用于测量介质中压力的压力传感器的制作方法

文档序号:6157965阅读:252来源:国知局
专利名称:用于测量介质中压力的压力传感器的制作方法
用于测量介质中压力的压力传感器
相关申请
本申请要求于2008年7月31日申请的美国临时申请No.61/137,469和于 2008年11月10日申请的欧洲专利申请No,EP08168746的优i^又。 狀领域
本发明一^涉及混合电子元件,更^^地涉及用于压力传感器的压力传 感器才狭,并且更^^地涉A^露至酸性环嫂的a^压力传感器。该传感器模 块包括安^支撑构件的前侧上的传感元件。该支撑构件包括从前侧至背侧穿 过支撑构件的孔,并且传感元件在前侧^bt^该孔。
背景絲
从W02002/079742已知上面提到类型的压力传感器模块。已知的压力传感 器^fe^^l于计量压差结构。两个相同的传感H^^^被用于测量两种介质 的压差。每个结构都包括孔。该孔穿it^"HW皮传感元件覆盖的衬底。由于两 *感元件位于相同的室中,两M感元件的另"H^感测到相同的参考压力, 通常为大气压。附加的入口可以穿过压力传感器的外壳,以便向该室提供大气 压。在该开;^构中,水蒸^,污染物可以自由ilk^室中。
被设定为4^a和高压的压力介质通过单独的压力入口itAJf壳,并且经由
穿过衬底的3Wt用于传感元件上.
另外,类似的压力传感器^fel已知的,其中穿过衬底的孑L用抗酸^^填 充,以便使传感元件与污染物和酸lUf嫂隔离。
通孔可以由^t切割制成。在陶瓷中^b5t切割出通孔是在^^电子元件中 扭实施的经济的工艺。然而,由于在陶瓷的表面上生^^fa/或形成陶乾 的更易损坏的相(^Lf^^玻璃相),激光切割工艺会损坏陶瓷固有的对酸的鲁棒 性。当,M于酸性环嫂中时,比如柴油棚》气,没有,狄理的'^Jt切割表面可 能易i^皮化学腐蚀和侵蚀。即使当利用保护性涂^#絲孔时,该^Ut切割表
面也可能易i^皮化学腐蚀和侵蚀。该化学腐蚀和侵烛将 ^^性涂层的特性, 这可能会导^b&力传感器的故障。

发明内容
本发明的目的是提^""种压力传感器模块,该压力传感器^^HH^排气 环嫂中的酸性M具有M的鲁棒性。
才娥本发明,压力传感器舰的支撑构條包括在支撑构件的背侧处的背 侧屏障,该背侧屏障围绕包括孔的支撑构件的背侧的表面 成封闭区域,其 中封闭区錄孔形雖力通道,以及
i^虑器的需要。当i^虑器,iLi:满时,細&虑器需要周期性再生。为了敝该 再生过禾呈并为了满;i车栽诊断系统(obd)要求,需要测量过滤器上的压降。
这可以通it^于MEMS的压差传感器实现。基于MEMS的压差传感器的传感 元件需要被保护免受排^1^嫂的影响。为此,^JD保护性的舰。该m^提 供对于沉积物的机械隔离,并JU4^^对传感元件的保护以免受凝结水的损害。 在前俯爆露的传感元件的情况中,i^t常通it^传感元件周围布置^^障或 障糊并JL^用保护性a^填充由^^障形成的室实现。为了保护^fW附 传感元件,穿过支撑构件的孔的^^^作m^障,并且由孑L形成的室填絲 保护性舰。
A^i^虑H^前的排气压力作用于传感元件的一侧,并且A^i^虑H4L^ 的排^力作用于传感器的^ftMC ^X^逸虑器^U^kit;虑浙气,使得炭 烟it)虑ll^的排^^有较小的侵蚀性,并且填充了保护性舰的通^L^产品 寿命期间为传感元件提供了充^f呆护。保护性m的量应足以保护传感元件不 受化学腐蚀的损害。然而,已级现,尽管^A^i^虑IK^的排气具有较
更tfe4^1化。通孔的贿约束是孔中絲性m的更'fet退化的原因。已经 发现,在孔的壁附近t化孔的中部,保护性:^^被污染的更厉害。保护性m 的最初退化出SUt陶资的表面、排n^M^性^5^目接触的点附近的区域中。 原因之一是由于潮充切割工艺的孔的表面结构。在没有背侧屏障的情况下,水
穴将出m^L窄通孔中的舰中。该水穴包括NOx气。该7jC^舰中引起机
械应力,该M应力随后作用于传感元件上。经过更长的时间,水穴使m退 化,从而在皿中出 蚀和水泡,导致传感器工作不正常。^^露于,&虑^^前的排气压力的传感元件的另 一侧上的凝胶保护中 也已^5i^到类似的退^^L制。然而,在该侧处的退4M几制緩艮得多,不在边 狄开始,并且不导致输出故障。
才缺本发明,通过背侧屏障克mit些问题,该背侧屏障至少部^b真絲 保护性皿。这扩大了暴露于排气的皿的表面和孔的壁之间的距离。这确保 了皿中的水穴出5W更艮。
另外,即使a^被污染,背侧屏障的壁附近的颗粒或水^传感器的性能 的影响^Mf是较小的,U因为背侧屏障的相对壁之间的距离大于孔的壁之间 的3巨离。
在本发明的一个实施例中,孔的横截面从支撑构件的背侧至前侧变宽,并 且在另一个实施例中,孔的表面至背侧的过渡具有平滑的形状。凝IU^具有高 热膨胀系数(CTE)的粘性物质。排气的压力的变化必须在宽的温度范围上没 有任何信号损失#^传感元件。在温度改变的情况中,该特征减小了压力 通道中的才械阻力,因为孔中的^^可以膨 歸,不会在传感元件上产生 太多的应力。狄改进了压力传感器的精度辆4定性。
在本发明的一个实施例中,背侧屏障附M支撑构件。该特征允^Ht过两 个经济制造的部件构造压力通道,这两^NP件例如是^C^合在^的陶瓷印刷 (PWB)和陶资环。
在本发明的另一实施例中,通过一块诸如陶乾材料的材,成支撑构件和 背侧屏障。ii^许i^t将^^障附^^支撑构件的制造步骤。
在本发明的另一实施例中,通ii^M^給剂(a bead of adhesive )形成背侧 屏障。
在本发明的另一实施例中,支撑构件是陶瓷PWB, ^^有在前侧处i^并 电连接至传感元件的导电元件。^i^,导电元件包^"金属。该特;W小了 由于作用于前侧的排气导致的酸NH^的影响。利用贵金属进一步絲了导电 it件的"f棒性。
在本发明的另一实施例中,传感元件;La差传感元件。在M实施例中, 传感元件;i孩財几电系统(MEMS)压差传感元件。该特征允许我们^供M的 压差传感器,其可以用于测量例如在排气系统中的,&虑器上的压降。
在另 一实施例中,传感器还包括围绕传感元件的前侧屏障和前#脉护构件,些特4iE^供了具有对存在于压力传感器的两侧处的酸性a^:的鲁棒性的压 差传感器。
在本发明的一个实施例中,背侧屏障中背侧上的封闭区域大于支撑构件中 孔的区域。这允许用足够的保护性皿填充压力通道,以减小污染物的形成和 影响,该污染物可以是通孔中 中的水穴。
在本发明的一个实施例中,其中M传感元件的背,'脉护构件的最小厚度
间的最小距离。
通断支撑构件的背侧增加^^障、优^ftit孔的形状、并将压力通道填 ^L够的保护性皿,增大了^^面相对于m高度的比,增大了^l^面 和传感元件之间的距离,增大了m的表面接触侧壁处的位置和传感元件之间 的足巨离。
在本发明的一个实施例中,通过包括下面步骤的方法改进了通孔的ii^

将支撑构件的温度以选定速率从大约25 'C的环境温度升高至大约1300 °C+/-100°C,
将温度##在大约1300 'C处大约一个小时,以及 以i^的速率将陶^J件的温度斷^'J环嫂温度。该工艺将受^^h理的
在本发明的另 一实^例中,通it^工艺制造支撑构件:、其中i过^N^在 支撑构件中形成孔。已^JUiitit种工艺获得的通孔的ii^"有比通it^ 切割工艺获得的通孔的ii^更不易损坏的表面紋理。
本发明的另一目的是提^-种包紛卜壳辆Mt本发明的压力传感器模块的
^ii的压力传感器装置。


下面利用示范性的实施例,参照相关附图,更详细地讨论本发明,其中 图1示出了才^tm实施例的压力传感器模夹的剖视图; 图2示出了#^怖^实施例的压力传感器装置的剖视图; 图3示出了压力传感器^i且件的iW图;图4示出了陶乾衬底的# 见图,其中多个单独的陶瓷支撑构件e^^t切
割和划线,以用于压力传感器才势夹;
图5示出了对没有受退火工艺处理的标准^t切割通^i^t^测^J^的 酸测试结果;以及
图6示出了对受退火工艺处理的通^i^t^测"j^^的酸测條果;以及
图7示出了背,脉护构件的一些尺寸要求。
M实施方式
参照图1和图2,并##本发明的优逸实施例,用于测量酸性介质中的流体 压力的压力传感器才缺具有安^t孔7上方的支撑构件5的前侧3上的流体 压力响应传感元件1,并JL^支撑构件的相对侧或背侧上的通孔周围iU背侧屏 障6或皿障顺。屏障6 M孔7 ^^填絲背,'脉护构件2。该^W)于作 为子组件,其拟捐作压力传感器或装置之前^^装于传感器外壳中。图2示 出了包樹^tM实施例的压力传感器^ 30的压力传感器装置的剖浮见图。图 1示出了在图2中示出的压力传感器模块的"~^分的剖视图。例如,模块30可 在排气系统中被用作压差传感器,以测量炭烟过滤器上的压降。优选通过 MEMS压差传感元件1测量压差'这种传感器^W^^t^中是已知的。可^R 地,传感元件l可以具有薄膜、应变计或块珪计(bulk silicon gauge)的构造。
压力传感器模块30 M在它被^E^压力传感器装置的外壳20中之前被 完全制造。外壳20和压力传感器模块30形成第一压力室24和第二压力室25。 外壳包括第一入口21,通过该第一入口,具有第一压力的第一^^可以i^A^ 一压力室24。外壳还包括第二入口22,通过该第二入口,具有第二压力的第二 ^t^可以iiA^二压力室25。第一^^例如是在細i^虑^^的排气,并且 第二^/^是在細近虑^^前的排气。外壳20还包括用于賴传感器电子元件 的单独的腔26。该腔与第 第二压力室分离,以使传感器电子元件23的部件 与排气的酸性环嫂隔离。
通过密封剂或^^r^^t的粘结材料,传感元件1附^支撑构件5的
前侧3。支撑构件5优选由陶资材料制成,例如96%的AL203陶资材料。可替 可以使用纯AL203陶乾或^^适的陶乾材料的支撑构件5。支撑构件5 包括从支撑构件5的前侧3至支撑构件5的背侧9的通孔7。传感元件1密封覆 盖前侧3处的孔7,以便形成支撑构件5的两#摘之间的密封。通孔7可以利用C02^t器的激光切割制造。通it^结工艺也可以制成具有通孔7的支撑构 件。然后以通常已知的方式,通it/^莫型中的挤M支撑构件中形成孔7。在烧 结过程中形成孔的优点在于与通it^t切割工艺制造^f目比,孔包括较不易损 坏的表面玟S^/或陶^目(ceramic phase )。
在支撑构件中形^it孔7的另一方iU^在陶瓷面板的焙^^前利用工具压 印穿过支撑构件,即所谓的绿色状态冲孔(green state punching),
在^ I中,压力作用于传感元件的两侧,并JL^差导致传感元件1的隔膜 结构的形式的变化。这种形式上的改变引起传感元件的测量中的阻抗变化,这 种阻抗变化由安^t支撑构件5上的传感器电子元件23放大和调节。
焊线(wire bonds) 14辦感元件1电连接至导电元件(例如支撑构件5 上的迹线13 )。 M地,迹线13和焊线14由贵金属制成,以便i^目对于由于 支撑构件5的两侧处的流体所产生的酸I4J^^;导致的化学腐蚀和侵蚀的特性。 具有导电元件的支撑构件形成陶瓷印刷^WL,在该陶乾印刷^^Ji,可粘 结电子元件23以便形成电子电路23。该电子电游被布置成感观,J传感元件的一个 或多个电特性,并JH个或多个电特性调节和转^JU于车辆的电子控制单 元中的输出信号。
压力传感器模块30包括在支撑构件5的前侧3处的前侧屏障4。前侧屏障 4围绕传感元件1, 雌,该腔部^t真絲前,'K^构件11。寸錄构件 11具有电^#性,并JLfJ^传感元件1的"H^以;5L^前侧屏障4之间的前侧 表面的一^分。保护构件ll^f^A皿,且旨传感元件1免受通it^二压力 室25中的第二入口 22引入的污染物的影响。前侧屏障4^W俩脉护构件11 在合适的位置。"皿"^^义为固体中的液体的胶态悬浮物,以形成与^f目 比更偏向固体形式的胶^H"料。^^被^^选择^Mt确传逸压力室中的压力, 同时使传感元件与恶劣的周围棘隔离。该^^例如可以是Shin-EteuStfel,其 在40。C斗135'C的温度范围上^柔软,且不在传感元件1 Ji^加附加的压力。 该^R^t排^T^^力。寸錄构件2旨传感元件1免受排气的冷凝物的 影响,该排气的冷凝物为酸性冷凝物。另外,保护构件形賴于細颗津沐其 粒的才械隔离物,该^1^丰^^ 5粒会损坏4感元件1和/或^f吏传感 元件1不正常工作。
压力传感器模块30还包括在支撑构件5的背侧3处的背侧屏障6。该背侧屏障6围^孔7,絲成封闭区域8,该封闭区域8部分i^真充有背俯J^^构
旨构件2伏i4^m,且^M^传感元件:免受通it^一压力室24中的第一入 口 22引入的污染物的影响。背侧屏障6保持背,'脉护构件2在合适的位置。
由背侧屏障6围绕的孔7 M闭区域8形^力通道10。该压力通道10 允许在第一压力室24中传逸£力,以便怍用于传感元件1 。
前侧屏障4和背侧屏障6可以是围绕结构。该围绕结构的形状可以是如图3
所示的大体正方形,或者大体圆柱形的,或者可以具有^^r^^适的形状。
屏障4、 6to由与支撑构件5相同的材辨'J成。该屏障to由陶资材辨'J成。
前侧屏障4为在导电元件13或i^C蚀刻于支撑构件5上^^^合至支 撑构件的结构。背,讽障6可以为净綠合至支撑构件5上的结构。在另一实施 例中,通过一块材料形成支撑构件5和背侧屏障6,例Mit^结工艺。
前和背侧屏障4、 6可以是例如96。/o氧化铝的固,件,或者例如^ft的 Sifel 604粘合剂的弹1"生体(柔性元件)。在阵性体的情况中,屏障4、 6可以在 离散的分配和固化步骤中进行处理,或者与^H^护构件2、 ll共固化。
支撑构件5中的通孔7可以具有 匕平^^#,所iiii^垂直于支撑构 件5的前侧3和背侧9。才娥本发明,由背侧屏障6包围的支撑构件5的背侧9 的表面积大于支撑构件5的背侧9的表面中的通孔7的面积。温度的 将导 致压力通道10中旨构件2的膨絲收缩。保护构件2至侧壁的粘合将导致由 于热膨絲赠引起的应力。从支撑构件5的背#滚面9魏孔7的表面的过 〉;i^面12的形状将确定热应力至传感元件1的传递。
通过具有皿面从前侧3至背侧9变宽的通孔7 (换句"^i兌,通孔7的##1 面随着与传感元件1的距离的增加而变宽),可以进一步改善由通孔7和背侧屏 障6的封闭区域8形成的压力iii复10中的保^构件2的热应力。该特4iEii—步 具有以下优点,它提供的压力iiii将较小的由于絲于所^U材料膨胀系数的 不同温度而导致的Wi应力引AJ'J传感元件1上。
图3示出了压力传感器^ia件30的前侧的iW图。在支撑构件5的前侧 上的是传感元件l。支撑构件是陶瓷PWB,在该陶瓷PWB上蚀刻导电元件或 13。通iifcf线14, ##感元件1电i^^至导电;^件13。前,游障4附^ 支撑构件5的前侧。导电元件13在前侧屏障4的下面通至电子电路23,以用于将从传感元件1获得的电信号转^^示所测量的压差的信号指示。
图4示出了陶资衬底31的 图,其中多个单独的陶瓷支撑构件32已被 6切割和划线,以用于如在图1-3中示出的压力传感器模夹。该陶资村^it 用于^i比处理。参考才射己33指示用于分离M陶瓷支撑构件32的a划线。 ^-个单个支撑构件32都包括陶瓷中的通孔34。提供该通孔34以用于^^口 的压力接形'j达传感元件表面,该传感元件表面M陶瓷支撑构件32的一侧处 的通孔34。
通it^t工艺或绿色状态成形可以穿过其形iUt孔34,其中在形成陶资衬 底31的烧结工艺过程中形成孔34。
才娥本发明的另一实施例,通过使陶资:构件进^t火工艺的处理,以便使 ^t切割表面退火(温度和时间),从而将受g处理的表面ii^部分从更易损 坏的表面紋理和/或陶^目转M更牢固的表面紋理和/或陶^目,陶资:构件的陶
瓷边^^fH皮改变,以^J^t于酸的鲁棒性,以用fiH。柴油发动^i^气的酸
性跳
图5示出了具有没有退;^t理的标准^^刀割通孔的一个陶t^I件在受到 酸测^后显示出了陶變询件的边缘上的化学腐蚀的证据50的视图。
可以如下形成陶资衬;^j件
获得96。/oAL203陶资村;^件(带4^!或滚筒压紧)。 应用乳剂以控制' *切割工艺中产生的熔渣。
在陶资:衬;^件中加工通孔的构造(利用C02^bt器'^bt切割)。
在陶资衬颇件中加工划,造,以用于^面的阶^i行划分(利用C02
絲器财絲切割)。 漂洗以移除乳剂。
退火工艺包4舌下面的步骤
按照典型的35'C/min, ^Uf嫂温度(25°C )升到igJC温度。 退火温度1300'C+/-100 °C。 IUf嫂棘空气f议够了。 用于退火的时间最少一小时。 按照典型的35t:/min,城火温度^U环嫂温度。
在退火工艺之后,扭/f亍下面的步骤,以便将导电元件(也#>61迹线)以及电子电路附^'J支撑构件上 厚膜印刷 丝网印刷第一导沐。 干麟一械
在850匸+/-50°(:下烧制第一*。
丝网印刷第二*。
干棘二械
在850\>/-50匸下烧制第二导沐。
丝网印刷电介质厚膜。
干燥电介质厚膜。
在850匸+/-50匸下烧制电介质厚膜。 然后^J沐感器。
才娥上面所述的步骤制造样品,并且如下与不进^^統理的^^耕 品一^itft^测试。 测试+羊品
控制样品在附M MEMS管芯的96%的铝陶乾衬/^件中形成标准的 '^bt切割通孔,在陶變通孔的背烦'J/MEMS管芯的背侧中填:^ Sifel (用于电 灌注材料的Shin-Eteu的注册商标)8070皿。
退火测耕品如在控制样品中一样,在陶乾衬颇件中形錄、准的航 切割通孔,M如上面所述的额夕卜地受到1300X:的处理一小时。附^MEMS 管芯,并且在陶乾通孔的背,'J/MEMS管芯的背侧填充Stfd 8070 ■。
如下是测试*:
在l.OpH的酸性^^的瓶子中^^测"iW品,该^^主要包括硝酸、 乙酸和m。在120小时的总时间段中,该样品在瓶子中被从25'C至95 'C又回到25。C热循环四次,其中在95 。C^^一个小时。雄中移走样品、漂 洗、检查,并JU射聂如在图5和6中所示的图像。
图6示出了陶乾构件的视图,该陶f ^件HL^有标准的'^t切割通孔,但 利用后il^h理,以俊政善表面紋S^/或傻进陶瓷的更加酸I"生鲁棒相结构的发 展,并且示出了^ii行了相同的酸测^J^,没有对陶乾构件的*的化学腐 蚀的iiE^。代替温度退火工艺,二妙工辨、化学蚀刻或化学处理可絲用来組 表面紋理和/或去除或减小陶资构件的更易损坏的相。通孔的绿色状态成形(替 代^t切割)也可以在用或不用二次退火、加工、化学蚀刻或其他化学处理的 情况下<^1 ,以便避免或减小陶资构件的更易损坏的相的形成。
图7示出了关于支撑构件5的背侧9处的保护构件2的尺寸要求。保护构 件2具有响应于背侧屏障6的表面的凹入的弯月面。弯月面的底部限定了保护 构件相对于传感元件l的最小厚度dl。换句话说,dl是在背侧9处穿过保护构 件2的排气和传感元件的表面之间的最小距离。另外,d2是由背,'旨构件2 覆盖的传感元件1的表面和与支撑构件9的背侧重合的平面之间的最小距离。 已经发现,如果最小厚度dl等于或大于d2,由排^通孔7中的保护构件2 的腐蚀,也ltl水穴的出现,^^ 小了。该要求确保背,游障6之间的支 撑构件5的背侧9的表面似有一些保护性m。因为在弯月面接触背侧屏障 的位置附近的旨构件2中发现保护构件的退化的第一指示,^it孔7中的保 护构件退^^前将花费更多的时间。这延长了压力传感器的寿命。
上面描述的实施例涉;SJE差传感器模块。应注意到,本发明可^UU于提供 ^tii的抗酸的压力传感器。在这种情况中,压力传感器装置可以仅包括第一压 力室24,该第一压力室具有入口 21,以^^许加压的酸性^#*^一压力室 24。该压力穿过通孔7作用于传感元件1的一侧上。预先限定^^皮调节的压力 作用于传感元件的其他侧。该预先限定^4皮调节的压力来自于非酸性环境。这 允许我们^D较不昂贵的材辨为焊线14和导电元件13。另外,不需要前侧屏 障4和前,W^构件11来保护压力传感器^ 30的前侧3用于酸性和受污染
的环境。这种压力传感器,具有可以在^^j:于传感器外壳中以前被制造
和测试的优点。
乂;Hf了传感器4狭的背侧ji^力通絲舰室的可^a的A^r形状。可替 代的胁形状提供了具有对传感器模块的背侧上的睃性环嫂^ii的鲁棒性的改 进的压力传感器模块。i^t过将m障,或屏障添加至支撑构件的背侧并最
佳化压力通道的形状和/ilA寸以及皿的量而实现,^^障允许我们l)增
大^4面相对于m高度的比,也亏>61增大排^^传感元件之间的最小距离, 2)增大弯月面和传感元件之间的距离,3)增大皿的弯月面接触压力通道的
侧壁处的点与传感元件之间的距离,以及4)消R^a孔中的 中的可能的^位置。这些絲中的^""个都組了压力传感器^^t诸如排气环嫂中的酸性^m的"^棒性。
在上面通过示范性的实施例已经描述了本发明的几个实施例。本领域技术人员可以对关于这些实施例而被描述的元件进行^t修^变形,而不脱离通
过附加;M,J要求限定的本发明的范围。
权利要求
1、一种用于压力传感器的压力传感器模块,所述压力传感器模块包括安装在支撑构件的前侧上的传感元件;支撑构件,其包括从前侧至背侧穿过支撑构件的孔,并且传感元件在前侧处覆盖所述孔;支撑构件的背侧处的背侧屏障,其围绕支撑构件的背侧的表面并形成封闭区域,其中所述封闭区域和所述孔形成压力通道;以及填充所述孔和至少部分填充所述封闭区域的背侧保护构件。
2、 才^^5U'j要求1的压力传感器模块,其中所述孔的横戴面从前侧至背侧 变宽。
3、 才娥;M'J要求1的压力传感器模块,其中所述孔的表面至背侧的过渡具 有平滑的形状。
4、 ^^5^'J要求1的压力传感器模块,其中背侧屏障附^JJL撑构件。
5、 根据;M'漆求1的压力传感器才^,其中通过一块材料形成支撑构# 背侧屏障。
6、 #^ ']要求1的压力传感器模块,其中支撑构件是陶瓷PWB, M 有在前侧处设置并电连接至传感元件的导电元件。
7、 才M^M'J要求6的压力传感器模块,其中导电元件包^"金属。
8、 才娥^'漆求1的压力传感器模块,其中传感元件;La差传感元件.
9、 ## '要求8的压力传感器*,其中传感元件是MEMS压差传感 元件。
10、 4N^U'漆求8的压力传感器模夹,其中传感器还包括 围绕传感元件的前,溽障;以及前#脉护构件,^"有电^#性,并J^前侧屏障之间的传感元件和 前侧。
11、 才^^5U']要求1的压力传感器員,其中背侧屏障内的背侧上的封闭区域大于支撑构件中孔的区域,
12、 才M^a'J要求11的压力传感器模块,其中^A传感元件的背,H錄构 件的最小重舍的平面之间的最小距离。
13、根据权利要求1的压力传感器模块,其中通过包括下面步骤的方法改进了通孔的边缘状况将支撑构件的温度以选定速率从大约25℃的环境温度升高至大约1300℃-t-/-100℃, 将温度保持在大约1300℃处大约—个小时,以及 以选定的速率将陶瓷构件的温度降低到环境温度。
14、根据权牙幅球1的压力传感器模决,其中通过喷射模塑工艺制造支撑构件,其中通过铸模在支撑构件中形成孔。
15、—种包括外壳和根据权利要求1的压力传感詈墨模块的压力传感器装置。
16、—种用于压力传感器的压力传感器模块,所述压力传感器模块包括安装在陶瓷支撑构件的前侧上的传感元件,所述支撑构件具有从前侧至背侧穿过陶瓷支撑构件形成表面边缘部分的孔,传感元件在前侧处覆盖所述孔;其特征在于通过包括下面步骤的方法处理通孔的所述表面边缘部分将支撑构件的温度以选定速率从大约25℃的环境温度升高至大约1300℃+/-100℃,将温度保持在大乡勺1300℃处大约—个小时,以及将陶瓷构件的温度以选定的速率降低至环境温度。
17、根据权牙悸球16的压力传感器模块,还包括附装在支撑构件的背侧处的背侧屏障,所述背侧屏障围绕支撑构件的背侧的表面并形成封闭区域,其中所述封闭区域和所述孔形成压力通道,并且背侧保护构件填充所述孔并至少部分填充所述封闭区域。
18、—种包未舌夕卜壳和憾蜘燃16的压力传感器模决的压力传感器装置。
全文摘要
公开了一种压力传感器模块。该压力传感器模块包括安装在支撑构件(5)的前侧(3)上的传感元件(1)。支撑构件(5)包括从前侧(3)至背侧(9)穿过支撑构件(5)的孔(7)。传感元件(1)在前侧(3)处覆盖孔(7)。在支撑构件(5)的背侧(9)处提供的背侧屏障(6)围绕支撑构件(5)的背侧(9)的表面,并形成封闭区域(8),其中封闭区域(8)和孔(7)形成压力通道(10)。背侧保护构件(2)填充孔(7)和至少部分封闭区域(8)。支撑构件(5)、背侧屏障(6)和背侧保护构件(2)形成在压力传感器的制造过程中可被布置在压力传感器的外壳中的模块。
文档编号G01L13/00GK101685037SQ20091021160
公开日2010年3月31日 申请日期2009年7月31日 优先权日2008年7月31日
发明者F·莫辛克, G·斯皮克斯玛, J·贝, S·P·马利根, T·特伯克霍斯特 申请人:森萨塔科技公司
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