专利名称：十字电流型三轴矢量磁传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及MEMS磁传感器领域，具体是一种十字电流型三轴矢量磁传感器。
技术背景
地磁导航技术作为一种无源自主导航方法，具有隐蔽性好、抗干扰能力强、成本低的特点，尤其是基于霍尔效应的磁传感器的出现，使其得到迅速的发展，但因磁传感器的精度低、灵敏度差使得地磁导航技术一直只适用于普通导航系统中，对战术级、战略级导航系统的贡献很小。
传统的霍尔磁传感器是以Si材料为霍尔半导体，随后因GaAs材料的电子迁移率高，基于GaAs材料的霍尔传感器也相应而生，接着随着高电子迁移率HEMT器件的出现，使得目前基于高电子迁移率异质结的霍尔磁传感器成为研究热点，但其精度、灵敏度仍然无法满足战术级、战略级导航系统的要求。发明内容
本发明为了解决现有磁传感器精度低、灵敏度差的问题，提供了一种十字电流型三轴矢量磁传感器。
本发明是采用如下技术方案实现的十字电流型三轴矢量磁传感器，包括GaAs衬底、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件；其是由包括如下步骤的制备方法制得的
(一 )在超真空环境下，应用分子束外延技术在GaAs衬底上依次生长如下表1所示参数的HEMT (高电子迁移率三极管)薄膜材料、自停止腐蚀层、以及RTD (共振遂穿二极管)薄膜材料；得到基片；
表 权利要求
1.十字电流型三轴矢量磁传感器，其特征在于包括GaAs衬底(1)、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件00)以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件(19)；其是由包括如下步骤的制备方法制得的(一)在超真空环境下，应用分子束外延技术在GaAs衬底(1)上依次生长如下表1所示参数的HEMT薄膜材料、自停止腐蚀层、以及RTD薄膜材料；得到基片； 表全文摘要
本发明涉及MEMS磁传感器领域，具体是一种十字电流型三轴矢量磁传感器。本发明为了解决现有磁传感器精度低、灵敏度差的问题。十字电流型三轴矢量磁传感器，包括GaAs衬底、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件；其是由包括如下步骤的制备方法制得的制作基片；形成两个梯形RTD台面和HEMT台面；制备两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件；制备基于HEMT的水平型电流霍尔器件。本发明所述的磁传感器精度高、灵敏度好，可广泛适用于各种导航系统。
文档编号G01R33/07GK102520376SQ201110434180
公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月22日 优先权日2011年12月22日
发明者刘俊, 唐军, 张晓明, 毛宏庆, 石云波, 郭浩 申请人:中北大学