具有用于容纳多个半导体封装尺寸的凹口的梭板的制作方法

具有用于容纳多个半导体封装尺寸的凹口的梭板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种输入/输出穿梭板（230），其包括具有多个凹处（240）的金属板（115）。多个凹处有底部（221）、侧壁部分（237）和凹处深度。在第一凹处深度（d3）的第一安置面（238）是用于支撑在具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件，并且在第二凹处深度（d4）的至少一个第二安置面（239）的用于支撑具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件。第一凹处深度小于第二凹处深度（d3<d4），并且第一封装尺寸大于第二封装尺寸。穿梭板适于装配在测试处理器上，例如通过穿梭板夹。
【专利说明】具有用于容纳多个半导体封装尺寸的凹口的梭板
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于在测试地点通过自动电子测试设备从输入区域至电子测试的位置来输送封装的半导体器件的测试处理器，并且涉及测试后用于装箱的输出区域。
【背景技术】
[0002]拾取和放置(PnP)处理器广泛用于在装配和测试过程中移动封装的半导体器件的表面贴装技术。重力处理器也会使用。
[0003]用于电子测试设备的处理器从通常有用于测试的操作者装载单元的输入区域至测试地点输送器件，测试地点包括电气测试发生在此的接触器。在测试台上的封装的半导体器件的电子测试一般包括当不同的封装尺寸、引脚类型和封装厚度呈现于测试时测试分配器(lot)之间的处理器转换活动。包括与一些参数改变一起的封装具体硬件的转换套件(或变换套件)与在电气测试过程中接触封装的器件的接触器一起用于这种转换。
[0004]在转换套件中用于PnP处理器的硬件包括左/右金属穿梭板，其具有称为凹处的凹口、装配入凹处的输入/输出(IO)PnP吸盘以及测试地点(TS)的PnP槽(或夹盘槽)。左侧TS PnP在测试前从左侧穿梭板拾取封装的器件，支持封装的器件并确保测试过程中的适当接触和调整，并且测试后返回所测试的封装的器件至左侧穿梭板。在另一方面，右侧TSPnP在测试前执行从右侧穿梭板拾取封装的器件，支持封装的器件并确保测试过程中的适当接触和调整，并且测试后返回所测试的封装的器件至右侧穿梭板的相同功能。IO PnP从左侧和右侧穿梭板拾取所有测试单元，并且然后将它们整理分类至输出区域的装箱托盘。
[0005]由于需要改变包括输入/输出(IO) PnP吸盘、左/右穿梭板和测试地点(TS)的PnP槽的转换套件元件，并进行重新调整，当执行特别地用于PnP处理器的传统处理器凹处到凹处的转换时，在测试设置之间经历长转换停机时间。这种传统的转换一般需要约3个小时来执行。PnP转换套件更换和硬件改变单独占约2小时的转换时间，包括约至少I小时的重新调整的时间，包括处理器的编码器值的新的偏移的确定，对穿梭板的IO PnP中心调整，对IO PnP的穿梭板调整，对穿梭的TS PnP中心调整以及对通过穿梭板的更换成为必需的参考点的穿梭板硬停。

【发明内容】

[0006]本发明公开的实施例认识到对于传统的测试处理器，每个不同尺寸的封装的器件必须有其自身的穿梭板，以及测试地点和在特定的穿梭板上在凹处到凹处转换过程中基于其调整的输入/输出(IO)转移机制。因此，每当在这种转换过程中穿梭板被转换，需要测试地点(TS)的重新调整和关于穿梭板的拾取和放置(PnP)以及IO PnP0公开的“多封装”穿梭板通过配置为可安置多个不同的封装尺寸节省转换时间，以致穿梭板可通过封装转换保留，并且因此可避免由于转换重新调整的需要。
[0007]公开了穿梭硬件的改变通过适合于装配在测试处理器上的多封装的IO穿梭板加速，其具有凹处，在不同的凹处深度各自具有多个安置面用于支撑多个不同封装的半导体器件的尺寸。在一个实施例中，分别的安置面包括在凹处的侧壁部分形成的不同的高度的凹口。
[0008]公开的凹处从而安置多种不同的封装尺寸，所有都具有相同的中心位置。倾斜的侧壁可以实现漏斗型(带有向内倾斜侧的最宽的顶部)凹处设计，其允许封装半导体器件安置在凹处内并在凹处内的插入物上自身调整。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1是根据示例性实施例的公开的多封装穿梭板的透视顶视图，其包括2维(2-D)阵列凹处，各自包括在不同的凹处深度的多个安置面，用于安置具有不同的封装尺寸的多个不同的封装半导体器件。
[0010]图2A-C是根据示例性实施例的穿梭板部分的横截面的描绘，其包括具有多个安置面的示例凹处，用于安置具有不同的封装尺寸的多个不同封装的半导体器件。
[0011]图3是根据示例性实施例的示例处理器的转换套件硬件的描绘，其包括IO PnP吸盘、两个都包括在其中的公开的穿梭板以及多片TSPnP槽。
[0012]图4A-F根据示例性实施例在图4A-C中在用于各自的封装半导体器件的穿梭拾取和在图4D-F中在用于各自的封装半导体器件的测试后的穿梭下落中描绘了与TS PnP槽片交界的公开的多封装穿梭板的公开凹处的操作，用于具有不同的封装尺寸的三个不同封装的半导体器件。
[0013]图5是根据示例性实施例的示例电子检测系统的简化方框图描绘，其包括具有第一和第二公开的多封装穿梭板的PnP测试处理器。
【具体实施方式】
[0014]图1根据示例性实施例示出了适于装配在测试处理器上的包括金属板115的多封装穿梭板100，金属板115包括2维(2-D)阵列的凹处105，其各自包括在不同凹处深度的多个安置面用于安置具有不同的封装尺寸的多个不同的封装的半导体器件。关于公开的凹处105的详细信息可见图2A-C，其示出凹处的示例横截面描绘，在凹处的侧壁中显示示例安置面设计，其中在一个具体实施例中，用于穿梭板100的凹处105包括在图2B示出的示例凹处240,如下所述具有凹口的安置面设计。
[0015]在比用于测试的封装的器件的下落的凹处的凹处深度浅的未测试的封装的器件的拾取过程中，具有带凹处深度的凹处有助于允许吸盘足够确保在封装的器件的表面上能够可靠地拾取封装的器件。在用于未测试器件的穿梭下落的穿梭板上凹处的更深的凹处深度允许足够的空隙来脱离吸盘支持的封装的器件。
[0016]在一个实施例中，在穿梭板100上的所有的凹处一般设计相同，以致提供的多个凹处共享相同的凹处深度和凹处设计，为安置具有不同尺寸的分别的封装的半导体器件。在本实施例中有专用输入穿梭板和专用输出穿梭板，其中在用于未测试的封装的器件拾取的输入穿梭板上的凹处的凹处深度与在用于测试的封装的器件的下落的输出穿梭板上的凹处的凹处深度相比是减小的。
[0017]在另一个实施例中，在穿梭板上的一些凹处基本上在相同的穿梭板的其他凹处更深，以致给定的穿梭板可以起到用于未测试封装的器件的输入穿梭和测试封装的器件的输出穿梭的作用。在本实施例中，在穿梭板上的所述多个凹处的一部分提供第一凹处深度，用于支撑第一封装的器件，以及第二凹处深度用于支撑第二封装的器件，并且在相同的穿梭板上的所述多个凹处的另一部分是更深的凹处，其提供加深的第一凹处深度，相比于用于支撑第一封装的器件的所述第一凹处深度基本上更深，提供加深的第二凹处深度，相比于用于支撑第二封装的器件的所述第二凹处深度基本上更深。
[0018]如本文所用，“基本上更深”指的是对于分别的凹处深度的至少0.2mm的深度差。在这种布置中，穿梭板可以起到用于未测试封装的器件的输入穿梭和测试封装的器件的输出穿梭的作用。随着左侧TS PnP与左侧穿梭一起工作而右TS PnP插入用于电气测试的封装的器件，这种布置的优点是增加的吞吐量。
[0019]如下所述，所公开的凹处在凹处中的不同高度(垂直)安置分别的凹处尺寸。结果，分别的安置位置彼此同轴。
[0020]通过公开的多封装穿梭板输送的封装的半导体器件包括传统的含引线封装、无引线封装的器件以及薄硅芯片级封装(WCSP)。一对(第一和第二)公开的多封装穿梭板可用于电子检测设备的测试处理器以电力测试封装的半导体器件。
[0021]如本文中所使用的测试“处理器”包括物理地放置一个或多个封装的电子器件在适当位置用于通过测试处理器接口至此的电气测试设备自动测试的。电子测试设备和适当位置的用于测试的任何封装的电子器件之间的接口通过一个或多个接触器。接触器是具有在测试下在器件的引线上关闭和打开的电引线的器件。在引线关闭的过程中，电子测试设备通常执行各种电气测试。
[0022]穿梭板100包括用于调整其相对的TS PnP槽的中心调整工具孔109以及显示允许穿梭板100安全连接到测试处理器的穿梭板夹112。穿梭板100 —般由金属或金属合金制成，如铝合金ALU6061是一个实施例。
[0023]图2A-C是根据示例性实施例的穿梭板部分的横截面的描绘，其包括具有多个安置面的示例凹处，用于安置具有不同的封装尺寸的多个不同封装的半导体器件。在图2A中所示的板部分210包括具有底部221的凹处220，以及示出为垂直侧壁的侧壁部分217。凹处220还包括在示出为Cl1的凹处深度的第一安置面218和在凹处深度d2提供第二安置面219的底部221，其中所述凹处深度是从金属板115的顶面116向底部221测量。
[0024]第一安置面218用于安置具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件，并且第二座表面219是用于放置具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件。第一凹处深度dl小于第二凹处深度d2，以致第一封装尺寸大于第二封装尺寸。
[0025]图2B和2C示出其中安置面包括在不同的凹处深度的凹处的侧壁部分中的凹口(或肩部)的实施例。公开的凹口可用切削工具通过车间制造或以其他合适的方法形成。在图2B中所示的板部分230包括凹处240，其包括在金属板115的顶面116之间延伸至深度d5的倾斜侧壁237。凹处240包括在第一凹处深度d3的第一凹口 238，用于支撑具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件，以及在第二凹处深度d4的第二凹口 239，用于支撑具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件。所述第一凹处深度d3小于所述第二凹处深度d4,以致第一封装尺寸大于第二封装尺寸。
[0026]在图2C中所示的板部分250包括凹处260，其包括在金属板115的顶面116之间延伸至深度d5的倾斜侧壁257。凹处240包括在第一凹处深度d6的第一凹口 258，用于支撑具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件，以及在第二凹处深度d7的第二凹口 259，用于支撑具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件，以及在第三凹处深度d8的第二凹口 261，用于支撑具有第三封装尺寸的第三封装的半导体器件。所述第一凹处深度d6小于比第三凹处深度d8小的所述第二凹处深度d7，以致第一封装尺寸大于比第三封装尺寸大的第二封装尺寸。在一个特定实施例中，第一封装尺寸为X乘X _，第二封装尺寸为χ-1乘x-lmm，并且第三封装尺寸为x-2乘x-2_ (例如，12X 12mm、11 X Ilmm和IOX IOmm)。
[0027]图3是处理器的转换套件硬件300的描绘，其包括IO PnP吸盘310、两个都包括在其中(只示出一个)的公开的穿梭板100以及包括PnP测试片321的16片TS PnP槽320。如上所述，IO PnP吸盘310连接在IO PnP顶端上，其负责拾取测试或测试后分类的封装的器件。由于公开的穿梭板如穿梭板100的多封装尺寸的能力，在保留用于封装到封装的转换的穿梭板100的同时，一些封装到封装的处理器转换套件不包括改变穿梭板100，并且只改变IO PnP吸盘310和TS PnP槽320。
[0028]图4A-F描绘示出为如上所述用于未测试器件的凹处260和用于测试封装的器件的凹处260’的公开凹处的操作，其为充当用于未测试封装器件的输入穿梭和用于测试器件的与用于具有三个不同封装尺寸的三个不同的封装器件的TS PnP槽片321接口的输出穿梭的公开的多封装穿梭板的凹处260的更深的变量。图4A-C描绘在用于分别的封装器件的穿梭拾取(测试前)的活动，并且图4D-F描绘在用于分别的封装器件的穿梭下落(测试后)的活动。如上所述，TS PnP槽单元如单元321与穿梭板的凹处一起夹在封装的半导体器件中间。
[0029]图4A描绘在适当位置的TS槽单元在测试之前在公开的多封装穿梭板的凹处260中拾取封装的器件335。在一个特定的实施例中，在图4A中所示的具有示例性尺寸
12.0mmX 12.0mm的封装的器件335通过在第一凹处深度d6的第一凹口 258安置在具有示例性尺寸12.3mmX 12.3mm的座位区内。图4B描绘了在适当位置的TS PnP槽单元324在测试之前拾取公开的多封装穿梭板的凹处260中的封装的器件345。具有示例性尺寸
11.0mmX 11.0mm的封装的器件345通过在第一凹处深度(原文错误，应为第二凹处深度)d7的第二凹口 259安置在具有示例性尺寸11.3mmXll.3mm的座位区内。图4C描绘了在适当位置的TS PnP槽单元327在测试之前拾取公开的多封装穿梭板的凹处260上的封装的器件355。具有示例性尺寸10.0mmX 10.0mm的封装的器件355通过在第三凹处深度d8的第三凹口 261安置在具有示例性尺寸10.3mmX 10.3mm的座位区内。在图4A-C的描绘从而示出安置封装的器件335、封装的器件345和封装的器件355的同样的凹处260，其中每个都有不同的尺度/尺寸。
[0030]图4D示出在封装的器件335通过测试器测试后在图4A中所示的在穿梭下落进入凹处260’的封装的器件335。如上所述用于测试封装的器件的凹处260’相比用于未测试封装的器件更深，以致在图4A-C中的用于凹处260而示出的d6、d7、d8和d9在图4D-4F中示出为 d6’、d/、d；和 d9’，其中 d6’ >d6, d/ >d7，d； >d8 并且 d9’ >d9。在图 4A-C 中的凹口 258、259和261在图4D-F中示出为凹口 258’、259’和261’。如图4D所示，封装的器件335安置在第一凹处深度d6’的第一凹口 258’上。图4E示出在穿梭下落进入凹处260’的封装的器件345 (在图4B中测试之前示出)，在封装的器件345通过测试器测试之后，其安置在第二凹处深度d/的第二凹口 259’上。图4F示出在穿梭下落进入凹处260’的封装的器件355 (在图4C中测试之前示出)，在封装的器件355通过测试器测试之后，其安置在第三凹处深度d8’的第三凹口 261’上。
[0031 ] 因此，在图4A-F示出的实施例中，在用于如图4A-C所示的未测试器件的穿梭拾取的穿梭板上的凹处的凹处深度相比如图4D-F所示的测试器件的穿梭下落的穿梭板上的凹处的凹处深度减小。如上所述，在较浅的未测试封装的器件的拾取过程中具有凹处深度有助于允许吸盘足够确保在封装的器件的表面能够可靠地拾取封装的器件。在用于测试封装的器件的穿梭下落的穿梭板上的凹处的基本上更深的凹处深度允许足够的间隙以脱离相对吸盘支持的封装的器件。例如，在一个特定实施例中，在测试后用于放置测试封装的器件的穿梭板上的凹处的凹处深度在一个特定的实施例中比用于放置未测试封装的器件的穿梭板上的凹处的凹处深度深0.6至1.2mm。
[0032]图5是包括公开的PnP处理器510示例电子检测系统500的简化方框图描绘，PnP处理器510包括具有输入和输出多封装穿梭板，其充当分别示出为左侧(或第一)多封装穿梭板100 (a)和右侧(或第二)多设多封装穿梭板100 (b)的用于未测试器件的输入穿梭和用于测试器件的输出穿梭。系统510的测试部分515包括电子测试设备518和接触器519,其作为电子检测设备518和用于测试的在适当位置的任何封装的电子器件之间的接口。
[0033]在操作中，PnP处理器510从输入区域521 (例如，其中有用于测试的操作员装载单元)输送封装半导体器件至电气测试发生的测试站点区域。穿梭板100 (a)和100 (B)也可以作为热浸板或冷浸板，以在移动至测试站点区域之前将封装器件带到所需的测试温度。分类托盘区域522包括分类托盘，其中测试封装的器件单元在测试后基于其装箱放置。
[0034]现在描述基于也在图5中描绘的示例性电子检测系统500的示例性工序流程。在501中，IO PnP臂状物从输入区域521拾取封装的器件，并将封装的器件放置在左侧多封装穿梭板100 (a)或右侧多封装穿梭板100 (b)。当在穿梭板上进行高温测试时这些封装的器件可热浸。在502的左侧多封装穿梭板100 (a)或右侧多封装穿梭板100 (b)移动到所示的测试站点区域。左侧TS PnP槽320 (a)从左多封装穿梭板100 (a)拾取封装的器件，并且右侧TS PnP槽320 (b)从右侧多封装穿梭板100 (b)拾取封装的器件。
[0035]在503中左侧TS PnP槽左侧TS PnP槽320 Ca)/右侧TS PnP槽320 (b)然后移动到接触器519以使这些封装的器件通过电子测试设备518进行电气测试。TS PnP槽支持封装的器件，并在测试过程中确保适当的接触和调整。经测试，在504中左侧TS PnP槽320 Ca)/右侧TS PnP槽320 (b)移动测试封装的器件远离接触器519，并在505测试封装的器件放置在左侧多封装穿梭板100 Ca)和/或右侧多封装梭板100 (b)(在测试凹处中放置)。在506中来自左侧多封装穿梭板100 (a)和/或右侧多封装穿梭板100 (b)的测试封装的器件通过IO PnP527拾取，在测试中其基于装箱测定将测试封装的器件放置在分类托盘区域522。
[0036]用于测试半导体器件的一种示例性方法包括第一电气测试具有第一尺寸的至少一个第一封装的半导体器件，其包括使用包括固定在测试处理器上的输入和输出多封装穿梭板的测试处理器从输入区域(其中有用于测试的操作员装载单元)使用输入多封装穿梭板输送第一封装的半导体器件至包括发生第一电气测试的第一接触器的测试站点区域，并且使用输入多封装穿梭板从测试站点输送至在输出区域的分类托盘。
[0037]—旦包括具有不同尺寸的封装的半导体器件的测试分配器呈现，测试处理器的硬件修改(并且一般输入一些软件参数)用于测试具有第二封装尺寸的至少一个第二封装的半导体器件。修改包括用第二接触器更换第一接触器。TS PnP槽和IO PnP吸盘也将替换。修改不包括更换或横向移动输入或输出多封装穿梭板(例如，移动至重新定位，以利用不同尺寸的凹处)。一些软件参数也可修改。
[0038]例如，设置的温度设定值(例如，从25°C至130°C)、装箱分配(例如，在测试后根据测试结果所述器件应该分类至什么平台或托盘应)、转换套件参数(例如，正确的器件放置的托盘和穿梭矩阵，以致封装的器件都集中在凹处中I)以及测试站点的接触压力。随着处理器的修改，电气测试在至少一个第二个封装的半导体器件上执行，其包括使用所述输入多封装穿梭板从输入区域输送所述第二封装的半导体至其中所述第二电气测试发生的测试站点区域，并使用输出多封装穿梭板从测试站点输送至在输出区域的分类托盘。
[0039]在示例性凹处设计中，所选封装尺寸认为是标准的。在器件封装尺寸的组合中，可以遵循的一般规则是在套件的器件封装尺寸的组合中的最大的器件封装尺寸将是标准的，参考点(或基线)。例如，对于结合12X 12mm、11 X Ilmm和10X IOmm封装的器件的尺寸的多封装凹处，12X 12mm认为是标准的，因为12X 12mm是在封装组合中最大的封装，以致与使得TS PnP槽与传统的TS PnP槽一样的传统的穿梭板相比，最大封装中的标准(对于这个示例是12X12mm)允许不改变凹处深度，并且由于典型的穿梭板的厚度限制穿梭板的凹处只能设计为变得更深，而不是变得更浅。
[0040]为修改以12X 12mm的基线开始的设置以允许IlX Ilmm或IOX 10mm，可包括使用所公开的包括凹处如凹处260的多封装穿梭板，在用于12 X 12mm封装的器件的凹处里的侧壁中的凹处260包括顶部凹口(或肩部切削)、在用于11 X Ilmm的器件的侧壁中的另一个凹口，以及接近用于IOX IOmm的封装的底部的另一个凹口。此外，该接触器固定板(控制TSPnP槽的X/Y轴移动的接触器的一部分)厚度可以修改以说明器件厚度的可能变化。
[0041]尽管上述示例一般是指包括安置12X 12mm (初级封装的器件)、11 X Ilmm (次级封装的器件)和IOXlOmm (三级封装的器件)的凹处的多封装穿梭板，公开的多封装穿梭板可以设计为具有多个封装尺寸的各种其他组合的封装尺寸，如(例如:23 X 23mm、22 X 22mm、21 X 21mm或18 X 18mm、13 X 13mm、7 X 7mm等)，或三个以上的封装尺寸，如四个或五个不同的封装尺寸。
[0042]公开的实施例将有助于由于显著减少的转换停机时间的自动测试设施以及由于较少的所需穿梭板硬件的较低的采购成本。公开实施例的公开的多封装尺寸方面将减少购买不同套的硬件的成本以及在转换过程中发生这种硬件改变的停机时间，如在转换时间约I小时的减少，从而导致生广力提闻。
[0043]公开的实施例可以结合到各种测试流程来测试各种不同的IC器件及相关产品。本公开涉及领域的技术人员将理解，在所要求的本发明的范围内，可以对所描述的实施例修改，并且很多其它实施例也是可以的。
【权利要求】
1.一种用于测试半导体器件的方法，其包括: 第一电气测试有第一封装尺寸的至少一个第一封装的半导体器件，其包括使用包括每个包括装配在测试处理器上的多个凹处的第一和第二多封装穿梭板的测试处理器从输入区域输送所述第一封装的半导体器件至所述第一电气测试发生在此的包括第一接触器的测试站点区域，并且从所述测试站点区域至在所述输出区域中的所述分类托盘， 修改用于测试具有第二封装尺寸的至少一个第二封装的半导体器件的所述测试处理器，其包括将所述第一接触器更换为第二接触器，其中所述修改不包括更换或横向地移动所述第一或所述第二多封装穿梭板，以及 第二电气测试至少所述第二封装的半导体器件，其包括使用所述第一和第二多封装穿梭板从所述输入区域输送所述第二封装的半导体至所述第二电气测试发生在此的所述测试站点区域，并从所述测试站点区域至在所述输出区域中的所述分类托盘。
2.该方法根据权利要求1的方法，其中所述多个凹处包括第一安置面，其包括在所述第一凹处深度的所述侧壁部分中的第一凹口，以及第二安置面，其包括在所述第二凹处深度的所述侧壁部分中的第二凹口。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述侧壁部包括倾斜的侧壁。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个凹处共享相同的凹处设计用于安置所述第一封装的半导体器件和所述第二封装的半导体器件。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二多封装穿梭板作为用于所述第一和第二封装的半导体器件未测试的一个的输入穿梭板以及用于所述第一和第二封装的半导体器件测试的一个的 输出穿梭板来利用。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一和第二多封装穿梭板各自包括所述多个凹处的一部分，提供第一凹处深度用于支承所述第一封装的半导体器件并且提供第二凹处深度用于支撑所述第二封装的半导体器件，并且所述多个凹处的另一部分是更深的凹处，其提供加深的第一凹处深度，相比于用于支撑所述第一封装的半导体器件的所述第一凹处深度基本上更深，以及加深的第二凹处深度，相比于用于支撑所述第二封装的半导体器件的所述第二凹处深度基本上更深。
7.—种电子测试系统,其包括: 拾取和放置(PnP)测试处理器，其包括第一和第二多封装穿梭板和至少一个测试地点(TS)的PnP槽配置用于从输入区域输送封装的半导体器件至测试地点区域进行检测，并在所述检测后从所述测试地点区域至输出区域，其中所述第一和所述第二多封装穿梭板包括: 金属板，其具有多个凹处，其中所述凹处具有底部、侧壁部分和凹处深度，其中所述凹处深度是从所述板的所述顶面向所述底部测量； 第一安置面，其在第一凹处深度，用于支撑具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件；以及 第二安置面，其在第二凹处深度，用于支撑具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件; 其中所述第一凹处深度小于所述第二凹处深度； 其中所述第一封装尺寸大于所述第二封装尺寸，以及其中，所述穿梭板适于装配在测试处理器上，以及 在所述测试地点区域的电子测试设备和至少一个接触器，所述接触器充当所述电子测试设备和用于所述测试半导体器件的所述封装半导体器件之间的接口，所述封装的电子设备插入到所述接触器。
8.根据权利要求7所述的测试系统，其中，所述第一安置面包括在所述第一凹处深度的所述侧壁部分中的第一凹口，并且所述第二安置面包括在所述第二凹处深度的所述侧壁部分中的第二凹口。
9.根据权利要求8所述的测试系统，其中所述侧壁部分包括倾斜的侧壁。
10.根据权利要求7所述的测试系统，其中所述多个凹处进一步包括在第三凹处深度的第三第二安置面，用于支撑具有第三封装尺寸的第三封装的半导体器件，其中，所述第二封装尺寸大于所述第三封装尺寸。
11.一种输入/输出穿梭板，其包括: 金属板，其具有多个凹处，其中所述凹处具有底部、侧壁部分和凹处深度，其中所述凹处深度是从所述板的所述顶面向所述底部测量； 第一安置面，其在第一凹处深度，用于支撑具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件；以及 第二安置面，其在第二凹处深度，用于支撑具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件; 其中所述第一凹处深度小于所述第二凹处深度； 其中所述第一封装尺寸大于所述第二封装尺寸，以及 其中，所述穿梭板适于装配在测试处理器上。
12.根据权利要求11所述的穿梭板，其中所述第一安置面包括在所述第一凹处深度的所述侧壁部分中的第一凹口，并且所述第二安置面包括在所述第二凹处深度的所述侧壁部分中的第二凹口。
13.根据权利要求12所述的穿梭板，其中所述侧壁部包括倾斜的侧壁。
14.根据权利要求11所述的穿梭板，其进一步包括穿梭板夹，用于将所述穿梭板连接到所述测试处理器。
15.根据权利要求11所述的穿梭板，其中所述多个凹处进一步包括在第三凹处深度的第三第二安置面，用于支撑具有第三尺寸的第三封装的半导体器件，其中所述第二封装的尺寸大于所述第三封装尺寸。
16.一种用于测试处理器的凹处到凹处的转换的变换套件，其包括: 多个拾取和放置(PnP)吸盘； 至少一个输入/输出穿梭板，其包括: 金属板，其具有多个凹处，其中所述凹处具有底部、侧壁部分和凹处深度，其中所述凹处深度是从所述板的所述顶面向所述底部测量； 第一安置面，其在第一凹处深度，用于支撑具有第一封装尺寸的第一封装的半导体器件；以及 至少一个第二安置面，其在第二凹处深度，用于支撑具有第二封装尺寸的第二封装的半导体器件；其中所述第一凹处深度小于所述第二凹处深度； 其中所述第一封装尺寸大于所述第二封装尺寸，以及 其中，所述穿梭板适于装配在测试处理器上，以及 多片测试地点(TS) PnP槽。
17.根据权利要求16所述的套件，其中所述第一安置面包括在所述第一凹处深度的第一侧壁部分中的第一凹口，并且所述第二安置面包括在所述第二凹处深度的第二侧壁部分的第二凹口。
18.根据权利要求17所述的套件，其中所述侧壁部分包括倾斜的侧壁。
19.根据权利要求18所述的套件，其进一步包括穿梭板夹，用于将所述穿梭板连接到所述测试处理器。
20.根据权利要求16所述的套件，其中所述多个凹处进一步包括在第三凹处深度的第三第二安置面，用于支撑具有第三封装尺寸的第三封装的半导体器件，其中所述第二封装尺寸大于所述第 三封装尺寸。
【文档编号】G01R31/26GK103718052SQ201280037954
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2012年6月4日 优先权日:2011年6月3日
【发明者】M·L·L·彭洪, J·K·G·塔法拉, R·G·阿格里斯, A·G·F·克维多, C·M·奎达图, A·H·S·巴塔-安 申请人:德克萨斯仪器股份有限公司