专利名称：半导体器件测试系统和方法
技术领域：
本发明涉及一种对半导体器件的电特性进行测试的系统和方法。
背景技术：
通常，半导体加工工艺包括对集成在晶圆上的每个半导体器件的电特性进行测试的芯片电测(electrical die sorting, EDS)工艺。EDS工艺包括对于半导体器件的电路特性或操作可靠性进行测量以及对测量的数据进行评价以拣选并标记半导体器件是否是适于销售的。可以使用测试系统来执行EDS工艺，该测试系统被配置为对集成在晶圆上的半导体器件施加电信号并测量来自该半导体器件的电信号而对半导体器件的适销性进行评价。用于EDS工艺的测试系统可以包括产生电信号的测试器和带有探针尖端的探针板。在EDS工艺期间，探针尖端可以与晶圆接触，从而作为测试器与半导体器件之间的电路径。
发明内容
本发明的目的在于提供一种被配置为以高效率对半导体器件的电特性进行测试的系统和方法。根据本发明思想的示例实施例，一种半导体器件测试系统可以包括测试器，其被配置为对在晶圆上提供的半导体器件的电特性进行评价；以及探针单元，其被配置为在所述测试器与所述半导体器件之间传递用于对所述半导体器件进行测试的电信号。所述探针单元可以包括外壳；晶圆支撑元件，其被固定布置在所述外壳中并且提供用于放置所述晶圆的空间；印刷电路板，其被布置在所述外壳上并且传递来自所述测试器的电信号和向所述测试器传递电信号；以及探针板，其被布置在所述外壳中与所述晶圆支撑元件相对。所述探针板可以包括将电信号传递至在晶圆上提供的半导体器件的多个探针引脚，并且每个探针引脚可以包括被配置为可调整地与所述晶圆接触并且可调整地改变其自身垂直位置的探针尖端。根据本发明思想的其他示例实施例，一种对半导体器件进行测试的方法可以包括使用设有探针尖端的探针板对晶圆的电特性进行评价。在此，探针尖端的密度可以大于在待测晶圆上提供的电极焊盘的密度。此外，根据所述晶圆的种类，将所述探针尖端分类为用于评价的活性探针尖端和不用于评价的非活性探针尖端。根据本发明思想的示例实施例，可以高效地执行对半导体器件的电特性进行测试的工艺。在一些实施例中，可以共同使用一块探针板对各种半导体器件的电特性进行测试。
图I是提供有半导体器件的晶圆的示意平面图。、
图2是图I的“A”部分的放大平面图。图3是根据本发明思想的示例实施例的半导体器件测试系统的示意图。图4是示出了图3的探针单元的示意截面图。图5是示出了图4的印刷电路板的示意顶视图。图6是示出了图4的印刷电路板的示意底视图。图7是示出了图4的印刷电路板的示意截面图。图8是示出了图4的探针板的示意顶视图。图9是示出了图4的探针板的示意底视图。 图10是示出了图4的探针板的示意截面图。图11是示出了图10的探针引脚的示意截面图。图12是示出了图10的探针引脚的操作的示图。图13是示出了图4的探针引脚的示意截面图。图14是示出了印刷电路板和探针板的操作的示图。图15至图20是示例地示出了根据晶圆的种类使用不同的探针尖端作为活性探针尖端的示例方法的示图。图21是示出了根据本发明思想的其他示例实施例的印刷电路板与探针板接合状态的示意截面图。
具体实施例方式现在将参考附图I至21对本发明思想的示例实施例进行更加完整地描述，在附图中示出了示例实施例。然而，本发明思想的示例实施例可以以多种不同的形式来具体实现，并且不应当解释为限定于在此叙述的实施例；而是，提供这些实施例的目的是使得本公开是全面且完整的，并且将向本领域普通技术人员完整地传达示例实施例的思想。在附图中，为了清楚起见，对层和区域的厚度进行了放大。图I是具有半导体器件的晶圆的示意平面图，图2是示意地示出了图I的“A”部分的放大平面图。参考图I和图2，可以通过芯片加工工艺将多个半导体器件I集成在晶圆W上。随后，可以执行芯片电测(EDS)工艺，以对集成在晶圆W上的半导体器件I的电特性进行测试。EDS工艺可以包括对半导体器件I施加电信号/对来自半导体器件I的电信号进行测量，以及评价每个半导体器件I是否是适于销售的。在一些实施例中，如图2所示，每个半导体器件I可以包括在其顶面上形成的电极焊盘5，并且用于EDS工艺的电信号可以经由电极焊盘5向半导体器件I的内部电路传递/从半导体器件I的内部电路传递出来。图3是根据本发明思想的示例实施例的半导体器件测试系统10的示意图。参考图3，半导体器件测试系统10可以包括探针单元100、测试器300和装载机400。探针单元100可以被配置为对半导体器件I的电特性进行测试。探针单元100可以与装载机400相邻布置。测试器300可以与探针单元100相邻布置。测试器300可以包括测试器主体310和测试器头320。测试器主体310可以被配置为产生对半导体器件I进行电测试所需的电信号。测试器头320可以包括被配置为与探针单元100接触的基底330。测试器头320可以配置为将测试器主体310中产生的电信号经由基底330施加至探针单元100并接收从探针单元100返回的电信号。从探针单元100返回的电信号可以包含关于半导体器件I的适销性的信息。装载机400可以被配置为保持要被测试器300测试的或者已经被测试器300测试的至少一个晶圆W。此外，装载机400可以被配置为向/从探针单元100传递晶圆W。图4是根据本发明思想的示例实施例的探针单元的示意截面图。图4可以是图3的探针单元100的示意截面图。参考图4,探针单元100可以包括外壳110、晶圆支撑元件120、印刷电路板130和探针板200。外壳110可以被配置为在对半导体器件进行电测试(诸如EDS工艺)期间提供用于放置晶圆W的空间。外壳110可以与装载机400相邻布置。外壳110可以被配置为具有顶部开口结构，并且外壳110可以包括侧壁111和底部部分113。 侧壁111可以包括与装载机400相邻的第一侧壁、从第一侧壁横向延伸的第二侧壁和第三侧壁、以及与第一侧壁相对布置的第四侧壁。侧壁111可以被配置为限定晶圆通路115和探针板通路117。可以在第一侧壁上提供晶圆通路115。使用装配在装载机400中的晶圆递送元件(未示出)，装载机400中的晶圆W可以经由晶圆通路115被传递至外壳110中。可以将探针板通路117配置为允许将探针板200移入或移出外壳110。可以在第一侧壁或第二侧壁上提供探针板通路117。外壳110可以包括连接凹槽116，可以将探针板200插入其中。在第一侧壁上提供探针板通路117的情况下，可以在第二、第三和第四侧壁的内表面上提供连接凹槽116。可替换地，在第二侧壁上提供探针板通路117的情况下，可以在第一、第三和第四侧壁的内表面上提供连接凹槽116。探针板200可以被插入连接凹槽116中，以被装配在外壳110中。可以将晶圆支撑元件120固定地装配在外壳110中。晶圆支撑元件120可以包括板122和温度控制装置124。可以将晶圆W装载在板122的顶面上。板122可以相对于外壳110的侧壁111进行旋转，并且由于板122的旋转，晶圆W中的半导体器件的电极焊盘可以与探针板200的探针尖端252对准。温度控制装置124可以被配置为对晶圆W的温度进行控制。在此情况下，可以在由温度控制装置124控制的各种温度条件下对半导体器件I的电特性进行测试。可以将温度控制装置124布置在板122中，并且温度控制装置124可以包括加热部件124a和冷却部件124b。可以将加热部件124a配置为将板122和晶圆W加热至高温。可以将冷却部件124b配置为将板122和晶圆W冷却至低温。此外，可以将加热部件124a和冷却部件124b分别配置为保持升温条件和降温条件。在一些实施例中，加热部件124a可以具有线圈形状并且被布置为与板122共面。冷却部件124b可以具有线圈形状并且被布置为与加热部件124a相邻且共面。图5至图7是示出了图4的印刷电路板130的示意图。参考图4至图7，可以将印刷电路板130配置为允许测试器300和探针板200彼此交换与半导体器件的电测试相关联的电信号。
可以在外壳110的上部分中布置印刷电路板130。印刷电路板130可以包括板131、上部端子132、下部端子134和信号互连线路136。板131可以具有板形状。板131可以具有多种板形状中的一种；例如，从如图5所示的顶视图来看，板131可以具有矩形板形状。可以在印刷电路板130的顶面上布置多个上部端子132。可以将上部端子132配置为与测试器头320接触。 从而，可以将上部端子132电连接至测试器头320。在一些实施例中，可以将连接器或焊盘用作上部端子132。可以在印刷电路板130的底面上布置多个下部端子134。可以将下部端子134配置为与探针板200接触。从而，可以将下部端子134电连接至探针板200。在一些实施例中，可以将焊盘用作下部端子134。可以在印刷电路板130中布置多条信号互连线路136。上部端子132和下部端子134可以经由信号互连线路136彼此电连接。可以将电信号从测试器头320经由上部端子132和信号互连线路136传递至下部端子134，然后传递至连接到下部端子134的探针板200。在一些实施例中，可以将每个上部端子132连接至多条信号互连线路136中对应的一条，并且可以将每条信号互连线路136连接至多个下部端子134中对应的一个。换言之，可以将每个上部端子132经由多条信号互连线路136中对应的一条耦接至多个下部端子134中对应的一个。在这些实施例中，可以防止在各个上部端子132之间、在各个下部端子134之间或者在各条信号互连线路136之间产生电信号串扰。在一些实施例中，要被传递至探针板200的电信号可以包括用于对半导体器件I的电特性进行测试的第一电信号以及用于改变探针尖端252相对于晶圆W的相对位置的第二电信号。在此情况下，上部端子132、下部端子134和信号互连线路136可以分别包括用于传递第一电信号的第一上部端子132a、第一下部端子134a和第一线路136a并且分别包括用于传递第二电信号的第二上部端子132b、第二下部端子134b和第二线路136b。图8至图10是示出了图4的探针板200的示意图。参考图2以及图8至图10，可以将探针板200配置为将从印刷电路板130传递的电信号施加至半导体器件I的电极焊盘5。在一些实施例中，可以将探针板200通用于各种不同的晶圆，这些晶圆在晶圆W中布置的半导体器件I和/或在半导体器件I中布置的电极焊盘5的布局方面以及数量方面是彼此不同的。可以将探针板200与晶圆支撑元件120相对布置。探针板200可以包括支撑板210和探针引脚250。支撑板210可以具有板形状。支撑板210可以具有多种板形状中的一种例如，从如图8所示的顶视图来看，支撑板210可以具有矩形板形状。支撑板210可以具有多个孔，并且可以将每个探针引脚250插入多个孔中对应的一个孔中。可以将支撑板210通过外壳110的探针板通路117插入连接凹槽116中。可以将支撑板210与探针引脚250的外部主体254结合。在一些实施例中，支撑板210还可以包括被配置为向外部主体254传递电信号的信号互连线路212。图11和图12分别是示意地示出了图10的探针引脚250及其操作的示图。
参考图11和图12，可以将探针引脚250配置为向集成在晶圆W上的半导体器件I的电极焊盘5施加电信号。在一些实施例中，例如，各个探针引脚250可以分别与各个电极焊盘5接触。探针引脚250可以穿透支撑板210而被插入支撑板210中。探针板200可以包括多个探针引脚250，可以将这些探针引脚250在支撑板210上排列为矩阵或点阵形状。在一些实施例中，探针引脚250的密度(S卩，每单位面积中探针引脚250的数量)可以大于在晶圆W上提供的电极焊盘5的密度。每个探针引脚250可以包括探针尖端252、外部主体254和施压元件256。可以将探针尖端252配置为与电极焊盘5接触。可以经由探针尖端252直接向半导体器件I施加用于对半导体器件I的电特性进行测试的第一电信号。探针尖端252可以具有顶部开口的圆柱体形状。探针尖端252的外部底面可以与电极焊盘5接触，而探针尖端252的内部底面可以与施压元件256结合。可以根据探针尖端252是否用于对晶圆支撑元件120上加载的晶圆的电特性进行测试而将探针尖端252分类为活性探针尖端和非活性探针尖端。 外部主体254可以具有围绕探针尖端252的侧壁的管状形状。可以将外部主体254的侧壁固定至支撑板210。外部主体254与探针尖端252可以彼此物理地接触。可以经由外部主体254和外部主体254与探针尖端252之间的接触表面将第一电信号传递至探针尖端252。可以将施压元件256配置为改变探针尖端252的垂直位置。例如，探针尖端252可以通过施压元件256而向上或向下移动。可以将施压元件256配置为允许各个探针尖端252彼此独立地移动。例如，可以将每个施压元件256配置为选择性地改变多个探针尖端252中对应的一个的垂直位置。施压元件256可以布置在外部主体254中并且可以与探针尖端252结合。施压元件256可以沿其纵向方向被拉伸或收缩以改变探针尖端252的垂直位置。施压元件256的上部分可以与印刷电路板130的第二下部端子134b接触。施压元件256可以响应于从第二下部端子134b传递的电信号而被拉伸或收缩。施压元件256可以包括接触部分256a和可伸展部分256b。接触部分256a可以与可伸展部分256b的上部分结合。可伸展部分256b的下部分可以与探针尖端252的内部底面结合。可以经由与第二下部端子134b接触的接触部分256a将第二电信号传递至可伸展部分256b。在一些实施例中，当向可伸展部分256b施加第二电信号时,可伸展部分256b可以沿其纵向方向被拉伸。施压兀件256可以由多种材料形成。在一些实施例中，施压兀件256可以包括能够响应于电信号而沿其纵向方向被拉伸或收缩的压电元件，但是可以不将本发明思想的示例实施例限定于此。施压元件256的形状可以是能够沿其纵向方向表现出拉伸或收缩的各种形式。例如，施压元件256可以是类似弹簧的形状。探针引脚250的外部主体254可以部分地覆盖探针尖端252的上部侧壁。如上所述，可以经由外部主体254与探针尖端252之间的接触表面将第一电信号传递至探针尖端252。在本发明思想的一些方面中，施压元件256可以与外部主体254和探针尖端252电隔离。从而，施加至施压元件256的第二电信号可以不受传递至外部主体254和探针尖端252的第一电信号的影响。图13是示出了图4的探针引脚的示意截面图，图14是示出了根据本发明思想的示例实施例的印刷电路板和探针板的操作的示图。参考图13和图14，印刷电路板130可以经由下部端子134与探针板200的顶面接触。用于对半导体器件I的电特性进行测试的第一电信号可以经由第一上部端子132a、第一线路136a和第一下部端子134a被传递至探针引脚250。此外，用于移动探针尖端252以使其与电极焊盘5接触的第二电信号可以经由第二上部端子132b、第二线路136b和第二下部端子134b被传递至探针引脚250。每个第一电信号和每个第二电信号可以被传递至多个探针引脚250中对应的一个。换言之，可以将一个探针引脚250电耦接至一个第一下部端子134a和一个第二下部端子134b。第一下部端子134a可以与支撑板210的被连接至探针引脚250的外部主体254的信号互连线路212接触。第二下部端子134b可以与探针引脚250的施压元件256的上部分接触。传递至信号互连线路212的第一电信号可以经由外部主体254被传递至探针尖端252。如上所述，施加有第一电信号的探针尖端252可以作为用于对半导体器件I的电特性进行测试的活性探针尖端。可以连同第一电信号一起将第二电信号施加至探针引脚250。施加有第二电信号的施压兀件256可以沿其纵向方向被拉伸以与在其下布置的电极焊盘5接触。从而，可以经由与电极焊盘5接触的活性探针尖端将第一电信号传递至电极焊盘5。图15至图20是示例地示出了根据晶圆的种类使用不同的探针尖端作为活性探针尖端的示例方法的示图。如参考图15至图20所描述的那样，可以根据使用的晶圆W的类型的变化而选择不同的探针尖端作为活性探针尖端。参考图15至图20，可以根据使用的晶圆W而改变半导体器件I上的电极焊盘5的布局或数量。如上所述，根据本发明思想的示例实施例，在支撑板210上提供的探针引脚250的密度可以大于电极焊盘5的密度。从而，可以使用参考图15至图20描述的探针板200来对各种类型的晶圆W进行测试。对于图15示出的晶圆W，可以将从测试器300产生的第一电信号和第二电信号传递至布置在电极焊盘5上方的一些探针引脚(例如，250b、250d、250f和250j)。然后，如图16所不,施加有第一电信号和第二电信号的一些探针引脚的探针尖端(即，252b、252d、252f和252j)可以作为活性探针尖端。包含有活性探针尖端的探针引脚的施压元件256可以响应于第二电信号而被拉伸，因此活性探针尖端可以与被布置在该活性探针尖端之下的电极焊盘5接触，并且可以经由该活性探针尖端将第一电信号传递至电极焊盘5。图17的晶圆W与图15的晶圆W在电极焊盘5的布局和数量方面不同。在此情况下，从测试器300产生的第一电信号和第二电信号可以被传递至一些探针引脚(例如，250b、250f和250k)，这些探针引脚布置在电极焊盘5之上但是与图15中的布置不同。然后，如图18所示，施加有第一电信号和第二电信号的一些探针引脚的探针尖端(即，252b、252f和252k)可以作为活性探针尖端。包含有活性探针尖端的探针引脚的施压元件256可以响应于第二电信号而被拉伸，因此活性探针尖端可以与被布置在该活性探针尖端之下的电极焊盘5接触，并且可以经由该活性探针尖端将第一电信号传递至电极焊盘5。图19的晶圆W与图15和图17的晶圆W在电极焊盘5的布局和数量方面不同。在此情况下，从测试器300产生的第一电信号和第二电信号可以被传递至一些探针引脚(例如，250b、250i和250k)，这些探针引脚布置在电极焊盘5之上但是与图15和图17中的布置不同。然后，如图20所示，施加有第一电信号和第二电信号的一些探针引脚的探针尖端(即，252b、252f和252k)可以作为活性探针尖端。包含有活性探针尖端的探针引脚的施压元件256可以响应于第二电信号而被拉伸，因此活性探针尖端可以与被布置在该活性探针尖端之下的电极焊盘5接触，并且可以经由该活性探针尖端将第一电信号传递至电极焊盘5。如上所述，可以在电极焊盘5的布局和数量方面不同的晶圆W上将探针板200用于执行半导体器件测试工艺。在此情况下，如图15至图20所示，用于对半导体器件I进行测试的活性探针尖端的布局和数量可以根据使用的晶圆W的电极焊盘5的布局或数量而改变，但是本发明思想的示例实施例可以不限定于此。例如，根据电极焊盘5的布局或数量，可以使用一些探针尖端来测试彼此不同的多个晶圆。图21是示出了根据本发明思想的其他示例实施例的印刷电路板与探针板接合状态的示意截面图。 根据参考图15至图20描述的示例实施例，虽然将多个探针引脚250布置在一个电极焊盘5上，但是多个探针引脚250中的一个探针引脚被向下移动与布置在其下的电极焊盘5接触。根据本发明思想的其他示例实施例，多个电极焊盘5中的一个可以与探针板200的至少一个探针尖端接触。例如，如图21所示，探针板200的所有探针尖端都可以被向下移动与布置在其下的多个电极焊盘5接触。换言之，多个电极尖端252可以与多个电极焊盘5中对应的一个接触。如图21所示，在一些实施例中，可以根据由虚线所表示的第一电信号是否被施加至探针尖端252而将探针尖端252分类为活性探针尖端(例如，252b)和非活性探针尖端(例如，252a、252c、252d和252e)。换言之，可以将用于对半导体器件I进行测试的第一电信号施加至活性探针尖端(即，252b)，同时可以不将第一电信号施加至非活性探针尖端(即，252a、252c、252d和252e)。在变型实施例中，在没有任何探针引脚250的独立移动的情况下，图21所示的探针板200可以朝向晶圆W被向下移动以使得探针弓I脚250与电极焊盘5接触。在此情况下，可以不独立地操作各探针引脚250的探针尖端252。因此，不需要产生探针尖端252的独立操作所需的第二电信号，并且此外，在半导体器件I的电测试期间可以不使用第二上部端子132b、第二下部端子134b和第二线路136b。可替换地，为了使得探针引脚250与电极焊盘5接触，可以将所有探针尖端252朝向晶圆W向下移动直到它们的底面与电极焊盘5的顶面共面，同时相对于晶圆W可以固定探针板200。在一些实施例中，探针引脚250的探针尖端252可以响应于第二电信号被独立地移动。对于所有这些，可以将第一电信号施加至用于半导体器件I的电测试的活性探针尖端，而不施加至非活性探针尖端。虽然已经具体地示出并描述了本发明思想的示例实施例，但是本领域普通技术人员应当理解，在不背离所附权利要求的精神和范围的情况下可以在形式和细节上对这些示例实施例进行改变。
权利要求
1.一种半导体器件测试系统，其包括 测试器，其被配置为对在晶圆上提供的半导体器件的电特性进行评价；以及 探针单元，其被配置为在所述测试器与所述半导体器件之间传递用于对所述半导体器件进行测试的电信号， 其中所述探针単元包括 夕卜壳; 晶圆支撑元件，其被固定布置在所述外壳中并且提供用于放置所述晶圆的空间； 印刷电路板，其被布置在所述外壳上并且传递来自所述测试器的电信号和向所述测试器传递电信号；以及 探针板，其被布置在所述外壳中与所述晶圆支撑元件相对，所述探针板包括将电信号传递至在所述晶圆上提供的半导体器件的多个探针引脚， 其中每个探针引脚包括被配置为可调整地与所述晶圆接触并且可调整地改变其自身垂直位置的探针尖端。
2.根据权利要求I所述的半导体器件测试系统，还包括多个施压元件，所述多个施压元件以相对彼此独立地移动各个探针尖端的方式来分别改变各个探针尖端的垂直位置， 其中姆个所述施压元件与各个探针尖端中对应的ー个结合。
3.根据权利要求2所述的半导体器件测试系统，其中可调整地拉伸或收缩所述施压元件以改变所述探针尖端的垂直位置。
4.根据权利要求3所述的半导体器件测试系统，其中响应于电信号来拉伸或收缩所述施压元件。
5.根据权利要求4所述的半导体器件测试系统，其中所述施压元件包括压电元件。
6.根据权利要求4所述的半导体器件测试系统，其中所述施压元件形成为弹簧形状。
7.根据权利要求4所述的半导体器件测试系统，其中经由彼此不同的线路来提供用于使所述施压元件变形的电信号和用于对所述半导体器件进行测试的电信号。
8.根据权利要求I所述的半导体器件测试系统，其中所述探针引脚排列为矩阵或点阵形状。
9.根据权利要求I所述的半导体器件测试系统，其中所述晶圆支撑元件包括 在其上布置所述晶圆的板；以及 在所述板中提供的温度控制装置， 其中所述温度控制装置包括对所述板进行加热的加热部件和对所述板进行冷却的冷却部件。
10.根据权利要求I所述的半导体器件测试系统，其中所述探针尖端具有顶部开ロ的圆柱体形状，每个所述探针引脚还包括包封所述探针尖端的侧壁的管状的外部主体以及与所述外部主体和所述探针尖端结合的施压元件，并且所述探针板还包括设有多个孔的支撑板，每个所述探针引脚被插入所述多个孔中的对应的ー个孔中。
11.根据权利要求I所述的半导体器件测试系统，其中所述外壳被成形为具有在所述外壳的彼此面对的内壁上形成的连接凹槽，并且所述探针板被插入在所述外壳中配备的所述连接凹槽中。
12.根据权利要求2所述的半导体器件测试系统，其中所述印刷电路板包括信号互连线路，每个所述信号互连线路被电连接至各个探针尖端中的对应的ー个，并且 其中所述信号互连线路包括 传递来自所述探针尖端的用于对所述半导体器件进行电测试的电信号和向所述探针尖端传递用于对所述半导体器件进行电测试的电信号的第一线路；以及 传递用于纵向地拉伸或收缩所述施压元件的电信号的第二线路。
13.根据权利要求12所述的半导体器件测试系统，其中所述印刷电路板还包括布置在所述印刷电路板底面上的下部端子以便将所述印刷电路板电连接至所述探针板， 其中所述下部端子包括连接至所述第一线路的第一下部端子和连接至所述第二线路的第二下部端子。
14.一种半导体器件测试方法，该方法包括使用设有探针尖端的探针板对晶圆的电特性进行评价，该探针尖端的密度大于在待测晶圆上提供的电极焊盘的密度， 其中根据所述晶圆的种类，将所述探针尖端分类为用于评价的活性探针尖端和不用于评价的非活性探针尖端。
15.根据权利要求14所述的半导体器件测试方法，其中，在对所述晶圆的电特性进行评价期间，所述活性探针尖端与在所述晶圆上提供的电极焊盘接触，并且所述非活性探针尖端与在所述晶圆上提供的电极焊盘分离。
16.根据权利要求15所述的半导体器件测试方法，其中对与所述活性探针尖端的上部连接的施压元件进行拉伸以使得所述活性探针尖端与所述电极焊盘接触。
17.根据权利要求16所述的半导体器件测试方法，其中根据电信号对所述施压元件进行拉伸。
18.根据权利要求14所述的半导体器件测试方法，其中所有所述探针尖端向所述半导体器件移动，并且，在进行评价时，不需要向所述非活性探针尖端施加用于评价的电信号，而经由所述活性探针尖端向所述电极焊盘施加用于评价的电信号。
全文摘要
本发明提供了对半导体器件进行测试的系统和方法。该系统包括被配置为对在晶圆上提供的半导体器件的电特性进行评价的测试器，以及被配置为在测试器与半导体器件之间传递用于对半导体器件进行测试的电信号的探针单元。该探针单元可以包括外壳；晶圆支撑元件，其被固定布置在外壳中并且提供用于放置晶圆的空间；印刷电路板，其被布置在外壳上并且传递来自测试器的电信号和向测试器传递电信号；以及探针板，其被布置在外壳中与晶圆支撑元件相对。所述探针板可以包括传递来自半导体器件的电信号和向半导体器件传递电信号的多个探针引脚，并且每个探针引脚可以包括被配置为可调整地与晶圆接触并且可调整地改变其自身垂直位置的探针尖端。
文档编号G01R31/26GK102680876SQ20121006758
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月14日 优先权日2011年3月14日
发明者张仁训 申请人:三星电子株式会社