专利名称：一种大功率mosfet管质量检测仪的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种大功率MOSFET管质量检测仪，属于集成电路及电子元器件检测领域。
背景技术：
功率MOSFET(金属ー氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管，功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET単元。为提高其集成度和耐压性，大都采用垂直结构(即VM0S)，如VVM0S(V型槽结构)、VUM0S、SIPM0S等，由于内含単元多，器件在出厂或是用户收到器件后，易发生损坏现象，用普通的方法不能测得MOSFET的特性，因为大功率MOSFET管在实际工程中多应用到变频、恒流等均接受频
率控制的领域，因此，需要使用专门仪器来检测MOSFET管的性能。
发明内容本实用新型涉及ー种大功率MOSFET管质量检测仪，以实现对大功率MOSFET质量检测和评定。为实现上述的目的，本实用新型采用如下技术方案频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OPl上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过IXD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动増加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情况，则不会出现频率，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况；M0SFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。本实用新型能批量检测MOSFET管的质量情況，大大提高了变频产器或电源产品的成品率，避免因元器件问题造成的不必要的设备故障。
附图I是本实用新型的电路工作原理图具体实施方式
为了使本实用新型的技术方案更加清楚明白，
以下结合附图和实施例，对本实用新型进ー步详细说明，此处所描述的具体实例，仅仅用以解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。实施例请參阅附图I所示，频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OPl上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻Rl，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过LCD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动増加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情況，则不会出现频率 ，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况;M0SFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。
权利要求1.本实用新型涉及ー种大功率MOSFET管质量检测仪，其特征在于频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OPl上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻Rl，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过IXD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动增加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情况，则不会出现频率，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况。MOSFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。
专利摘要本实用新型涉及一种大功率MOSFET管质量检测仪，频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OP1上，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过LCD液晶屏B显示输入输出频率波形对比。
文档编号G01R31/26GK202421432SQ20112049232
公开日2012年9月5日 申请日期2011年12月1日 优先权日2011年12月1日
发明者李金录, 淡博 申请人:哈尔滨智木科技有限公司