专利名称：感测装置及其制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种感测装置及其制作方法，且特别是有关于一种利用气密滤片配合气密封层来密封壳体的排气孔的感测装置及其制作方法。
背景技术：
一般而言，微机电感测装置内的感测元件应在所属的特定环境条件的感测腔体中作动，以确保感测元件稳定运作，并可得到精准的感测输出结果。基于不同感测装置的感测机制设计需求，用来容置感测元件的感测腔体内的环境条件亦随的变化。举例而言，有些感测装置需要考虑到感测元件的震动阻尼对振动频率与感测讯号杂讯比的效应，因此会将感测元件(例如谐振磁场感测器(resonant magnetic field sensor)、谐振器(resonator)、射频开关(RF switch)、微热福射计(micro bolometer)或陀螺仪(gyroscope)等)设置在高负压或真空的气密腔体环境下来作动，以降低空气阻尼所造成的能量损耗。现有感测装置大多是以回焊焊料或是沉积填充材料等方式来填实腔体的对外通道，以形成密封腔体。然而，此种方式容易导致填充材料沉积在感测元件上或污染腔体内部，而导致感测元件无法正常作动。而且，此类焊料或密封材料因结构松散，因而无法使密封腔体达到良好的密封性，也无法确保密封腔体内的环境条件。此外，由于此类焊料或密封材料会产生逸气(outgassing)现象,而导致腔体无法维持在0.1 10_4mbar压力范围内，而无法适用于高真空感测元件。为了解决因焊料或密封材料的逸气(outgassing)现象而导致的感测装置的腔体的真空度不足的问题，习知的方法是在感测装置的腔体内部设置吸气层(getter layer)以将感测装置的腔体中的多余气体分子锁住在吸气层中，以提高感测装置的腔体的真空度。然而，吸气层的加工复杂且成本昂贵。
发明内容
本发明提供一种感测装置，其具有高负压或真空的气密腔体环境以及良好的密封性，有利于腔体内的环境条件的控制，且感测装置的结构简单、制作容易，有助于增加制程良率,并且可降低制作成本。本发明提出一种感测装置的制作方法，可制作出具有高负压或真空的气密腔体环境以及良好的密封性的感测装。而且本发明的制作方法制程简易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。本发明提出一种感测装置包括壳体、气密滤片、气密封层、感测元件。壳体包括排气孔，排气孔贯穿壳体的第一表面及第二表面。气密滤片至少覆盖部分排气孔，气密滤片具有剖面呈不规则曲线的通道，通道贯通气密滤片，且通道的宽度为数纳米至数百纳米。气密封层至少覆盖排气孔、部分气密滤片和部分通道。感测元件设置于壳体内。本发明提出的感测装置更包括刚性支撑构件。刚性支撑构件设置于壳体与气密滤片之间，刚性支撑构件至少覆盖排气孔，且刚性支撑构件具有开口，开口贯通刚性支撑构件，且排气孔、通道和开口是相通。
在本发明的一实施例中，上述气密滤片设置于壳体的第一表面上。在本发明的一实施例中，上述刚性支撑构件设置于壳体的第一表面上。在本发明的一实施例中，上述气密滤片设置于壳体的第二表面上。在本发明的一实施例中，上述刚性支撑构件设置于壳体的第二表面上。在本发明的一实施例中，上述感测元件包括谐振磁场感测器、谐振器、射频开关、微热辐射计或陀螺仪。在本发明的一实施例中，上述气密滤片的材质选自金属、陶瓷与聚合物的其中之
O在本发明的一实施例中，上述排气孔设置于壳体的顶部或侧壁。在本发明的一实施例中，上述壳体包括:第一基板；以及第二基板，其覆盖第一基板，其中第一基板与第二基板的至少其中之一具有凹陷部，而于第二基板与第一基板之间形成有腔体，其中排气孔设置于第二基板上，其中感测元件设置于腔体中。在本发明的一实施例中，上述气密封层至少覆盖部分通道。具体而言，本发明提出的感测装置的制作方法，包括下列步骤:于第一基板形成感测元件；于第二基板形成排气孔，排气孔贯穿第二基板的第一表面及第二表面；于第二基板上形成气密滤片，气密滤片具有剖面呈不规则曲线的通道，通道贯通气密滤片，且通道的宽度为数纳米至数百纳米；接合第二基板于第一基板上，其中第一基板与第二基板的的至少其中之一具有一凹陷部，而于第二基板与第一基板之间形成腔体；以及于第二基板上形成气密封层以密封腔体，其中气密封层至少覆盖排气孔、部分气密滤片和部分通道。本发明提出的感测装置的制作方法更包括于第二基板与气密滤片之间形成刚性支撑构件，刚性支撑构件至少覆盖排气孔，且刚性支撑构件具有开口，开口贯通刚性支撑构件，且排气孔、通道和开口是相通。在本发明的一实施例中，上述气密滤片形成于第二基板的第一表面上。在本发明的一实施例中，上述刚性支撑构件形成于第二基板的第一表面上。在本发明的一实施例中，上述气密滤片设置于第二基板的第二表面上。在本发明的一实施例中，上述刚性支撑构件设置于第二基板的第二表面上。在本发明的一实施例中，上述感测元件包括谐振磁场感测器、谐振器、射频开关、微热辐射计或陀螺仪。在本发明的一实施例中，上述气密滤片的材质选自金属、陶瓷与聚合物的其中之
O在本发明的一实施例中，上述气密滤片的制造方法，包括:提供双金属合金；以及对双金属合金进行去合金处理。在本发明之一实施例中，上述气密封层的形成方法选自物理气相沉积法与化学气相沉积法的其中之一。本发明利用气密滤片配合气密封层来形成具真空的感测腔体。气密滤片具有数纳米至数百纳米的单向通道(one-way pass),气体分子经由单向通道排出腔体外。气密滤片由于具有弯曲通道，使密封层材料不易直接通过而形成类似单向通道的结构，因此密封层材料堆积在弯曲通道上而可避免气密封层材料流入腔体内，因此相较于结构松散的焊料或密封材料，可以提供良好的密封性，有利于腔体内的环境条件的控制。而且，本发明的感测装置的结构简单，且制作容易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。本发明利用气密滤片配合气密封层来密封壳体的排气口，其中腔体内的环境条件可以由形成气密封层时的制程环境来决定。而且本发明的制作方法制程简易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
图1A绘示依照本发明的实施例一的感测装置示意图。图1B绘示依照本发明的实施例二的感测装置示意图。图1C绘示依照本发明的实施例三的感测装置示意图。图1D绘示依照本发明的实施例四的感测装置示意图。图2A绘示依照本发明的气密滤片的剖面照片示意图。图2B绘示依照本发明的沉积有气密封层的气密滤片的剖面照片示意图。图3A至图3D依序绘示依照本发明的实施例四的感测装置的制作流程图。图4绘示依照本发明的各实施例的制程机台。附图标记说明100A、100B、100C、100D:感测装置102:壳体104:第一基板106:第二基板106a:第一表面106b:第二表面108:感测元件110:排气孔112:气密滤片112a:通道114:气密封层114a:气密封层材料116:刚性支撑构件116a:开口118:腔体120:气体分子200:机台202:气压调整装置204:沉积装置
具体实施例方式于此先行说明，本发明各实施例对于相同或类似元件的编号可能为相同。
图1A绘示依照本发明的实施例一的感测装置。图2A绘示依照本发明的气密滤片的剖面照片示意图。图2B绘示依照本发明的沉积有气密封层的气密滤片的剖面照片示意图。如图1A所示，感测装置100A包括壳体102、气密滤片112、气密封层114以及感测元件108。壳体102 (housing)具有多个排气孔110，排气孔110贯穿壳体102的第一表面106a及第二表面106b。壳体102例如是由第一基板104以及第二基板106所构成，其中第一表面106a与第二表面106b例如是第二基板106之第一表面106a与第二表面106b,如各实施例中所示。第一基板104与第二基板106的材质例如是硅基板。第一基板104例如具有凹陷部。第二基板106例如覆盖第一基板106，于第二基板106与第一基板104之间形成有腔体118。第二表面106b面向腔体118,第一表面106a设置于第二表面106b的背面。在本实施例中，排气孔110例如设置于第二基板106上。当然，排气孔110可以设置在壳体102的任何位置，例如壳体102的顶部或侧壁。在本实施例中，以第一基板104具有凹陷部(剖面成「U」形状)、第二基板106为平板状为例子做说明。当然，本发明也可以采用以第一基板104为平板状，第二基板106具有凹陷部(剖面成「Π」形状)或者以第一基板104具有凹陷部(剖面成「U」形状)，第二基板106具有凹陷部(剖面成「Π」形状)。亦即，本发明只要能够在第一基板104与第二基板106之间形成容置感测元件的腔体118的话，并没有限制第一基板104与第二基板106的形状与构成。在一实施例中，第一基板104形成多数个凹陷部，并利用第二基板106覆盖该第一基板104上，且相对每一凹陷部的第二基板106上设置有多数个排气孔110。如此可安装一或多数个相同或不同的感测器于凹陷部内。其中凹陷部配置可为列或行或阵列的排列。凡此设计均包括于本发明之创作精神内，在此不予赘述。气密滤片112至少覆盖排气孔110。在本实施例中，气密滤片112设置于壳体102的第一表面106a上。在一实施例中，例如气密滤片112设置于壳体102之第二基板106的第一表面106a上。气密滤片112背向腔体118。如图2A所示，气密滤片112具有剖面呈不规则曲线的通道112a，通道112a贯通气密滤片112，且通道112a的宽度例如在数纳米至数百纳米。由于气密滤片112具有剖面呈不规则曲线的通道112a，因此在腔体118内部的气体分子120可以经由通道112a而排出腔体118之外。气密滤片112是一种单向气密封膜。此单向气密封膜具有贯穿整个膜厚度的不规则曲线连续通道112a，因此可使腔体在传统气密接合制程中所散发出来的多余逸气气体分子群，完全地透过单向气密封膜的不规则曲线连续通道112a，而例如利用抽真空装置将气体抽/排出整个腔体118外，以使腔体118达到高真空环境。同时在接续的气密封层114披覆制程中的气密封层材料加载过程中，气密封层材料会因为分子反应固化作用，而初始堆积并阻塞在纳米级尺度的不规则曲线连续通道中，因此披覆层材料不会透过单向气密微纳米封膜，进入已真空化的感测空腔中。气密滤片112的材质例如是金属、陶瓷或聚合物。当然，在本发明中具有贯穿整个膜厚度的不规则曲线连续通道112a的材料即可作为气密滤片112，因此其材质并没有限制。在本发明一实施例中，气密滤片112例如是具有微孔的金属，其制法例如是提供双金属合金(B1-metal alloy)。然后,对双金属合金进行去合金处理(dealloying)而留下单一成份金属。举例来说，利用钼-铜合金片制成气密滤片112时，进行合金处理移除铜成分或钼成分，而形成具有剖面呈不规则曲线的通道112a的铜片或钼片。气密封层114至少覆盖排气孔110和气密滤片112和部分通道112a。如图2B所不，在形成气密封层114时,在气密封层材料114a加载过程中，气密封层材料114a会因为分子反应扩散进而进行固化作用，而初始堆积并最终阻塞在不规则曲线连续通道112a中或者接近排气口的通道口端。亦即，气密封层材料114a可以只填充通道112a的一部份。气密封层材料114a不会透过单向气密封膜(气密滤片112)，进入已真空化的腔体118中，而可提供一个具高真空度的气密感测元件结构。气密封层114的材质包括金属或金属氧化物，例如金、钼、铜、铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。气密封层114的形成方法例如是物理气相沉积法与化学气相沉积法的其中之一。再如图1A所示,感测元件108设置于腔体118中。感测元件108包括谐振磁场感测器(resonant magnetic field sensor)、谐振器(resonator)、射频开关(RF switch)、微热福射计(micro bolometer)或陀螺仪(gyroscope)。图1B绘示依照本发明的实施例二的感测装置。如图1B所示，感测装置100B的气密滤片112例如设置于壳体102的第二表面106b上，并覆盖排气孔110。在一实施例中，例如气密滤片112设置于壳体102之第二基板106的第二表面106b上。气密滤片112面向腔体118。气密封层114至少覆盖排气孔110、部分气密滤片112和部分通道112a，并封闭排气孔110。本实施例形成气密封层114的方式可如上述图1A-2B所述达成。图1C绘示依照本发明的实施例三的感测装置。如图1C所示，感测装置100C的气密滤片112例如设置于壳体102的第一表面106a上。在一实施例中，例如气密滤片112设置于壳体102之第二基板106的第一表面106a上。于壳体102与气密滤片112之间设置有刚性支撑构件116。亦即，刚性支撑构件116设置于壳体102的第一表面106a上。刚性支撑构件116用以支撑气密滤片112，并可以提高壳体102与气密滤片112的接着性。刚性支撑构件116至少覆盖部分排气孔110，且刚性支撑构件116具有一或多数个开口 116a，这些开口 116a贯通刚性支撑构件116。在气密封层114形成之前，排气孔110、气密滤片112的通道112a和刚性支撑构件116的开口 116a是相通，而可以使腔体118内的气体被抽/排出。刚性支撑构件116的材质可为金属材料或金属氧化物材料。气密封层114至少覆盖刚性支撑构件116、气密滤片112和部分通道112a，并封闭排气孔110。图1D绘示依照本发明的实施例四的感测装置。如图1D所示，感测装置100D的气密滤片112设置于壳体102的第二表面106b上。在一实施例中，例如气密滤片112设置于壳体102之第二基板106的第二表面106b上。于壳体102与气密滤片112之间设置有刚性支撑构件116。亦即，刚性支撑构件116设置于壳体102的第二表面106b上。气密封层114至少覆盖排气孔110、部分气密滤片112、部分刚性支撑构件116和部分通道112a。在本发明的感测装置中，主要是利用气密滤片112配合气密封层114来形成具超高真空的感测腔体。气密滤片112具有数纳米至数百纳米的单向通道(one-way pass),此单向通道指的是使感测腔体在传统气密接合制程中所散发出来的多余排气气体分子群，能完全地透过该单向通道，而被抽/排出整个感测腔体外，以达到高度的真空感测腔体环境；同时在接续的气密封层114披覆制程中的气密封层材料加载过程中，该气密封层材料会因为分子反应固化作用，而初始堆积并最终阻塞在纳米级尺度的不规则曲线连续通道中，因此气密封层材料不会透过单向通道，进入已真空化的感测空腔中，最后达到可提供一个具高真空度的气密感测腔体结构。本发明中，气体分子经由单向通道排出腔体118外，气密滤片112亦可避免气密封层材料流入腔体内，因此相较于习知的结构松散的焊料或密封材料，可以提供良好的密封性，有利于腔体118内的环境条件的控制。而且，本发明的感测装置的结构简单，且制作容易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。在本发明的感测装置中，在壳体102与气密滤片112之间选择性地设置有刚性支撑构件116，此刚性支撑构件116可以支撑气密滤片112，并可以提高壳体10与气密滤片112的接着性。图3A至图3D绘示依照本发明的实施例四的感测装置的制造流程剖面图。图4绘示依照本发明的各实施例的制程机台。请参照图3A，准备第一基板104与第二基板106。于第一基板104的凹陷部中形成感测元件108。于第二基板106形成排气孔110，排气孔110贯穿第二基板106。请参照图3B，于第二基板106上形成刚性支撑构件116。刚性支撑构件116至少覆盖部分排气孔110，且刚性支撑构件116具有开口 116a。开口 116a贯通刚性支撑构件116，且部分排气孔110和部分开口 116a是相通。可藉由晶片接合技术来接合第二基板106与刚性支撑构件116。所述晶片接合技术可包括阳极接合、渗透接合(diffusion bonding)或电衆改良表面接合(plasma enhanced bonding)等直接接合技术,或是利用中间接合层(intermediate bonding layer)作为接合媒介的间接接合技术。请参照图3C，于第二基板106上形成气密滤片112，气密滤片112具有剖面呈不规则曲线的通道112a，通道112a贯通气密滤片112，且通道112a的宽度在数纳米至数百纳米。气密滤片112至少覆盖第二基板106的排气孔110和刚性支撑构件116的开口 116a。气密滤片112的材质例如是金属、陶瓷或聚合物。在本实施例中，以气密滤片112是具有微孔的金属为例做说明，但本发明并不限于此。气密滤片112的制法如下:首先于第二基板106镀上一层双金属合金(B1-metal alloy)层。然后,对双金属合金进行去合金处理(dealloying)，利用蚀刻剂移除双金属合金的一个成份金属，而形成具有剖面呈不规则曲线的通道的铜层或钼层。在另一实施例中，也可以先制作出气密滤片112，然后再利用晶片接合技术来接合第二基板106与气密滤片112。请参照图3D，藉由晶片接合技术来接合第二基板106与第一基板102。所述晶片接合技术可包括阳极接合、渗透接合(diffusion bonding)或电衆改良表面接合(plasmaenhanced bonding)等直接接合技术，或是利用中间接合层(intermediate bondinglayer)作为接合媒介的间接接合技术。在本实施例是以气密滤片112面向感测元件108的方式，将第二基板106与第一基板104接合，而于第二基板106与第一基板104之间形成腔体118。然后，于第二基板106之第一表面106a上形成气密封层114以密封腔体118，气密封层114至少覆盖排气孔110和部分气密滤片112。在形成气密封层114时，可采用图4绘示的制程机台。如图4所示，本实施例的机台200内设有气压调整装置202以及沉积装置204。将第二基板106与第一基板104接合后，置于机台200中。利用气压调整装置202控制机台200内环境条件，以调整机台200内的气压与气体等成份。当机台200内的气压到达设定值后，利用沉积装置204形成气密封层114。其中气压调整装置202包括抽真空装置、控制器、气压侦测器等等。气压调整装置202以抽真空装置先抽真空至一设定气压，此可由气压侦测器侦测得知，控制器收到到达设定气压例如真空度值，控制器控制沈积装置204作动，以沈积气密封层材料于气密滤片上并沈积于气密滤片的通道上形成气密封层。在上述方法中，若是以气密滤片112背向感测元件108的方式，将第二基板106与第一基板104接合，而于第二基板106与第一基板104之间形成腔体118。然后，形成气密封层114，则可制作出实施例三所述的感测装置。在上述方法中，若是省略制作刚性支撑构件116的步骤，并以气密滤片112背向感测元件108的方式，将第二基板106与第一基板104接合，而于第二基板106与第一基板104之间形成腔体118。然后，形成气密封层114，则可制作出实施例一所述的感测装置。在上述方法中，若是省略制作刚性支撑构件116的步骤，并以气密滤片112面向感测元件108的方式，将第二基板106与第一基板104接合，而于第二基板106与第一基板104之间形成腔体118。然后，形成气密封层114，则可制作出实施例二所述的感测装置。本发明的感测装置的制作方法，利用气密滤片112配合气密封层114来密封腔体118的排气孔110，其中腔体118内的环境条件可以由形成气密封层114时的制程环境来决定，在形成气密封层114时，气密滤片112可避免气密封层材料流入腔体118内。而且本发明的制作方法制程简易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。当然，本发明亦可以应用于可以将多个不同环境条件的腔体整合在同一个基板(如晶片)上，以容置不同类型的感测元件的腔体结构上。综上所述，本发明利用气密滤片配合气密封层来形成具超高真空的感测腔体。气密滤片具有数纳米至数百纳米的单向通道(one-way pass),气体分子经由单向通道排出腔体外，气密滤片亦可避免气密封层材料流入腔体内，因此相较于结构松散的焊料或密封材料，可以提供良好的密封性，有利于腔体内的环境条件的控制。而且，本发明的感测装置的结构简单，且制作容易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。本发明利用气密滤片配合气密封层来密封腔体的开口，其中腔体内的环境条件可以由形成气密封层时的制程环境来决定。而且本发明的制作方法制程简易，有助于增加制程良率，并且可降低制作成本。虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围以权利要求书为准。
权利要求
1.一种感测装置，包括: 壳体，其包括至少排气孔，上述排气孔贯穿上述壳体的第一表面及第二表面； 气密滤片，其至少覆盖上述排气孔，上述气密滤片具有剖面呈不规则曲线的至少一通道，上述通道贯通上述气密滤片； 气密封层，其至少覆盖上述排气孔和上述气密滤片；以及 感测元件，设置于上述壳体内。
2.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，更包括: 刚性支撑构件，其设置于上述壳体与上述气密滤片之间，上述刚性支撑构件至少覆盖上述排气孔，且上述刚性支撑构件具有至少一开口，上述开口贯通上述刚性支撑构件，且上述排气孔、上述通道和上述开口是相通。
3.如权利要求2所述的感测装置，其特征在于，上述气密滤片设置于上述壳体的上述第一表面上。
4.如权利要求3所述的感测装置，其特征在于，上述刚性支撑构件设置于上述壳体的上述第一表面上。
5.如权利要求2所述的感测装置，其特征在于，上述气密滤片设置于上述壳体的上述第二表面上。
6.如权利要求5 所述的感测装置，其特征在于，上述刚性支撑构件设置于上述壳体的上述第二表面上。
7.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，上述感测元件为谐振磁场感测器、谐振器、射频开关、微热辐射计或陀螺仪。
8.如权利要求1项所述的感测装置，其特征在于，上述气密滤片的材质选自金属、陶瓷与聚合物中的其中之一。
9.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，上述排气孔设置于上述壳体的顶部或侧壁。
10.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，上述壳体包括: 第一基板；以及 第二基板，其覆盖上述第一基板，其中上述第一基板与上述第二基板的至少其中之一具有凹陷部，而于上述第二基板与上述第一基板之间形成有腔体，其中上述排气孔设置于上述第一基板与上述第二基板的至少其中之一上，其中上述感测元件设置于上述腔体中。
11.如权利要求10所述的感测装置，其特征在于，更包括: 刚性支撑构件，其设置于上述壳体与上述气密滤片之间，上述刚性支撑构件至少覆盖上述排气孔，且上述刚性支撑构件具有至少一开口，上述开口贯通上述刚性支撑构件，且上述排气孔、上述通道和上述开口是相通。
12.如权利要求11所述的感测装置，其特征在于，上述气密滤片设置于上述壳体的上述第二基板的第一表面上。
13.如权利要求12所述的感测装置，其特征在于，上述刚性支撑构件设置于上述壳体的上述第二基板的第一表面上。
14.如权利要求11所述的感测装置，其特征在于，上述气密滤片设置于上述壳体的上述第二基板的第二表面上。
15.如权利要求14所述的感测装置，其特征在于，上述刚性支撑构件设置于上述壳体的上述第二基板的第二表面上。
16.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，上述气密封层至少覆盖上述通道，且上述通道的宽度为数纳米至数百纳米。
17.—种感测装置的制作方法，包括: 于第一基板上形成感测元件； 于第二基板形成排气孔，上述排气孔贯穿上述第二基板的第一表面及第二表面； 于上述第二基板上形成气密滤片，上述气密滤片具有剖面呈不规则曲线的至少一通道，上述通道贯通上述气密滤片，且上述通道的宽度为数纳米至数百纳米； 接合上述第二基板于上述第一基板上，其中上述第一基板与上述第二基板的的至少其中之一具有凹陷部，而于上述第二基板与上述第一基板之间形成腔体；以及 于上述第二基板上形成气密封层以密封上述腔体，其中上述气密封层至少覆盖上述排气孔和上述气密滤片和上述通道。
18.如权利要求17所述的感测装置的制作方法，更包括: 于上述第二基板与上述气密滤片之间形成刚性支撑构件，上述刚性支撑构件至少覆盖上述排气孔，且上述刚性支撑构件具有至少一开口，上述开口贯通上述刚性支撑构件，且上述排气孔、上述通道和上述开口是相通的。
19.如权利要求18所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述气密滤片形成于上述第二基板的上述第一表面上。
20.如权利要求19所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述刚性支撑构件形成于上述第二基板的上述第一表面上。
21.如权利要求18所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述气密滤片设置于上述第二基板的上述第二表面上。
22.如权利要求21所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述刚性支撑构件设置于上述第二基板的上述第二表面上。
23.如权利要求17所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述感测元件为谐振磁场感测器、谐振器、射频开关、微热辐射计或陀螺仪。
24.如权利要求17所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述气密滤片的材质选自金属、陶瓷与聚合物的其中之一。
25.如权利要求17所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述气密滤片的制造方法，包括: 提供双金属合金；以及 对上述双金属合金进行 去合金处理。
26.如权利要求17所述的感测装置的制作方法，其特征在于，上述气密封层的形成方法选自物理气相沉积法与化学气相沉积法的其中之一。
全文摘要
本发明提供一种感测装置及其制作方法。感测装置利用气密滤片配合气密封层来密封壳体的排气孔，气密滤片具有数纳米至数百纳米的单向通道(one-way pass)，提供气体分子经由单向通道排出腔体外。气密滤片亦可避免气体密封层材料流入腔体内，因此相较于结构松散的焊料或密封材料，可以提供良好的密封性，有利于腔体内的环境条件的控制。
文档编号G01D11/24GK103162727SQ20121013685
公开日2013年6月19日 申请日期2012年5月2日 优先权日2011年12月16日
发明者陈荣泰, 张金生, 林靖渊, 朱俊勋 申请人:财团法人工业技术研究院