一种霍尔芯片磁通量测试装置的制作方法

文档序号:5873281
专利名称:一种霍尔芯片磁通量测试装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种霍尔芯片磁通量测试装置,以在S0T23封装测试时对量产的霍尔 芯片进行磁通量的测试。
背景技术
霍尔效应是磁电效应的一种,当电流以垂直于外磁场的方向通过位于该磁场中的 导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这种现象叫做霍 尔效应。霍尔传感器即是利用霍尔元件基于霍尔效应原理而将被测量的物理量(如电流、 磁场、位移、压力等)转换成电动势输出的一种传感器。其结构简单,体积小,无触点,可靠 性高,易微型化,因此,在测量技术中得到了广泛的应用。在霍尔产品的生产过程中,需要对 霍尔产品进行磁通量的测试。目前在霍尔产品的磁通量测试中,通常通过对被测霍尔芯片施加外磁场的方法实 现对其磁通量的测试。一般采用双线圈加磁和单线圈加磁两种方法施加外磁场,双线圈加 磁方法是将双线圈安装于测试夹具两边,将被测芯片平行放置于两线圈之间(如图4所 示),两线圈产生的磁场穿过被测芯片;而单线圈加磁方法是将线圈水平放置于水平面上, 将被测芯片平行放置于该线圈之上(如图5所示),单线圈产生的磁场穿过被测芯片。在 S0T23封装测试中,由于传统S0T23封装测试分选机并没有安装磁场,因此无法对霍尔芯片 进行磁通量的测试。并且传统的S0T23封装测试分选机的测试头和吸嘴部分都是导磁性材 料制成的,因此即便在S0T23封装测试中对霍尔芯片施加磁场以进行磁通量测试,前述所 使用的导磁性材料会在加磁后被永久磁化,导致在不产生外加磁场的时候,也会有剩磁出 现,从而带来测试偏差,产生误判。

发明内容
本发明的目的在于提供一种可用于在S0T23封装测试中实现磁通量测试的霍尔 芯片磁通量测试装置。本发明的一种用于S0T23封装测试分选机的霍尔芯片磁通量测试装置包括测试 支架;固定在所述测试支架的上端的测试座;设置在所述测试座中用于放置被测霍尔芯片 的测试夹具;与所述测试夹具电连接的多个金手指;位于所述金手指上方的盖板,所述金 手指固定在所述盖板与所述测试座之间;以及绕在所述测试支架上的线圈。此外,所述线圈为单线圈。所述测试夹具的高度与所述线圈的上端表面齐平。所 述测试支架由铝制成。所述测试夹具由铜制成。所述测试座由环氧树脂制成。所述盖板由 环氧树脂制成。所述测试座通过玻璃螺丝固定在所述测试支架上。所述金手指通过玻璃螺 丝固定在所述盖板与所述测试座之间。通过本发明的霍尔芯片磁通量测试装置对传统S0T23封装测试分选机进行加磁, 以在S0T23封装测试中实现对霍尔芯片的磁通量测试。本发明还采用非导磁性材料对霍尔芯片磁通量测试装置的部分部件进行了无磁化改造,消除了剩磁现象,减少了测试偏差和误判,以实现准确的磁通量测试。


图1示出了本发明的霍尔芯片磁通量测试装置的示意图。图2示出了使用本发明霍尔芯片磁通量测试装置的转盘式测试分选机的整体结 构示意图。图3示出了图2中的测试分选机的转盘部分的正视图。图4示出了采用双线圈进行加磁的示意图。图5示出了采用单线圈进行加磁的示意图。附图标记1、测试装置 2、测试座3、测试夹具 4、线圈5、金手指6、盖板7、螺丝8、螺丝9、测试支架 10、分选机11、转盘12、吸嘴13、底座14、工作台
具体实施例方式以下结合附图与实施例对本发明的技术方案作进一步的详细描述。如图1所示,示出了根据本发明的用于S0T23封装测试分选机的霍尔芯片磁通量 测试装置1。该测试装置1包括一测试支架9 (如图2所示),在该测试支架上绕有一线圈 4,且在该测试支架的上端安装有一测试座2,测试座2通过螺丝8固定在测试支架上。在该 测试座2中设有一用于放置被测霍尔芯片的测试夹具3。该测试装置1还包括与测试夹具 3电连接以便与放置在该测试夹具3中的被测芯片的各引脚分别电性接触的两排金手指5, 所述金手指即是被测芯片引脚与外部测试线路的连接部件,所有的信号都是通过金手指进 行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成,因其表面镀金而且导电触片排列如手指 状,所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金,因为金的 抗氧化性极强,而且传导性也很强。此外,该测试装置1还包括分别位于两排金手指5上方 的两个盖板6,每个金手指5分别通过一个螺丝7固定在测试座2与盖板6之间。在本发明中,通过对传统S0T23封装测试分选机加磁而实现对霍尔芯片磁通量的 测试。在该测试装置1中采用的线圈4为单线圈。S0T23封装测试分选机采用转盘式的结 构,如图2所示,该测试分选机包括工作台14,位于工作台14上的底座13,测试装置1通过 其测试支架9安装在底座13上,以及位于该测试装置1上方的转盘11 (如图3所示),转盘 11中设有多个沿其圆周均勻分布的吸嘴12。各被测芯片通过吸嘴12依次被送至测试装置 1的测试夹具3上,此种测试分选机的结构导致不能采用双线圈加磁方法对S0T23封装测试 分选机进行加磁。因此,在本发明中,采用了单线圈加磁方法对S0T23封装测试分选机进行 加磁。在本发明中,将单线圈4的两个接头接入测试仪(图未示)中,可由测试仪改变线圈4的输入电流的大小,来控制该线圈4产生的外加磁场的磁通量的大小。单线圈4产生 的磁场在该线圈的圆心内部为一个垂直于线圈横截面的均勻磁场,距离线圈表面越远磁场 将衰减越快,形成的磁力线为曲线,将不再是垂直于线圈表面。所以,被测霍尔芯片的表面 与线圈表面平行并靠近于线圈圆心内部将会得到一个很好的磁场提供给霍尔芯片。本实施 例中该测试装置1设置为使测试夹具3的高度与线圈4的上端齐平,以当被测霍尔芯片通 过转盘11中的吸嘴12放置在测试夹具3中并压紧以跟金手指5接触良好时,该芯片下表 面与线圈4上端表面齐平。此装置完全做到在进行霍尔芯片磁通量测试时使外加磁场垂直 通过霍尔芯片,做到最精确的磁感应强度测量。其具体的磁通量测试原理如下给被测霍尔 芯片的输入脚加上一个高电平,此时该芯片的输出脚也为高电平,然后对线圈4通电以给 该霍尔芯片加上外加磁场,该外加磁场由小变大,当输出脚电平由高变低时,这个点的磁场 强度即为所需测的工作点磁场强度,然后减小磁场,当输出脚电平由低变高时,这个点的磁 场强度即为所需测的释放点磁场强度,工作点磁场强度与释放点磁场强度之间的差值即为 该霍尔芯片的磁宽。在该测试中,将测得的磁宽和测试规范比较是否在量程内,若在测试规 范范围内则为合格的霍尔芯片,否则即为不合格的霍尔芯片。在霍尔芯片磁通量测试中,传统测试分选机测试头所用的导磁材料会因施加外加 磁场而被永久磁化,当线圈不产生磁场时,也会有剩磁出现。而在本发明的测试装置1中, 用于供线圈4缠绕的测试支架9是用非导磁性材料铝制成。用于放置霍尔芯片的测试夹具 3是用非导磁性材料铜制成。设有测试夹具3的测试座2以及位于金手指5上方的盖板6 都是用非导电材料环氧树脂制成。且用于将金手指5固定于盖板6与测试座2之间的螺丝 7,及固定测试座2于测试支架9上的螺丝8都是用玻璃材料制成。因此,本发明采用非导 磁性材料对测试装置的部分部件进行了无磁化改造,消除了剩磁现象,减少了测试偏差和 误判,可获得准确的磁通量测试。以上实施例仅用于说明但不限制本发明。在权利要求的范围内本发明还有多种变 形和改进。凡是依据本发明的权利要求书及说明书内容所作的简单、等效变化与修饰,皆落 入本发明专利的权利要求保护范围。
权利要求
一种用于SOT23封装测试分选机的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述装置(1)包括测试支架(9);固定在所述测试支架的上端的测试座(2);设置在所述测试座(2)中用于放置被测霍尔芯片的测试夹具(3);与所述测试夹具(3)电连接的多个金手指(5);位于所述金手指(5)上方的盖板(6),所述金手指(5)固定在所述盖板(6)与所述测试座(2)之间;以及绕在所述测试支架(9)上的线圈(4)。
2.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述线圈(4)为单线圈。
3.根据权利要求2所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述测试夹具 (3)的高度与所述线圈(4)的上端表面齐平。
4.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述测试支架 (9)由铝制成。
5.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述测试夹具 (3)由铜制成。
6.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述测试座(2) 由环氧树脂制成。
7.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述盖板(6)由 环氧树脂制成。
8.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述测试座(2) 通过玻璃螺丝(8)固定在所述测试支架(9)上。
9.根据权利要求1所述的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述金手指(5) 通过玻璃螺丝(7)固定在所述盖板(6)与所述测试座(2)之间。
全文摘要
本发明涉及一种用于SOT23封装测试分选机的霍尔芯片磁通量测试装置(1),其特征在于,所述装置(1)包括测试支架(9);固定在所述测试支架的上端的测试座(2);设置在所述测试座(2)中用于放置被测霍尔芯片的测试夹具(3);与所述测试夹具(3)电连接的多个金手指(5);位于所述金手指(5)上方的盖板(6),所述金手指(5)固定在所述盖板(6)与所述测试座(2)之间;以及绕在所述测试支架(9)上的线圈(4)。通过本发明可在SOT23封装测试中对霍尔芯片进行磁通量测试。
文档编号G01R33/02GK101887106SQ20101020212
公开日2010年11月17日 申请日期2010年6月13日 优先权日2010年6月13日
发明者杨连宏, 罗立权 申请人:灿瑞半导体(上海)有限公司
再多了解一些
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