专利名称：中频强磁场测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种中频强磁场测量装置，特别是一种便携式中频强磁场测量装 置，属于磁场测量装置的改造技术。
技术背景 中频强磁场的测量是测量领域一个难题。目前的测量仪器大多针对恒定磁场，交 变磁场测量仪器一般可以测量低频的强磁场和高频的弱磁场，且缺少空间磁场多点测量存 储功能。
实用新型内容本实用新型的目的在于考虑上述问题而提供一种能测量中频强磁场，满足磁场测 量要求的中频强磁场测量装置。本实用新型能将测量处理后所得的数据上传到上位机，通 过上位机中的专用软件进行磁场重构再现。本实用新型的技术方案是本实用新型的中频强磁场测量装置，包括有中央控制 处理模块、传感器模块、信号输入处理模块、频率测量模块、幅值测量模块、键盘及显示模 块，其中信号输入处理模块的输入端与置于被测对象中的传感器模块的信号输出端连接， 信号输入处理模块的输出端分别与频率测量模块及幅值测量模块的输入端连接，频率测量 模块及幅值测量模块的输出端与中央控制处理模块的输入端连接，中央控制处理模块还连 接有键盘及显示模块。上述中央控制处理模块的输出端还通过USB通信接口模块与上位机连接。上述中央控制处理模块包括芯片LM3S1138及其外围电路。上述信号输入处理模块包括两个二极管Dl、D1，8个电阻Rl、R2、R3、R4、R12、R13、 R14、R17，模拟开关芯片74HC4052，两个运算放大器芯片TL074CD、TL072CD，四个电位器R6、 R7、R8、R9组成的差动放大电路，传感器输入端口 IN与二极管Dl的正极、二极管D2的负极、 电阻R17连接，放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlA的正输入端与电阻R17及电容C17 连接，电阻R12与放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlA的负输入端、输出端连接，电位 器R15与运算放大器UlA的负输入端、运算放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlB的负输 入端连接，电阻R13与运算放大器UlB的负输入端、输出端连接，电阻Rl与运算放大器UlA 的输出端、运算放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlC的负输入端连接，电阻R14与运算 放大器UlB的输出端、运算放大器UlC的正输入端、电阻R2连接，电阻R3与运算放大器UlC 的负输入端、输出端连接，电阻R4与运算放大器UlC的输出端、运算放大器芯片TL072⑶中 的运算放大器U2A的负输入端、电位器R6、R7、R8、R9的一端连接，模拟开关芯片U6与电位 器R6、R7、R8、R9另一端、运算放大器UlA的输出端连接。上述频率测量模块包括运算放大器芯片TL072⑶、LM393，双D型正沿触发器芯片 74F74，三极管Q1，电阻R11，电位器R5、R16，运算放大器芯片TL072CD中的运算放大器U4A 的负输入端与运算放大器U4A的输出端、运算放大器芯片TL072⑶中的运算放大器U5A正输入端连接，运算放大器U5A的负输入端接地，电位器R5与运算放大器U5A和电阻Rll连 接，三极管Ql的基极与电阻Rll连接，三极管Ql的集电极与电源连接，三极管Ql的发射极 与电位器R16、双D型正沿触发器芯片74F74中的触发器U7A连接，双D型正沿触发器芯片 74F74中的触发器U7A与双D型正沿触发器芯片74F74中的触发 器U7B连接。上述幅值测量模块包括3个运算放大器芯片U2B、U3A、U3B，两个电阻R18、R10，四 个电容C18、C9、C13、C14，两个二极管D3、D4，电阻R18、电容C18与运算放大器U2B的正输 入端连接，电容C9与运算放大器U2B的输出端、二极管D3的正极、二极管D4的负极连接， 电容C13、C14、电阻RlO并联与二极管D3、D4的另一端、运算放大器U3A的正输入端、U3B正 输入端连接，运算放大器U3A的负输入端与输出端、运算放大器U3B的负输入端与输出端连 接。上述键盘及显示模块包括九个电阻Rl、R9、RIO、RlU R12、R14、R26、R27、R28，电 解电容C7，三个电容C10、C14、C16，二极管D5，蜂鸣器LS1，三极管Q1，按键S1、S2、S 3、S4、 S5，电位器R3，IXD接口，芯片LM3S1138，电阻Rl —端与电源连接，另一端与电解电容C7、 IXD的接脚17连接，电位器R3 —端接电源，一端接地，另一端与IXD接口的接脚19连接， IXD接口的接脚1、15两脚接地、IXD接口的接脚2接电源，IXD接口的接脚4、5、6分别与芯 片LM3S1138的接脚22、23、24连接，电阻R9、RIO、Rll、R12的一端接电源，另一端分别与按 键 S2、S3、S4、S5 以及芯片 LM3S1138 的接脚 61、60、59、58 连接，按键 S2、S3、S4、S5 的另一 端接地，电容CIO、C16两端分别与芯片LM3S1138的接脚69、68、57、56连接，电阻R14的一 端接电源，另一端与芯片LM3S1138的接脚64、电容C14、按键Sl连接，电容C14与按键Sl 并联后另一端接地，二极管D5与蜂鸣器LSl并联后一端接电源，另一端通过电阻R26与三 极管Ql的集电极连接，电阻R27的一端与芯片LM3S1138的接脚25连接，另一端与三极管 Ql的基极连接，电阻R28分别与三极管Ql的基极、发射极连接，并且三极管Ql的发射极接 地。上述USB通信接口模块包括芯片CH375，四个电容C20、C19、C27、C28，两个电阻 R21、R22，一个晶振Y2，一个发光二极管DSl，电容C20的一端接电源，另一端与芯片CH375 的接脚2连接，电阻的一端接地，另一端与芯片CH375的接脚5连接，电容C27、C28并联一 端接地，另一端分别与晶振Y2的两端、芯片CH375的接脚13、14连接，电容的一端接地，另 一端与芯片CH375的接脚18、电源连接，放光二极管DSl的正极通过电阻R22接电源，负极 与芯片CH375的接脚24连接，芯片CH375的其他接脚与中央控制处理模块连接。上述传感器模块为交变磁场传感器，由螺线绕制的若干电感线圈构成。本实用新型由于采用包括中央控制处理模块、传感器模块、信号输入处理模块、频 率测量模块、幅值测量模块、键盘及显示模块及USB通信接口模块的结构，能测量中频强磁 场，满足磁场测量要求。此外，本实用新型中频强磁场测量装置能将测量处理后所得的数据 上传到上位机，通过上位机中的专用软件进行磁场重构再现。本实用新型测量装置可测量 频率0HZ-150KHZ，值幅10GS-500G8是中频交变磁场，并对磁场数据进行处理、重构再现磁 场，且操作简单、抗干扰能力强、线路简单、功耗低。本实用新型与现有技术相比，具有如下 优点1)自制电感线圈传感器及标定。探头在材料、结构、线径、外观工艺和连接传输线 等方面采取特殊措施，具有良好抗干扰措施，可以精确检测高中频的强磁场；[0015]2)数据采集与抗干扰传送。在测量仪中采用去除最大值、最小值，最后取平均值的 方法获得采集数据，并通过PWM调制的方式传送，有很强的抗干扰能力； 3)数据分析管理及显示。上位机采用计算机，将采集的空间磁场数据通过USB 口 传送通讯，自动进行线性度分析处理，误差分析处理，空间磁场显示，数据归档、调用和打 印，数据分析管理自动优化；4)测量装置能测量中频强磁场，满足磁场测量要求；5)测量装置提供点、平面、空间三种测量方式，满足各种测量的需求；6)测量装置提供方便快捷的点删除及补测方式，可轻松修正测量过程中测错的数 据；7)测量装置提供磁场最大方向确定方法，可方便、准确的确定被测磁场的方向；本实用新型是一种设计巧妙，性能优良，方便实用的中频强磁场测量装置，应用于 任何中频强磁场的生产和生活中，可用于医疗、科研院所、检测监督机构、工厂和电力等部 门。
图1为本实用新型的原理框图；图2为本实用新型与上位机及与被测对象的接线图；图3为本实用新型中中央控制处理模块的电路图；图4为本实用新型中信号输入处理模块的电路图；图5为本实用新型中频率测量模块的电路图；图6为本实用新型中幅值测量模块的电路图；图7为本实用新型中键盘及显示模块的电路图；图8为本实用新型中USB通信接口模块的电路图。
具体实施方式
实施例本实用新型的原理框图如附图1所示，本实用新型的中频强磁场测量装置，包括 有中央控制处理模块11、传感器模块12、信号输入处理模块13、频率测量模块14、幅值测量 模块15、键盘及显示模块16，其中信号输入处理模块13的输入端与置于被测对象中的传感 器模块12的信号输出端连接，信号输入处理模块13的输出端分别与频率测量模块14及幅 值测量模块15的输入端连接，频率测量模块14及幅值测量模块15的输出端与中央控制处 理模块11的输入端连接，中央控制处理模块11还连接有键盘及显示模块16。上述中央控制处理模块11的输出端还通过USB通信接口模块17与上位机2连接。上述中央控制处理模块11包括芯片LM3S1138及其外围电路，芯片LM3S1138为图 中的集成块U2。上述信号输入处理模块13包括两个二极管Dl、Dl，8个电阻Rl、R2、R3、R4、R12、 R13、R14、R17，模拟开关芯片74HC4052，两个运算放大器芯片TL074CD、TL072CD，四个电位 器R6、R7、R8、R9组成的差动放大电路，传感器输入端口 IN与二极管Dl的正极、二极管D2 的负极、电阻R17连接，放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlA的正输入端与电阻R17及电容C17连接，电阻R12与放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlA的负输入端、输出端连 接，电位器R15与运算放大器UlA的负输入端、运算放大器芯片TL074⑶中的运算放大器 UlB的负输入端连接，电阻R13与运算放大器UlB的负输入端、输出端连接，电阻Rl与运算 放大器UlA的输出端、运算放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlC的负输入端连接，电阻 R14与运算放大器UlB的输出端、运算放大器UlC的正输入端、电阻R2连接，电阻R3与运算 放大器UlC的负输入端、输出端连接，电阻R4与运算放大器Ul C的输出端、运算放大器芯片 TL072⑶中的运算放大器U2A的负输入端、电位器R6、R7、R8、R9的一端连接，模拟开关芯片 U6与电位器R6、R7、R8、R9另一端、运算放大器UlA的输出端连接。上述频率测量模块14包括运算放大器芯片TL072⑶、LM393，双D型正沿触发器芯 片74F74，三极管Q1，电阻R11，电位器R5、R16，运算放大器芯片TL072⑶中的运算放大器 U4A的负输入端与运算放大器U4A的输出端、运算放大器芯片TL072⑶中的运算放大器TOA 正输入端连接，运算放大器U5A的负输入端接地，电位器R5与运算放大器U5A和电阻Rll 连接，三极管Ql的基极与电阻Rll连接，三极管Ql的集电极与电源连接，三极管Ql的发射 极与电位器R16、双D型正沿触发器芯片74F74中的触发器U7A连接，双D型正沿触发器芯 片74F74中的触发器U7A与双D型正沿触发器芯片74F74中的触发器U7B连接。上述幅值测量模块15包括3个运算放大器芯片U2B、U3A、U3B，两个电阻R18、R10， 四个电容C18、C9、C13、C14，两个二极管D3、D4，电阻R18、电容C18与运算放大器U2B的正 输入端连接，电容C9与运算放大器U2B的输出端、二极管D3的正极、二极管D4的负极连接， 电容C13、C14、电阻RlO并联与二极管D3、D4的另一端、运算放大器U3A的正输入端、U3B正 输入端连接，运算放大器U3A的负输入端与输出端、运算放大器U3B的负输入端与输出端连 接。上述键盘及显示模块16包括九个电阻Rl、R9、RIO、Rll、R12、R14、R26、R27、R28， 电解电容C7，三个电容C10、C14、C16，二极管D5，蜂鸣器LS1，三极管Q1，按键S1、S2、S3、S4、 S5，电位器R3，IXD接口，芯片LM3S1138，电阻Rl —端与电源连接，另一端与电解电容C7、 IXD接口的接脚17连接，电位器R3 —端接电源，一端接地，另一端与IXD接口的接脚19连 接，IXD接口的接脚1、15两脚接地、IXD接口的接脚2接电源，IXD接口的接脚4、5、6分别 与芯片LM3S1138的接脚22、23、24连接，电阻R9、RIO、Rll、R12的一端接电源，另一端分别 与按键S2、S3、S4、S5以及芯片LM3S1138的接脚61、60、59、58连接，按键S2、S3、S4、S5的 另一端接地，电容CIO、C16两端分别与芯片LM3S1138的接脚69、68、57、56连接，电阻R14 的一端接电源，另一端与芯片LM3S1138的接脚64、电容C14、按键Sl连接，电容C14与按键 Sl并联后另一端接地，二极管D5与蜂鸣器LSl并联后一端接电源，另一端通过电阻R26与 三极管Ql的集电极连接，电阻R27的一端与芯片LM3S1138的接脚25连接，另一端与三极 管Ql的基极连接，电阻R28分别与三极管Ql的基极、发射极连接，并且三极管Ql的发射极 接地。IXD接口为图中的集成块U8。上述USB通信接口模块17包括芯片CH375，四个电容C20、C19、C27、C28，两个电阻 R21、R22，一个晶振Y2，一个发光二极管DSl，电容C20的一端接电源，另一端与芯片CH375 的接脚2连接，电阻的一端接地，另一端与芯片CH375的接脚5连接，电容C27、C28并联一 端接地，另一端分别与晶振Y2的两端、芯片CH375的接脚13、14连接，电容的一端接地，另 一端与芯片CH375的接脚18、电源连接，放光二极管DSl的正极通过电阻R22接电源，负极与芯片CH375的接脚24连接，芯片CH375的其他接脚与中央控制处理模块11连接。CH375是USB通讯芯片，它完成测量仪与上位机2的USB通讯。CH375为图中的集成块U3。上述传感器模块12为交变磁场传感器，由螺线绕制的若干电感线圈构成。本实施例中，上述中央控制处理模块11的芯片LM3S1138及其外围电路是整个系 统的控制、数据处理枢纽，通过软件设计完成信号的放大、信号幅值测量、信号频率采集、数 据的计算与存储、数据的管理与上传。上述信号输入处理模块13是一个仪用差动放大电路，首先传感信号从IN输入，接 地时为了使外部传感器探头与整个系统有共同的参考点位；Dl和D2是将输入信号钳位在 正负5V，防止Pl过大的输入而损坏放大器。该放大电路采用对称的同相放大器，具有很高 的输入电阻，从而降低信号在信源上的损耗；当R12和R13、R1和R14、R3和R2匹配精度较 高时电路具有很高的共模抑制比；电路放大倍数由R15决定Avf = (1+20/R15)。从差动放大输出的信号将通过一个由控制器控制的自动放大电路。TO为一个通道 选择器，通过S0、S1的电平不同分别4组不同的通道输入，比方说SOSl = 00，则选择IYO作 为输入端，从IZ输出，SOSl = 01，则选择IYl作为输入端，从IZ输出。本电路中有4组不 同的输入即可以自动选择4种不同的放大倍数(具体放大倍数由电位器R6、R7、R8、R9阻 值决定)，以便后面数据采集和处理。标号T0_FREQ将接入频率测量模块，并同时连接幅值 测量模块。上述频率测量模块14中，标号为T0_FREQ的接脚与信号输入处理模块连接。首先 通过电压跟随器提高输入阻抗降低前级损耗，然后是LM393过零比较，由于其时集电极开 路输出，所以必需接以上拉电阻(电位器R5)以输出高电平，后面74F74是D触发器分频。 FREQl、FREQ2、FREQ4分别代表不分频、2分频、4分频。上述幅值测量模块15从自动选择放大输出的信号有较大输出阻抗，接入电压跟 随器即可以提高下一级的输入阻抗，从而减少信号在前一级的损耗；再者，电压跟随的输出 阻抗小，能有较大的负载驱动能力去驱动微控制器的模数转换引脚。U3A、U3B两个电压跟 随器并联，其输入电阻减半，但是相对于前一级较小的输出阻抗已经够用，该电路的关键是 电路的输出阻抗更小，则驱动下一级的能力更强。标号PEAK1、PEAK接入中央控制处理模块 11。上述USB通信接口模块17中，标号为CS、INT0、WR、RD、A0的接脚分别与中央控制 处理模块11中芯片LM3S1138的41、41、43、44、47管脚相连，标号为D0-D7的接脚分别与中 央控制处理模块11中芯片LM3S1138的26、27、28、29、30、31、34、35相连。本实用新型工作原理将传感器置于被测磁场中，选择相应测量模式(点、平面或 空间)后，按下“下移”键，便自动完成一个点的测量及存储，进入下一点的测量状态，当测 量完成后，可通过USB通讯线连接到上位机2。本实用新型的中频强磁场测量装置可通过“功能”、“取消”、“上移”、“下移”键，实 现下列功能1)查看、删除、插入测量数据，确定磁场方向；2)设置磁场单位；3)开启/关闭USB通讯；4)设置数据存储空间；[0052]5)选择点、平面、空间等磁场测量方式；本实用新型中的TL074⑶是运算放大器，它为测量仪的信号输入构成三运放差动 输入电路；TL072CD运算放大器构成信号的放大电路及电压跟随电路；LM393运算放大器构 成过零比较电路，完成正弦信号转化成方波；74F74是双D型正沿触发器，它构成2倍、4倍 分频电路，降低方波的频率；74HC4052是模拟开关芯片，实现放大倍数的选择；LM3S1138芯 片是整个系统的控制枢纽，主要完成信号幅值和频率采集、数据计算与存储、数据的管理与 上传；CH375通讯芯片完成测量仪与上位机的USB通讯；IXD12864是8*4液晶显示屏，完成 各种显示功能；本实用新型中频强磁场测量装置工作时，在测量状态传感器采集磁场信号从IN 端输入，经TL074⑶构成的差分放大、TL072⑶构成的程控放大及电压跟随隔离后，分两路 测量一路经整流滤波后，测量直流电压；另一路通过LM393过零比较、74F74分频后测量频 率。获得的两个测量值在LM3S1138中进行相关运算处理和存储，同时由IXD12864显示；在 数据上传状态时，测量仪将数据从LM3S1138中取出通过CH375通讯芯片经USB接口上传到 上位机专用软件中，进一步完成存储、处理及分析工作。
权利要求一种中频强磁场测量装置，其特征在于包括有中央控制处理模块(11)、传感器模块(12)、信号输入处理模块(13)、频率测量模块(14)、幅值测量模块(15)、键盘及显示模块(16)，其中信号输入处理模块(13)的输入端与置于被测对象中的传感器模块(12)的信号输出端连接，信号输入处理模块(13)的输出端分别与频率测量模块(14)及幅值测量模块(15)的输入端连接，频率测量模块(14)及幅值测量模块(15)的输出端与中央控制处理模块(11)的输入端连接，中央控制处理模块(11)还连接有键盘及显示模块(16)。
2.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述中央控制处理模块 (11)的输出端还通过USB通信接口模块(17)与上位机(2)连接。
3.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述中央控制处理模块 (11)包括芯片LM3S1138及其外围电路。
4.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述信号输入处理模块(13)包括两个二极管Dl、Dl，8个电阻Rl、R2、R3、R4、R12、R13、R14、R17，模拟开关芯片 74HC4052，两个运算放大器芯片TL074CD、TL072CD，四个电位器R6、R7、R8、R9组成的差动放 大电路，传感器输入端口 IN与二极管Dl的正极、二极管D2的负极、电阻R17连接，放大器 芯片TL074⑶中的运算放大器UlA的正输入端与电阻R17及电容C17连接，电阻R12与放 大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlA的负输入端、输出端连接，电位器R15与运算放大器 UlA的负输入端、运算放大器芯片TL074⑶中的运算放大器UlB的负输入端连接，电阻R13 与运算放大器UlB的负输入端、输出端连接，电阻Rl与运算放大器UlA的输出端、运算放大 器芯片TL074⑶中的运算放大器UlC的负输入端连接，电阻R14与运算放大器UlB的输出 端、运算放大器UlC的正输入端、电阻R2连接，电阻R3与运算放大器UlC的负输入端、输出 端连接，电阻R4与运算放大器UlC的输出端、运算放大器芯片TL072⑶中的运算放大器U2A 的负输入端、电位器R6、R7、R8、R9的一端连接，模拟开关芯片TO与电位器R6、R7、R8、R9另 一端、运算放大器UlA的输出端连接。
5.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述频率测量模块(14)包 括运算放大器芯片TL072CD、LM393，双D型正沿触发器芯片74F74，三极管Ql，电阻Rll，电 位器R5、R16，运算放大器芯片TL072⑶中的运算放大器U4A的负输入端与运算放大器U4A 的输出端、运算放大器芯片TL072⑶中的运算放大器U5A正输入端连接，运算放大器U5A的 负输入端接地，电位器R5与运算放大器U5A和电阻Rll连接，三极管Ql的基极与电阻Rll 连接，三极管Ql的集电极与电源连接，三极管Ql的发射极与电位器R16、双D型正沿触发器 芯片74F74中的触发器U7A连接，双D型正沿触发器芯片74F74中的触发器U7A与双D型 正沿触发器芯片74F74中的触发器U7B连接。
6.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述幅值测量模块(15)包 括3个运算放大器芯片U2B、U3A、U3B，两个电阻R18、R10，四个电容C18、C9、C13、C14，两个 二极管D3、D4，电阻R18、电容C18与运算放大器U2B的正输入端连接，电容C9与运算放大 器U2B的输出端、二极管D3的正极、二极管D4的负极连接，电容C13、C14、电阻RlO并联与 二极管D3、D4的另一端、运算放大器U3A的正输入端、U3B正输入端连接，运算放大器U3A 的负输入端与输出端、运算放大器U3B的负输入端与输出端连接。
7.根据权利要求1所述的中高频强磁场测量装置，其特征在于上述键盘及显示模块(16)包括九个电阻RU R9、RIO、RlU R12、R14、R26、R27、R28，电解电容 C7，三个电容 C10、C14、C16，二极管D5，蜂鸣器LSI，三极管Q1，按键Si、S2、S3、S4、S5，电位器R3，LCD接口， 芯片LM3S1138，电阻Rl —端与电源连接，另一端与电解电容C7、IXD的接脚17连接，电位 器R3 —端接电源，一端接地，另一端与IXD接口的接脚19连接，IXD接口的接脚1、15两脚 接地、IXD接口的接脚2接电源，IXD接口的接脚4、5、6分别与芯片LM3S1138的接脚22、 23,24连接，电阻R9、R10、R11、R12的一端接电源，另一端分别与按键S2、S3、S4、S5以及芯 片LM3S1138的接脚61、60、59、58连接，按键S2、S3、S4、S5的另一端接地，电容CIO、C16两 端分别与芯片LM3S1138的接脚69、68、57、56连接，电阻R14的一端接电源，另一端与芯片 LM3S1138的接脚64、电容C14、按键Sl连接，电容C14与按键Sl并联后另一端接地，二极管 D5与蜂鸣器LSl并联后一端接电源，另一端通过电阻R26与三极管Ql的集电极连接，电阻 R27的一端与芯片LM3S1138的接脚25连接，另一端与三极管Ql的基极连接，电阻R28分别 与三极管Ql的基极、发射极连接，并且三极管Ql的发射极接地。
8.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述USB通信接口模块 (17)包括芯片CH375，四个电容C20、C19、C27、C28，两个电阻R21、R22，一个晶振Y2，一个发 光二极管DS l，电容C20的一端接电源，另一端与芯片CH375的接脚2连接，电阻的一端接 地，另一端与芯片CH375的接脚5连接，电容C27、C28并联一端接地，另一端分别与晶振Y2 的两端、芯片CH375的接脚13、14连接，电容的一端接地，另一端与芯片CH375的接脚18、电 源连接，放光二极管DSl的正极通过电阻R22接电源，负极与芯片CH375的接脚24连接，芯 片CH375的其他接脚与中央控制处理模块(11)连接。
9.根据权利要求1所述的中频强磁场测量装置，其特征在于上述传感器模块(12)为交 变磁场传感器，由螺线绕制的若干电感线圈构成。
专利摘要本实用新型是一种中频强磁场测量装置。包括有中央控制处理模块(11)、传感器模块(12)、信号输入处理模块(13)、频率测量模块(14)、幅值测量模块(15)、键盘及显示模块(16)，其中信号输入处理模块(13)的输入端与置于被测对象中的传感器模块(12)的信号输出端连接，信号输入处理模块(13)的输出端分别与频率测量模块(14)及幅值测量模块(15)的输入端连接，频率测量模块(14)及幅值测量模块(15)的输出端与中央控制处理模块(11)的输入端连接，中央控制处理模块(11)还连接有键盘及显示模块(16)。本实用新型可测量频率1HZ-200KHZ，值幅10GS-500GS是中频交变磁场，并对磁场数据进行处理、空间磁场多点测量存储，且操作简单、抗干扰能力强、线路简单、功耗低。
文档编号G01R33/02GK201740859SQ20102024392
公开日2011年2月9日 申请日期2010年6月29日 优先权日2010年6月29日
发明者吴黎明, 唐劲天, 唐露新, 王桂棠, 罗正海, 陈辉 申请人:广东工业大学