专利名称：锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及锇膜电阻线构成的电阻型原子氧传感器芯片的制造方法。
背景技术：
在低地球轨道(200 700 km)上，残余大气层中的主要成分——原子氧具 有很高的化学活性，对于航天器材料产生严重的剥蚀作用，而空间原子氧效应 的研究需要性能良好的检测装置进行探测。质谱仪、石英晶体微天平由于装置 复杂，尺寸、功耗较大，给航天器的携带带来困难，并且不能安装在航天器表 面的不同部位；牺牲样品称重法则只能在回收后确定原子氧累积通量，无法在 线监测；电阻型原子氧传感器因体积小、重量轻、功耗低、成本低廉、结构简 单可靠，适合多点连续在线监测，具有明显优势。
电阻型原子氧传感器主要包括银膜、碳膜、锇膜三种。银与原子氧反应率 高，检测灵敏度好，但是使用寿命短，而且在反应几十纳米后形成的固体银氧 化物层阻碍反应继续进行，导致传感器失效。碳的原子氧反应率受碳材料种类、 制备方法、表面形态影响很大，几种适用的碳材料原子氧反应率比银低一个数 量级，同时碳膜可做得较厚，由于反应产物为气态不会妨碍传感器的后期使用， 因此使用寿命更长。但是，某些碳材料的电阻响应线性度不好，导致碳膜原子 氧传感器还不成熟。锇的原子氧反应率比银低三个数量级，反应产物为挥发性 的氧化锇，因此更适合传感器的长期在轨测试，同时锇反应率的线性度很高， 测量误差很小。总体而言，锇膜电阻传感器的综合性能较优。但是，锇膜电阻 的制造过程比较困难。采用物理气相沉积(PVD)的方法沉积锇膜容易发生开 裂现象，最常见的裂隙是由不稳定的氧化锇夹杂引起的黑化。另外，由于锇的 电阻率较低(8.8xl(T8^m)，所以锇膜(尤其是具有长使用寿命的较厚锇膜) 的初始电阻值较低，原子氧测量的准确性差。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有工艺制备锇膜存在容易开裂、原子氧测量的 准确性差的问题；而提供一种锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法。
4本发明中锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法是按下述步骤完成的 一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上 电镀锇膜；三、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜后在锇膜表面形成线形的光刻 胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜， 经去胶后在基片表面形成锇膜电阻线；即得到锇膜电阻线原子氧传感器芯片。
步骤一中所述的基片是玻璃、氧化铝基片或硅片。
步骤二中将经步骤一处理的基片放入65 75i:的电镀液中，在电流密度为 1.0 2.5A/dn^条件下电镀获得厚度为20nm 100pm的锇膜，其中电镀液主要由 (NH4)20sCl6、丽2S03H、NH2S03NH4和水组成，(NH4)2OsCl6的浓度为5 15g/L， NH2S03H的浓度为20 30g/L， NH2S03NH4的浓度为5 15g/L;或者步骤二中 将经步骤一处理的基片放入70 85。C的电镀液中，在电流密度为0.5 2.5A/dm2 条件下电镀获得厚度为20nm 10(Him的锇膜，其中电镀液主要由Os04、 NH2S03H和水组成，电镀液的pH值43.5 14，Os04的浓度为l 3g/L，NH2S03H 的浓度为l 30g/L。
步骤二所述的电镀液中还包括去针孔剂，去针孔剂的浓度为0.01~10g/L。 所述的去针孔剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠或双氧水。
步骤三中所述的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。
步骤四中所述的电化学阳极溶解法为线性电势扫描法、恒电势电解法、微 分脉冲伏安法、方波伏安法、交流伏安法或方波电势法。
步骤五中所述的湿化学法刻蚀金膜为碘化钾刻蚀、双氧水刻蚀或氰化物刻蚀。
本发明通过电镀方法形成的锇膜电阻线表面光滑平整，无微裂纹和针孔， 成分是纯锇，和底层结合力良好，膜层厚度可高达IOO微米，从而提供长期、
稳定、线性的原子氧检测性能。由于采用先进的光刻、电化学阳极溶解刻蚀锇
膜等方法，锇膜电阻线的线宽最小可达l(im，因此在有限的传感器芯片面积上， 锇膜电阻线可达到较高的初始电阻值，保证测量的准确性；用作检测原子氧通 量的传感器芯片。
本发明制得芯片的锇膜电阻线表面光滑平整、无微裂纹和针孔、线宽小、 厚度大、锇膜纯度高(可达100%),因此该原子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精度良好，原子氧反应率线性度高，可连续在线长期稳定工作。本发明的 方法工艺简单、操作方便。
图1是具体实施方式
五十一的锇膜电阻线的结构示意图；图2是具体实施 方式五十一电镀10分钟形成的锇膜/石英芯片断面的扫描电镜图；图3是具体 实施方式五十一电镀15分钟形成的锇膜/石英芯片断面的扫描电镜图；图4是具体实施方式
五十一锇膜表面的扫描电镜图；图5是具体实施方式
五十一刻蚀 锇膜时的线性电势扫描伏安曲线；图6是具体实施方式
五十二刻蚀锇膜时恒电 势电解的电流-时间曲线。
具体实施例方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式
，还包括各具体实施方 式间的任意组合。
具体实施方式
一本实施方式中锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法 是按下述步骤完成的 一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜； 二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜后在锇 膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、 再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后在基片表面形成锇膜电阻线；即得到锇膜电 阻线原子氧传感器芯片。
本实施方式制得芯片的锇膜电阻线表面光滑平整、无微裂纹和针孔、线宽 小、厚度大、锇膜纯度高(可达100%)，并锇膜电阻线的线宽最小可达lpm， 因此在有限的传感器芯片面积上该原子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精 度良好，原子氧反应率线性度高，可连续在线长期稳定工作，用作检测原子氧 通量的传感器芯片。
具体实施方式
二本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中所述 的基片是玻璃、氧化铝基片或硅片。其它步骤及参数与具体实施方式
一相同。
本实施方式中的玻璃可为石英玻璃、硼硅玻璃、钾玻璃、铝镁玻璃、铅玻 璃或钠玻璃等，例如K9玻璃、B270玻璃或超白玻璃等。
根据传感器芯片应用空间环境条件的不同，可在上述不同基片材料中选 择。如石英玻璃、硼硅玻璃具有良好的力学性质、耐高温性质和化学稳定性，
6非常适合空间苛刻环境中的应用。其中，低硼硅玻璃具有和铬相近的热膨胀系 数，在空间高低温交变环境中同镀层具有良好的结合力。
具体实施方式
三本实施方式与具体实施方式
一或二不同的是步骤一中
铬膜的厚度为2 50nm。其它步骤及参数与具体实施方式
一或二相同。
具有一定厚度的铬膜可起到过镀层的作用，改善金膜同基片之间的结合
力；但是，当铬膜的厚度过高时，铬膜本身电阻较小，该电阻同锇膜电阻并联 构成传感器芯片总的电阻，造成传感器电阻误差。因此，络膜厚度必须适当选 择，通过试验验证本实施方式的铬膜厚度使传感器具有良好综合性能。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
一或二不同的是步骤一中
铬膜的厚度为4 30nm。其它步骤及参数与具体实施方式
一或二相同。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
一或二不同的是步骤一中
铬膜的厚度为5 20nm。其它步骤及参数与具体实施方式
一或二相同。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
一至五不同的是步骤一中
金膜的厚度为2 30nm。其它步骤及参数与具体实施方式
一至五相同。
金膜是电镀锇膜时的导电基底，因此足够的厚度可保证镀层的均匀性；但 另一方面，当金膜的厚度过高时，金膜本身电阻很小，该电阻同锇膜电阻并联 构成传感器芯片总的电阻，造成传感器电阻误差。因此，金膜厚度必须适当选 择，通过试验验证本实施方式的金膜厚度使传感器具有良好综合性能。
具体实施方式
七本实施方式与具体实施方式
一至五不同的是步骤一中
金膜的厚度为4 20nm。其它步骤及参数与具体实施方式
一至五相同。
具体实施方式
八本实施方式与具体实施方式
一至五不同的是步骤一中
金膜的厚度为5 15nm。其它步骤及参数与具体实施方式
一至五相同。
具体实施方式
九本实施方式与具体实施方式
一至八不同的是:步骤二中
电镀锇膜是按下述步骤进行的将经步骤一处理的基片放入65 75。C的电镀液 中，在电流密度为1.0 2.5A/dn^条件下龟镀获得厚度为20nm 100^im锇膜； 其中电镀液由(NH4)2OsCl6、 NH2S03H、 NH2S03NH4和水组成，(NH4)20sCl6 的浓度为5 15g/L， NH2S03H的浓度为20~30g/L， NH2S03NH4的浓度为 5 15g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
一至八相同。
具体实施方式
十本实施方式与具体实施方式
九不同的是步骤二中将经
7步骤一处理的基片放入68 72。C的电镀液中。其它步骤及参数与
具体实施例方式
九相同。
具体实施方式
十一本实施方式与具体实施方式
九不同的是步骤二中将
经步骤一处理的基片放入7(TC的电镀液中。其它步骤及参数与
具体实施例方式
九相同。
具体实施方式
十二本实施方式与具体实施方式
九至十一不同的是步骤
二中电流密度为1.2~1.9A/dm2。其它步骤及参数与具体实施方式
九至H^—相 同。
本实施方式中当电流密度较大时，锇镀层的外观更加平整光亮，但是阴极 析氢现象更为严重，会导致沉积层同基片之间的结合力变差，从基片上剥离， 通过试验验证采用1.2 1.9A/dm2的电流密度综合性能最佳。
具体实施方式
十三本实施方式与具体实施方式
九至十一不同的是步骤
二中电流密度为1.7A/dm2。其它步骤及参数与具体实施方式
九至十一相同。
具体实施方式
十四本实施方式与具体实施方式
九至十三不同的是所述
的电镀液中还包括去针孔剂，去针孔剂的浓度为0.01 10g/L。其它步骤及参数
与具体实施方式
九至十三相同。
使电镀时产生的氢易于从电极表面脱离，防止镀层上孔隙的产生。
具体实施方式
十五本实施方式与具体实施方式
十四不同的是去针孔剂
的浓度为0.05 0.5g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
十四相同。
具体实施方式
十六本实施方式与具体实施方式
十四不同的是去针孔剂 的浓度为0.1g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
十四相同。
具体实施方式
十七本实施方式与具体实施方式
十四不同的是去针孔剂
的浓度为0.2g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
十四相同。
具体实施方式
十八本实施方式与具体实施方式
十四至十七不同的是去 针孔剂为十二垸基硫酸钠、十二垸基磺酸钠或双氧水。其它步骤及参数与具体 实施方式十四至十七相同。
具体实施方式
十九本实施方式与具体实施方式
一至八不同的是步骤二 中电镀锇膜是按下述步骤进行的将经步骤一处理的基片放入70 85。C的电镀 液中，在电流密度为0.5 2.5A/dm2条件下电镀厚度为20nm 10(Hmi锇膜；其中电镀液由Os〇4、 NH2S03H和水组成，电镀液的pH值43.5 14， Os04的浓 度为l 3g/L， NH2S03H的浓度为l 30g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
一至八相同。
具体实施方式
二十本实施方式与具体实施方式
十九不同的是步骤二中 将经步骤一处理的基片放入76 79'C的电镀液中。其它步骤及参数与具体实施 方式十九相同。
具体实施方式
二十一本实施方式与具体实施方式
十九不同的是步骤二 中将经步骤一处理的基片放入78。C的电镀液中。其它步骤及参数与具体实施
方式十九相同。
具体实施方式
二十二本实施方式与具体实施方式
十九至二十一不同的
是步骤二中电流密度为l.l 1.9A/dm2。其它步骤及参数与具体实施方式
十九
至二十一相同。
具体实施方式
二十三本实施方式与具体实施方式
十九至二十一不同的
是步骤二中电流密度为1.5A/dm2。其它步骤及参数与具体实施方式
十九至二
十一相同。
具体实施方式
二十四本实施方式与具体实施方式
十九至二十三不同的 是所述的电镀液中还包括去针孔剂，去针孔剂的浓度为0.01~10g/L。其它步
骤及参数与具体实施方式
十九至二十三相同。
使电镀时产生的氢易于从电极表面脱离，防止镀层上孔隙的产生。
具体实施方式
二十五本实施方式与具体实施方式
二十四不同的是去针
孔剂的浓度为0.05~0.5g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
二十四相同。
具体实施方式
二十六本实施方式与具体实施方式
二十四不同的是去针
孔剂的浓度为0.1g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
二十四相同。
具体实施方式
二十七本实施方式与具体实施方式
二十四不同的是去针 孔剂的浓度为0.2g/L。其它步骤及参数与具体实施方式
二十四相同。
具体实施方式
二十八本实施方式与具体实施方式
二十四至二十七不同的 是去针孔剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠或双氧水。其它步骤及参数 与具体实施方式
二十四至二十七相同。
具体实施方式
二十九本实施方式与具体实施方式
一至二十八不同的是步骤三中所述的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。其它步骤及参数与具体实 施方式一至二十八相同。
具体实施方式
三十本实施方式与具体实施方式
一至二十九不同的是步 骤四所述的电化学阳极溶解法为线性电势扫描法、恒电势电解法、微分脉冲伏 安法、方波伏安法、交流伏安法或方波电势法。其它步骤及参数与具体实施方 式一至二十九相同。
具体实施方式
三十一本实施方式与具体实施方式
一至三十不同的是所
述的电化学阳极溶解法刻蚀锇膜用的电解液是浓度为0.005 1Omol/L的硫酸溶
液。其它步骤及参数与具体实施方式
一至三十相同。
具体实施方式
三十二本实施方式与具体实施方式
三十、三十一不同的是
所述的线性电势扫描法的扫描电势上限控制为相对于饱和甘汞电极0.7 1.4 伏，扫描次数为1 10次。其它步骤及参数与具体实施方式
三十、三十一相同。
具体实施方式
三十三本实施方式与具体实施方式
三十二不同的是所述 的线性电势扫描法的扫描电势上限控制为相对于饱和甘汞电极1.2伏，扫描电
势下限控制为相对于饱和甘汞电极0.3伏。其它步骤及参数与具体实施方式
三
十二相同。
具体实施方式
三十四本实施方式与具体实施方式
三十二不同的是所述 的线性电势扫描法的扫描电势上限控制为相对于饱和甘汞电极1.0伏，扫描电 势下限控制为相对于饱和甘汞电极0.5伏。其它步骤及参数与具体实施方式
三 十二相同。
具体实施方式
三十五本实施方式与具体实施方式
三十二不同的是所述 的线性电势扫描法的扫描电势上限控制为相对于饱和甘汞电极0.9伏，扫描电
势下限控制为相对于饱和甘汞电极0.7伏。其它步骤及参数与具体实施方式
三
十二相同。
具体实施方式
三十六本实施方式与具体实施方式
三十、三H""—不同的是
所述的恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极0.7 1.4伏，电势 恒定时间为2 1800秒。其它步骤及参数与具体实施方式
三十、三十一相同。
具体实施方式
三十七本实施方式与具体实施方式
三十六不同的是所述
的恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极0.8~1.2伏。其它步骤及参数与具体实施方式
三十六相同。
具体实施方式
三十八本实施方式与具体实施方式
三十六不同的是所述 的恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极1.1伏。其它步骤及参 数与具体实施方式
三十六相同。
具体实施方式
三十九本实施方式与具体实施方式
三十六不同的是所述 的恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极1.0伏。其它步骤及参 数与具体实施方式
三十六相同。
具体实施方式
四十本实施方式与具体实施方式
三十六不同的是所述的 恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极0.9伏。其它步骤及参数 与具体实施方式
三十六相同。
具体实施方式
四H"^ — 本实施方式与具体实施方式
三十六至四十不同的 是电势恒定时间为5~1000秒。其它步骤及参数与具体实施方式
三十六至四 十相同。
具体实施方式
四十二本实施方式与具体实施方式
三十六至四十不同的 是电势恒定时间为20 500秒。其它步骤及参数与具体实施方式
三十六至四 十相同。
具体实施方式
四十三本实施方式与具体实施方式
三十六至四十不同的 是电势恒定时间为200秒。其它步骤及参数与具体实施方式
三十六至四十相 同。
具体实施方式
四十四本实施方式与具体实施方式
三十六至四十不同的 是电势恒定时间为100秒。其它步骤及参数与具体实施方式
三十六至四十相 同。
具体实施方式
四十五本实施方式与具体实施方式
一至四十四不同的是
所述的锇膜电阻线的线宽为1 2000^im。其它步骤及参数与具体实施方式
一至
四十四相同。
具体实施方式
四十六本实施方式与具体实施方式
四十五不同的是所述
的锇膜电阻线的线宽为400pm。其它步骤及参数与具体实施方式
四十五相同。
具体实施方式
四十七本实施方式与具体实施方式
四十五不同的是所述
的锇膜电阻线的线宽为200pm。其它步骤及参数与具体实施方式
四十五相同。
具体实施方式
四十八本实施方式与具体实施方式
四十五不同的是所述 的锇膜电阻线的线宽为100pm。其它步骤及参数与具体实施方式
四十五相同。
具体实施方式
四十九本实施方式与具体实施方式
四十五不同的是所述
的锇膜电阻线的线宽为50pm。其它步骤及参数与具体实施方式
四十五相同。
具体实施方式
五十本实施方式与具体实施方式
一至四十九不同的是步 骤五中所述的湿化学法刻蚀金膜为碘化钾刻蚀、双氧水刻蚀或氰化物刻蚀。其 它步骤及参数与具体实施方式
一至四十九相同。
具体实施方式
五十一本实施方式中锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造
方法是按下述步骤完成的 一、用物理气相沉积法在30mmx20mmx 1.5mm的 石英玻璃上依次沉积2 50nm铬膜和2 30nm金膜；二、将经步骤一处理的石 英玻璃放入65 75"C的电镀液中，在电流密度为1.0~2.5A/dm2条件下电镀 10 15min在金膜表面上获得锇膜；其中电镀液由(NH4)2OsCl6、 NH2S03H、 NH2S03NH4、水和十二烷基硫酸钠(作为去针孔剂)组成，(NH4)2OsCl6的浓 度为5 15g/L， NH2S03H的浓度为20 30g/L， NH2S03NH4的浓度为5 15g/L， 十二烷基硫酸钠的浓度为0.1g/L;三、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜后在锇 膜表面形成100pm线宽的线形光刻胶图案；四、然后采用线性电势扫描法溶 解锇膜，以0.05mol/L的硫酸溶液做为刻蚀锇膜的电解液，扫描电势范围为相 对于饱和甘汞电极0.8 1.0伏，扫描速度为lmV/s;五、再用碘化钾刻蚀金膜， 经去胶后即在基片表面形成线宽为100pm锇膜电阻线(见图l);即得到锇膜 电阻线原子氧传感器芯片。
本实施方式的步骤三中使用了正性光刻胶。
由图2和图3可见，随电镀时间改变锇膜厚度分别达到0.2|_im和0.4^m， 且各层之间结合良好。由图4可以看出锇膜表面光滑平整，无微观裂纹。
本实施方式的步骤四中相应的伏安曲线如图5所示，可以看出在电势扫描 的大部分过程中明显的阳极电流峰用于锇膜的溶解，而在扫描结束前阳极电流 下降到很小的数值，说明锇膜已基本溶解完全。
具体实施方式
五十二本实施方式与具体实施方式
五H^—不同的是步骤 四采用恒电势电解法溶解锇膜，以0.05md/L的硫酸溶液做为刻蚀锇膜的电解 液，电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极l.O伏，电势恒定时间为100秒。其
12它步骤及参数与具体实施方式
五十一相同。
本实施方式的步骤四中相应的电流-时间曲线如图6所示，可以看出在前
25秒的时间范围内明显的阳极电流峰用于锇膜的溶解，而在随后的时间内阳
极电流则迅速下降为零，说明锇膜已经溶解完全。
权利要求
1、锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法是按下述步骤完成的一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜后在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后在基片表面形成锇膜电阻线，得到锇膜电阻线原子氧传感器芯片。
2、 根据权利要求1所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其 特征在于步骤一中所述的基片是玻璃、氧化铝基片或硅片。
3、 根据权利要求1或2所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法， 其特征在于步骤二中将经步骤一处理的基片放入65 75"C的电镀液中，在电流 密度为1.0 2.5A/dn^条件下电镀获得厚度为20nm 100pm的锇膜，其中电镀 液主要由(NH4)20sCl6、 NH2S03H、 NH2S03NH4和水组成，(NH4)20sCl6的浓度 为5~15g/L， NH2S03H的浓度为20~30g/L， NH2S03NH4的浓度为5 15g/L; 或者步骤二中将经步骤一处理的基片放入70 85。C的电镀液中，在电流密度为 0.5 2.5A/dm2条件下电镀获得厚度为20nm 100)am的锇膜，其中电镀液主要由 Os04、 NH2S03H和水组成，电镀液的pH值-13.5 14， Os04的浓度为1 3g/L， NH2S03H的浓度为l~30g/L。
4、 根据权利要求3所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其 特征在于所述的电镀液还包括去针孔剂，去针孔剂的浓度为0.01 10g/L。
5、 根据权利要求4所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其 特征在于所述的去针孔剂为十二垸基硫酸钠、十二烷基磺酸钠或双氧水。
6、 根据权利要求l、 2、 4或5所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制 造方法，其特征在于步骤三中所述的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。
7、 根据权利要求6所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其 特征在于步骤四中所述的电化学阳极溶解法为线性电势扫描法、恒电势电解 法、微分脉冲伏安法、方波伏安法、交流伏安法或方波电势法；电化学阳极溶 解法刻蚀锇膜用的电解液是浓度为0.005 10mol/L的硫酸溶液。
8、 根据权利要求7所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于所述的线性电势扫描法的扫描电势上限控制为相对于饱和甘汞电极0.7 1.4伏，扫描次数为1 10次。
9、 根据权利要求7所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其 特征在于所述的恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘荥电极0.7 1.4 伏，电势恒定时间为2 1800秒。
10、 根据权利要求l、 2、 4、 5、 7、 8或9所述的锇膜电阻线原子氧传感 器芯片的制造方法，其特征在于步骤五中所述的湿化学法刻蚀金膜为碘化钾刻 蚀、双氧水刻蚀或氰化物刻蚀。
全文摘要
锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，它涉及锇膜电阻线构成的电阻型原子氧传感器芯片的制造方法。本发明解决了现有工艺制备锇膜存在容易开裂、原子氧测量的准确性差的问题。本发明方法如下一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜；二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、在锇膜表面形成线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜，经去胶后即在基片表面形成锇膜电阻线。本发明制得芯片的锇膜电阻线表面光滑平整，无微裂纹和针孔，线宽小，厚度大，因此该原子氧传感器芯片的初始电阻较高，测量精度良好，原子氧反应率线性度高，可连续在线长期稳定工作。本发明的方法工艺简单、操作方便。
文档编号G01N27/12GK101561407SQ20091007201
公开日2009年10月21日 申请日期2009年5月13日 优先权日2009年5月13日
发明者刘向鹏, 姜利祥, 涛 李, 铮 贾 申请人:哈尔滨工业大学