旋转角度检测传感器的制作方法

文档序号:6001491阅读:733来源:国知局
专利名称:旋转角度检测传感器的制作方法
技术领域
本发明涉及一种非接触型的旋转角度检测传感器,该旋转角度检测传感器能够利用永磁铁与磁传感器检测两部件之间的相对的旋转角度。
背景技术
作为此类旋转角度检测传感器,存在一种旋转角度检测传感器,该旋转角度检测传感器具备圆柱形的永磁铁;以及多个磁传感器,该多个磁传感器轴向上远离该永磁铁的一端面的位置配置于同一圆周上。对于此类旋转角度检测传感器,在意欲检测相对的旋转角度的两个部件中,在一方的部件固定永磁铁,在另一方的部件固定多个磁传感器,并将这两个部件的相对的同心旋转的旋转角度变换成永磁铁的旋转磁场,此类旋转角度检测传感器还具备处理电路,该处理电路通过利用对多个磁传感器之间的输出差的运算来求出该旋转角度。当进行所述固定时,尽可能地将永磁铁的中心线、配置有多个磁传感器的圆周的中心、以及两个部件的相对旋转的旋转中心配置成位于同一直线上(专利文献1)。以往,使用对圆柱形的成形体沿径向进行了两极磁化的磁铁作为永磁铁。此类永磁铁以包含圆柱状的中心线的轴向平面为边界,在其一半具有N极,在剩余的一半具有S 极。多个磁传感器形成为通过检测磁通密度来检测旋转角度。尽量在磁通密度的绝对值大的空间配置多个磁传感器,这对避免磁传感器与永磁铁的一端面之间的间隙变窄的情况是有利的。例如,在利用多个磁传感器检测沿着永磁铁的中心线的轴向的磁通密度的情况下, 由于轴向的磁通密度分布曲线的峰值点位于轴向上远离永磁铁的一端面外缘的位置,因此该位置设定成多个磁传感器的标准的配置位置(专利文献2)。专利文献1 日本特开2004-191101号公报专利文献2 日本特开2005191942号公报然而,当在包含永磁铁的中心线的任意的平面上考虑轴向上远离永磁铁的一端面的空间的轴向的磁通密度分布,表示该磁通密度分布的曲线的倾斜稳定的径向区域在峰值点附近窄。因此,当圆柱形的永磁铁的中心、与在同一圆周上配置多个磁传感器的该圆周的中心相对地偏心时,即当产生所谓的偏心时,各磁传感器进入到磁通密度变化急剧的直径方向区域,形成为与实际的旋转角度相当的磁传感器的输出不同的输出,旋转角度检测传感器所求出的旋转角度与两个部件之间的实际的旋转角度之间的角度检测误差易于变大。 为了减小该角度检测误差,虽然专利文献2所公开的旋转角度检测传感器采用了将永磁铁的一端部形成为圆锥台形状、带阶梯状的永磁铁来代替圆柱形的永磁铁,但是因特殊形状化而使得永磁铁的设计难度增加。

发明内容
鉴于上述情形,本发明的课题在于,将在径向进行了两极磁化的圆柱形的永磁铁用于旋转角度检测传感器,能够避免磁传感器与永磁铁的一端面之间的间隙变窄,并能够防止角度检测误差。
为了解决上述课题,对于在径向进行了两极磁化的圆柱形的永磁铁的种种,研究了轴向上远离永磁铁的一端面的空间的磁通密度分布。此处,“轴向”是指沿着永磁铁的中心线的方向。“径向”是指与轴向正交的方向。“圆柱形”是指在整个轴向上具有相同外径的实心体。“在径向上进行了两极磁化”是指从径向进行磁化以使得在永磁铁的半圆柱区域产生N极、且在剩余的半圆柱区域产生S极。“磁传感器”是指将径向的磁通密度转换为电信号的功能部位。研究的结果发现在表示在包含永磁铁的中心线的任意平面上的径向的磁通密度分布的曲线中,在大于磁铁直径的径向区域和小于磁铁直径的径向区域两处存在峰值 (绝对值),大的径向区域包含从正的峰值点向大径侧倾斜度平稳的范围,小的径向区域包含从负的峰值点向大径侧或小径侧倾斜度平稳的范围,与轴向的磁通密度分布相比能够较广地获得这些倾斜度平稳的大的范围;以及当在大、小径向区域内的倾斜度平稳的范围之间对起始自永磁铁的中心线的轴向延长线上的相同径向距离的位置上的绝对值进行比较, 小的径向区域的一方增大。基于这样的见解,由于本发明配置磁传感器,以便在对避免磁传感器与永磁铁之间的间隙变窄有利的所述小的径向区域内的倾斜度平稳的范围内检测径向的磁通密度,因此在旋转角度检测传感器中采用在径向上进行了两极磁化的圆柱形的永磁铁,能够避免磁传感器与永磁铁的一端面之间的间隙变窄,并能够防止角度检测误差。具体地说,本发明具备圆柱形的永磁铁;以及多个磁传感器,该多个磁传感器在轴向上远离所述永磁铁的一端面的位置配置于同一圆周上,所述永磁铁为圆柱形,且整体由均质的材料形成,并且在由在径向上进行了两极磁化的磁铁构成的旋转角度检测传感器中,所述永磁铁由直径为4mm 20mm、且轴向长度为3mm 5mm的铁素体磁铁或铝铁镍钴磁铁构成,所述多个磁传感器配置成,在与所述永磁铁的一端面中的该磁铁直径的20%以下的中心部分在轴向上距离0. 5mm 3. Omm的位置对径向的磁通密度进行检测,通过采用该结构,使得磁传感器在所述小的径向区域中的倾斜度平稳的范围内进行检测。优选地,所述多个磁传感器配置成,在与所述永磁铁的一端面中的该磁铁直径的 10%以下的中心部分在轴向上距离0. 5mm 1. 5mm的位置对径向的磁通密度进行检测。根据对上述径向的磁通密度分布的曲线进行分析的结果可知在所述永磁铁的一端面中的在轴向上距离该磁铁直径的10%以下的中心部分0. 5mm 1. 5mm的位置,即使永磁铁整体相对于轴向以1/20的斜度倾斜,该倾斜的影响所导致的径向的磁通密度的变化也比其它区域少。如果配置成磁传感器在该位置进行检测,则不仅当偏心时,即使当在永磁铁与配置多个磁传感器的同一圆周之间相对地产生所述的斜度时,也能够防止角度检测误差。在设定了在所述同一圆周的中心及该永磁铁的中心线之间所允许的偏心量的情况下,基于该偏心量来决定磁铁直径,由此能够将磁传感器配置于在轴向上远离磁铁直径的20%以下的中心部分的位置。具体地说,所述磁铁直径只要是设定为所述同一圆周的最大直径、与该同一圆周的中心与该永磁铁的中心线之间所允许的偏心量之和的5倍以上即可。此处,“同一圆周的最大直径”是指,当考虑使多个磁传感器之中的一个与其它磁传感器重叠的假想旋转移动的中心(即,配置多个磁传感器的同一圆周的中心)时,多个磁传感器之中的一个磁传感器在距离中心最远的位置所描画的旋转轨迹圆的直径。作为产生了所述偏心量的代表例,能够举出如下结构具备供所述永磁铁固定的轴、以及由轴承部支承该轴并供所述多个磁传感器固定的壳体,所述偏心量基于在所述轴与所述壳体之间设定的径向间隙而决定。例如,所述径向间隙为设置于壳体的轴承部与轴之间的配合,在轴承部由滚动轴承构成的情况下的轴向内部间隙为外圈与壳体之间的配合。由于允许设定偏心量,因此作为对轴进行支承的轴承部,只要是使用能够在偏心量的范围内维持永磁铁的轴承部即可, 例如即使对滚动轴承施加预压力而形成为负的轴向间隙、或放松对滑动轴承与轴的嵌合等级的要求,也能够构成具有高输出精度的旋转角度检测传感器。特别优选地,所述永磁铁固定于所述轴的一端,所述磁铁直径为所述同一圆周的最大直径与所述径向间隙之和的10倍以上。如果在所述轴与所述壳体之间设定径向间隙,则轴能够根据径向间隙而倾斜。在永磁铁固定于轴的一端的情况下,因轴的倾斜而产生具有所述斜度的倾斜度。如果磁铁直径为所述和的10倍以上,则在此类旋转角度检测传感器中,由于能够在轴向上远离永磁铁的一端面中的该磁铁直径的10%以下的中心部分的位置配置磁传感器,因此即使当相对地产生所述斜度时,也能够防止角度检测误差。能够采用一体地汇集所述多个磁传感器的传感器阵列。无需单个地配置磁传感器而能够简化传感器的结构,因此传感器阵列很方便。取而代之地,多个磁传感器固定于具有传感器阵列所固有的配置中心的同一圆周上。如果基于磁铁直径来决定磁传感器的径向位置,则即使采用传感器阵列,也能够在规定的径向位置配置磁传感器。所述旋转角度检测传感器具备轴;由轴承部支承该轴的壳体;以及安装有所述多个磁传感器的电路基板,所述永磁铁固定于轴的一端,所述轴的另一端在所述壳体的外部露出,所述壳体内置所述永磁铁以及所述多个磁传感器,并且具有壳体盖,该壳体盖具有在轴向上与所述轴的一端对置的平坦部,所述电路基板固定于所述壳体盖的平坦部,通过采用上述结构,由此能够形成单元化。单元化了的旋转角度检测传感器,将进行相对旋转的两个部件中的一方的部件作为轴、将轴与一方的部件连接,并且将另一方的部件作为壳体、将壳体固定于另一方的部件,由此能够安装到其它设备并检测两个部件之间的相对的旋转角度。例如,能够用于如一般的工业机械、建筑机械的驱动轴与机体之间这样的进行相对旋转的两个部件之间的旋转角度检测。在进行所述单元化的情况下,能够采用如下结构所述轴承部由被安装于所述轴与所述壳体之间的滚动轴承构成,利用所述壳体盖按压所述轴承部的外圈而施加预压力。 该单元能够通过对滚动轴承施加预压力来提高轴承刚性、防止轴的偏心,并将施加预压力用的盖利用于多个磁传感器的支承。在施加所述预压力的情况下,能够采用如下结构所述壳体盖、所述轴、以及所述轴承部的内外圈及滚动体由强磁性材料形成,在所述壳体盖的所述平坦部的周围设置与所述外圈接触的接触部,所述多个磁传感器配置于由所述壳体盖、所述轴以及所述轴承部形成的磁屏蔽空间内。如果利用强磁性材料形成壳体盖、轴、以及滚动轴承的内外圈及滚动体、并使壳体盖的平坦部的周围与外圈接触,则能够由壳体盖、轴以及滚动轴承形成作为一种磁屏蔽件的强磁性屏蔽件。根据壳体盖、轴的一端以及外圈的位置关系,能够将该强磁性屏蔽件设置成从壳体外部一条直线状地朝向磁传感器的全部磁力线与壳体盖等中的任一部件相交。外部的磁力线无法笔直地到达该强磁性屏蔽件为有效的所述磁屏蔽空间内,而向由壳体盖、 外圈、滚动体、内圈以及轴这一系列部件形成的迂回路引导。由于在该磁屏蔽空间内配置多个磁传感器,因此能够防止外部磁场所导致的磁通密度的检测误差。由于磁屏蔽件由壳体盖、轴以及滚动轴承形成,因此能够自由地选择安装壳体盖的壳体主体的材料。例如,通过利用树脂注射成形、铝合金等形成壳体主体,也能够使壳体轻量化。能够采用下述结构所述平坦部比其周围更向一端侧凹陷,所述电路基板被树脂密封,以使得所述电路基板无法到达所述多个磁传感器与所述永磁铁的一端面之间。如果使壳体盖的平坦部向一端侧凹陷,则能够以该平坦部的凹内壁为模而容易地进行电路基板的树脂密封。由于该树脂密封层未到达多个磁传感器与所述永磁铁的一端面之间,因此不会成为永磁铁与多个磁传感器之间的间隙设定的障碍。所述旋转角度检测传感器具备轴、以及由轴承部支承该轴的壳体,所述永磁铁固定于轴的一端,所述壳体内置所述永磁铁以及所述多个磁传感器,如果采用所述多个磁传感器位于由强磁性材料制的所述轴以及其它部件形成的磁屏蔽空间内的结构,则通过利用了轴的磁屏蔽件能够防止外部磁场所导致的角度检测误差。根据对采用所述磁屏蔽件所涉及的结构时的上述径向的磁通密度分布的曲线进行了分析的结果可知当所述永磁铁由直径为4mm 6mm、且轴向长度为3mm 5mm的铁素体磁铁构成时,与相同尺寸的铝铁镍钴磁铁相比,永磁铁的一端面中的在轴向上远离该磁铁直径的20%以下的中心部分的位置处的绝对值大。因此,如果在采用所述磁屏蔽件的所涉及的结构的同时采用所述永磁铁,则能够使用比铝铁镍钴磁铁廉价的铁素体磁铁,并能够避免磁传感器与永磁铁的一端面之间的间隙变窄。如上所述,本发明将在径向上进行了两极磁化的圆柱形的永磁铁用于旋转角度检测传感器,并通过使对径向的磁通密度进行检测的多个磁传感器的位置、永磁铁的外部尺寸及种类、以及磁传感器与永磁铁之间的间隙形成为所述特定的关系,能够避免磁传感器与永磁铁的一端面之间的间隙变窄,并能够防止角度检测误差。


图1中,(a)是第一实施方式所涉及的旋转角度检测传感器的主视图,(b)是第一实施方式所涉及的旋转角度检测传感器的侧视图,(c)是所述(a)的永磁铁的一端面的中心部分的放大图。图2是将包含永磁铁的中心线的平面上的磁场解析例与图1的解析模型一起示出的磁通分布图。 图3中,(a)是图2的解析模型在条件1的情况下间隙为0. 5mm时的径向的磁通密度分布图,(b)是在相同的条件1的情况下间隙为1.0mm时的径向的磁通密度分布图,(c) 是在相同的条件1的情况下间隙为1. 5mm时的径向的磁通密度分布图。图4(a)是图2的解析模型在条件2的情况下间隙为0. 5mm时的径向的磁通密度分布图。图4(b)是图2的解析模型在条件2的情况下间隙为1. Omm时的径向的磁通密度分布图。
图4(c)是图2的解析模型在相同的条件2的情况下间隙为1. 5mm时的径向的磁通密度分布图。图4(d)是图2的解析模型在相同的条件2的情况下间隙为3. Omm时的径向的磁通密度分布图。图5中,(a)是图2的解析模型在条件3的情况下间隙为0. 5mm时的径向的磁通密度分布图,(b)是在相同的条件3的情况下间隙为1.0mm时的径向的磁通密度分布图,(c) 是在相同的条件3的情况下间隙为1. 5mm时的径向的磁通密度分布图。图6中,(a)是图2的解析模型在条件4的情况下间隙为0. 5mm时的径向的磁通密度分布图,(b)是在相同的条件4的情况下间隙为1.0mm时的径向的磁通密度分布图,(c) 是在相同的条件4的情况下间隙为1. 5mm时的径向的磁通密度分布图。图7中,(a)是图2的解析模型在条件5的情况下间隙为0. 5mm时的径向的磁通密度分布图,(b)是在相同的条件5的情况下间隙为1.0mm时的径向的磁通密度分布图,(c) 是在相同的条件5的情况下间隙为1. 5mm时的径向的磁通密度分布图。图8是第二实施方式所涉及的旋转角度检测传感器的主视图。图9是第三实施方式所涉及的旋转角度检测传感器的主视图。图10是实施例1所涉及的旋转角度检测传感器的纵剖侧视图。图11是示出实施例1的变更例的纵剖侧视图。图12是实施例2所涉及的旋转角度检测传感器的纵剖侧视图。
具体实施例方式如图1所示,第一实施方式所涉及的旋转角度检测传感器(以下,仅称为“第一实施方式”)具备圆柱形的永磁铁1 ;以及多个磁传感器2、3,该多个磁传感器2、3在轴向上远离永磁铁1的一端面的位置配置于同一圆周上。永磁铁1由对形成为圆柱形、且整体由均质的材料形成的成形体在径向上进行了两极磁化的铁素体磁铁或铝铁镍钴磁铁构成。成形体在径向上具有各向异性。永磁铁1在半圆柱区域具有N极,在剩余的半圆柱区域具有S极。图1所示的磁传感器2、3由将径向的磁通密度转换为电信号的功能部位构成。例如,磁传感器2、3由在设置于径向的磁通密度检测用的通用的霍尔元件、 MR(Magneto-Resistive)元件、MI (Magneto-Impedance)元件等磁检测元件设置的感磁部构成,感磁部是指产生与横穿于径向的磁通密度对应的输出变化的部位。霍尔元件的感磁部例如由在与径向正交的方向上设置的半导体薄膜部构成。MR元件的感磁部例如由强磁性薄膜部、或同轴各向异性强磁性薄膜部的导电路径构成。MI元件的感磁部例如由使微小高频电流流通而检测出阻抗变化的磁性导体部构成。除了采用一体地汇集多个磁传感器2、3 的传感器阵列、至少一个磁传感器之外,也可以适当地采用一体地汇集信号增幅电路、AD转换电路、存储电路以及信号处理电路等的集成电路。在具有相对旋转关系的两部件中,在被作为一方的部件的轴4的一端固定永磁铁 1,在另一方的部件(省略图示)固定多个磁传感器2、3。其结果是,多个磁传感器2、3在轴向上远离永磁铁1的一端面的位置配置于同一圆周上,并且配置为围绕同一圆周的中心而具有90°的旋转角度差。永磁铁1、多个磁传感器2、3以及两部件尽可能地配置成永磁铁1的中心线、配置有多个磁传感器2、3的同一圆周的中心、以及两部件的相对旋转的旋转中心轴处于直线L上。当然,将这些部件配置于直线L上为理想状态。此外,第一实施方式形成为通过上述的90°配置能够获得在多个磁传感器2、3之间具有90°的相位差的输出。具备信号处理电路(省略图示),该信号处理电路通过利用多个磁传感器2、3之间的输出差进行运算来求出多个磁传感器2、3与永磁铁1的相对的同心旋转的旋转角度。所述相对的同心旋转的中心线形成为包含永磁铁1的中心线、配置多个磁传感器2、3的同一圆周的中心的直线L。能够适当地采用所述的信号处理电路。例如, 当将磁传感器2的输出设为Vx、将磁传感器3的输出设为Vy、将旋转角度设为θ时,对于
Vx 彡 Vy 有 θ = arctan(Vx/Vy)、以及对于 |Vx| 彡 Vy 有 θ = arccot (Vx/Vy),由此进行求解。也可以是专利文献1所公开的矢量旋转方式。多个磁传感器2、3并不局限于上述那样的90°配置,只要是在不对检测形成障碍的范围内适当地决定旋转角度差即可。此夕卜,因温度补偿也能够追加与磁传感器2的相位差为180°的磁传感器、以及与磁传感器3 的相位差为180°的磁传感器。在成为一方的部件的轴4的一端固定永磁铁1的状态下,将永磁铁1的磁铁直径、 轴向长度、周边环境设定成以下条件1 条件5,并对轴向上远离永磁铁1的一端面的空间的径向的磁通密度进行了解析。条件1 如图2表示解析空间那样,将其它部件^、4b形成为强磁性,该其它部件 4a、4b将与永磁铁1相接的轴4、永磁铁1以及磁传感器(省略图示)的周围与轴4 一起包围,将永磁铁1、轴4以及其它部件^、4b之间形成为空气,从而形成为与将图1的永磁铁1 以及多个磁传感器2、3配置于由轴4以及其它部件4a、4b形成的磁屏蔽件内的条件相当的解析条件。其它部件4a、4b例如为内置永磁铁1以及多个磁传感器2、3的壳体、磁铁保持件、以及将磁铁保持件紧固于轴4的主体一端面的螺钉部件等。利用将永磁铁1设成轴向长度为3mm的铁素体磁铁、且将该磁铁直径设成10mm、6mm、4mm的各解析模型,对在包含永磁铁1的中心线的任意平面上的径向的磁通分布进行了解析。图2中示出了磁通分布的一例。图2中的横轴X(mm)设定为径向的位置,横轴X的0点位于永磁铁1的中心线上。图 2中的纵轴Y(mm)设定为轴向的位置,纵轴Y的0点位于与永磁铁1的另一端面在轴向上距离Imm的水平。所述任意的平面上的径向的磁通密度分布求出了在与永磁铁1的一端面之间的轴向间隙为0. 5mm、l. OmmU. 5mm的各位置处与轴向正交的直线上的分布。图3 (a)、 (b)、(c)中示出了各径向的磁通密度分布的计算结果。在图3中,横轴(mm)相当于图2的横轴,纵轴[T]设定为径向的磁通密度(tesla)。条件2 在条件1中,将轴4变更为非磁性、且将解析空间变更为非磁性屏蔽空间, 并增加了将磁铁直径设为20mm的模型、以及与永磁铁1的一端面之间的轴向间隙为3. Omm 的模型。图4(a)、图4(b)、图4(c)、图4(d)中示出各径向的磁通密度分布。图4(a) 图 4(d)的纵轴、横轴与图3相同。条件3 在条件1中,将永磁铁1的轴向长度变更为5mm。图5 (a)、(b)、(c)中示出了各径向的磁通密度分布的计算结果。图5的纵轴、横轴与图3相同。条件4 在条件1中,将永磁铁1变更为铝铁镍钴磁铁。图6 (a)、(b)、(c)中示出了各径向的磁通密度分布的计算结果。图6的纵轴、横轴与图3相同。条件5 在条件1中,将要求出的径向磁通密度分布变更到分别通过与永磁铁1的一端面的中心线上的间隙分别为0. 5mm、1. 0mm、1. 5mm、且相对于轴向具有1/20的斜度的直线上。图7(a)、(b)、(c)中示出各径向的磁通密度分布的计算结果。图7的纵轴、横轴与图3相同。使永磁铁1倾斜的一侧亦即图7中的图表左侧是解析位置靠近磁铁的一侧,右侧是解析位置远离磁铁的一侧。条件5相当于根据条件1对永磁铁1整体相对于轴向以相同的斜度倾斜的状态进行解析。对于图3 (a)、(b)、(c) 图7 (a)、(b)、(c)的各磁通密度分布,表1中示出了在分布曲线的倾斜度平稳、且以相对于磁铁直径的比来确定适合图1的磁传感器2、3的配置的径向的位置范围的一览表。[表 1]
权利要求
1.一种旋转角度检测传感器,该旋转角度检测传感器具备圆柱形的永磁铁;以及多个磁传感器,该多个磁传感器在轴向上远离所述永磁铁的一端面的位置配置于同一圆周上,所述永磁铁为圆柱形,且整体由均质的材料形成,并且由在径向上进行了两极磁化的磁铁构成,所述旋转角度检测传感器的特征在于,所述永磁铁由直径为4mm 20mm、且轴向长度为3mm 5mm的铁素体磁铁或铝铁镍钴磁铁构成,所述多个磁传感器配置成,在与所述永磁铁的一端面中的该磁铁直径的20%以下的中心部分在轴向上距离0. 5mm 3. Omm的位置对径向的磁通密度进行检测。
2.根据权利要求1所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,所述多个磁传感器配置成,在与所述永磁铁的一端面中的该磁铁直径的10%以下的中心部分在轴向上距离0. 5mm 3. Omm的位置对径向的磁通密度进行检测。
3.根据权利要求1所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,所述磁铁直径为所述同一圆周的最大直径、与该同一圆周的中心和该永磁铁的中心线之间所允许的偏心量之和的5倍以上。
4.根据权利要求3所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,该旋转角度检测传感器具备供所述永磁铁固定的轴、以及由轴承部支承该轴并供所述多个磁传感器固定的壳体,所述偏心量基于在所述轴与所述壳体之间设定的径向间隙而决定。
5.根据权利要求4所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,所述永磁铁固定于所述轴的一端,所述磁铁直径为所述同一圆周的最大直径与所述径向间隙之和的10倍以上。
6.根据权利要求3或5所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,该旋转角度检测传感器具备一体地汇集所述多个磁传感器的传感器阵列。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,该旋转角度检测传感器具备轴;由轴承部支承该轴的壳体;以及安装有所述多个磁传感器的电路基板,所述永磁铁固定于轴的一端,所述轴的另一端在所述壳体的外部露出, 所述壳体内置所述永磁铁以及所述多个磁传感器,并且具有壳体盖,该壳体盖具有在轴向上与所述轴的一端对置的平坦部,所述电路基板固定于所述壳体盖的平坦部。
8.根据权利要求7所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,所述轴承部由安装于所述轴与所述壳体之间的滚动轴承构成,利用所述壳体盖按压所述轴承部的外圈而施加预压力。
9.根据权利要求7或8所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,所述壳体盖、所述轴、以及所述轴承部的内外圈及滚动体由强磁性材料形成,在所述壳体盖的所述平坦部的周围设置与所述外圈接触的接触部,所述多个磁传感器配置于由所述壳体盖、所述轴以及所述轴承部形成的磁屏蔽空间内。
10.根据权利要求7 9中任一项所述的旋转角度检测传感器,其特征在于,所述平坦部比其周围更向一端侧凹陷,所述电路基板被树脂密封,以使得所述电路基板无法到达所述多个磁传感器与所述永磁铁的一端面之间。
11.根据权利要求1 10中任一项所述的旋转角度检测传感器,其特征在于, 该旋转角度检测传感器具备轴、以及由轴承部支承该轴的壳体,所述永磁铁固定于轴的一端,所述壳体内置所述永磁铁以及所述多个磁传感器,所述多个磁传感器位于由强磁性材料制的所述轴以及其它部件形成的磁屏蔽空间内,所述永磁铁由直径为4mm 20mm、 且轴向长度为3mm 5mm的铁素体磁铁构成。
全文摘要
一种旋转角度检测传感器形成为,将径向上进行了两极磁化的圆柱形的永磁铁用于旋转角度检测传感器,从而避免磁传感器与永磁铁的一端面之间的间隙变窄,并且防止角度检测误差。将永磁铁(1)设定成直径为4mm~20mm、且轴向长度为3mm~5mm的铁素体磁铁或铝铁镍钴磁铁,使多个磁传感器(2、3)在与永磁铁(1)的一端面中的磁铁直径的10%以下的中心部分(A)在轴向上距离0.5mm~3.0mm的位置对径向的磁通密度进行检测,由此能够在径向的磁通密度的分布曲线的倾斜度平稳的范围内进行检测。
文档编号G01D5/14GK102472637SQ20108003519
公开日2012年5月23日 申请日期2010年8月27日 优先权日2009年9月8日
发明者糸见正二 申请人:Ntn株式会社
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1