高值之和相加并且减去所述温度降低值来计算所述管芯温度值(122)。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的温度估计电路，其中，所述温度降低估计电路 (234)被布置成提供所述温度降低值，作为所述计算出的管芯温度值(12 与当没有命令 信号施加到所述集成电路时的估计管芯温度值的调整差。
4.根据权利要求3所述的温度估计电路，其中，使用具有可编程调整因子输入(256)的 调整器(254)来调整所述差。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的温度估计电路，其中，所述温度降低估计电路 (234)包括输入058)，所述输入(258)用于施加当没有命令信号(120)施加到所述集成电 路(114、116)时的所述估计管芯温度值。
6.根据在前权利要求中任一项所述的温度估计电路，其中，所述温度升高估计电路 (210)包括一个或多个开关060-268)，每个开关具有用于所述温度升高值(224-23 之一 的输入，每个温度升高值与由于所述命令信号(120)之一导致的所述集成电路(114、116) 的温度升高相对应。
7.根据在前权利要求中任一项所述的温度估计电路，其中，所述温度升高估计电路 (210)包括一个或多个输入，所述一个或多个输入在操作中用于接收所述一个或多个温度 升高值(224-232)。
8.根据在前权利要求中任一项所述的温度估计电路，其中，所述集成电路(114、116)是存储器装置。
9.一种用于估计集成电路管芯(114、116)的温度的方法，包括接收(310) —个或多个通知信号(118)，每个通知信号与传递到所述集成电路(114、116)的命令信号(120)相对应，提供(31 —个或多个温度升高值(224-23 之和，每个温度升高值与由于所述命令 信号(120)之一导致的所述集成电路的温度升高相对应；提供(314)温度降低值，所述温度降低值取决于当没有命令信号(120)施加到所述集 成电路(114、116)时温度降低的数学模型；以及提供(316)计算出的管芯温度值(122)，所述计算出的管芯温度值(122)取决于所述一 个或多个温度升高值之和、所述温度降低值以及至少一个在前管芯温度值。
10.一种数据处理系统(100)，包括集成电路(114、116)和如权利要求1至9中任一 项所述的温度估计电路(200)以及数据处理装置(112)，所述数据处理装置(11 在操作中 用于向所述集成电路(114、116)发送一个或多个命令信号(120)并且向所述温度估计电路 (200)发送一个或多个对应的通知信号(118)。
11.根据权利要求10所述的数据处理系统，其中，所述数据处理装置(11 根据所述计 算出的管芯温度值(122)来调节每单位时间被发送到所述集成电路(114、116)的命令信号 (120)的数目。
12.—种安全关键系统G12)，包括如权利要求10或权利要求11所述的数据处理系 统(100)、如权利要求1至8中任一项所述的温度估计电路(200)或者使用如权利要求9所 述的方法。
13.一种交通工具010)，包括如权利要求12所述的安全关键系统012)、如权利要 求10或权利要求11所述的数据处理系统(100)、如权利要求1至8中任一项所述的温度估 计电路(200)或者使用如权利要求9所述的方法。
14.一种计算机程序产品，包括代码部分，所述代码部分在可编程设备上运行时执行 如权利要求9所述方法的步骤、或者用于实现如权利要求1至8所述的部分温度估计电路 (200)、或者用于实现如权利要求10或权利要求11所述的部分数据处理系统(100)。
全文摘要
本发明提供了一种用于估计集成电路管芯(114、116)温度的温度估计电路(200)，其包括温度升高估计电路(210)，所述温度升高估计电路(210)具有在操作中用于接收与传递到集成电路的命令信号(120)相对应的一个或多个通知信号(118)的一个或多个输入(212-220)以及提供一个或多个温度升高值(224-232)之和的输出(222)，一个或多个温度升高值(224-232)与由于命令信号(120)之一导致的集成电路(114、116)的温度升高相对应。电路(200)还可以具有温度降低估计电路(234)，其包括在操作中用于接收计算出的管芯温度值(122)的输入(236)以及用于提供温度降低值的输出(238)，所述温度降低值取决于在没有施加命令信号(120)时温度降低的数学模型。电路(200)可以具有温度计算电路(240)，其包括连接到温度升高估计电路(210)的输出(222)的第一输入(242)、连接到温度降低估计电路(234)的输出(238)的第二输入(244)以及提供计算出的管芯温度值(122)的输出(246)。
文档编号G01K7/42GK102112855SQ200880130594
公开日2011年6月29日 申请日期2008年7月30日 优先权日2008年7月30日
发明者亨利·克洛滕斯 申请人:飞思卡尔半导体公司