专利名称：基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电力电子应用领域，具体涉及一种利用双脉冲测试两电平变流器开关性能的电路。
背景技术：
随着电力电子技术的发展和应用领域的不断扩大，两电平变流器作为主流的拓扑结构在实际应用中仍占有较大的市场份额。而IGBT (绝缘栅双极型晶体管)自身及其驱动的技术指标，以及连接功率器件、直流支撑电容的叠层母排的技术性能，都是系统设计中的重要因素。在功率变换的应用场合，IGBT的死区设计是保证功率器件运行安全的主要手段，过小的死区将导致上下桥臂直通，造成器件过流甚至系统崩溃；过大的死区将增大系统的谐波输出，对负载以及电网造成污染。而死区设计的重要依据是变流器系统开通、关断时间的延时，包括IGBT自身的延时和驱动的延时。同时，二极管的反向恢复特性在变流器的换流过程中起着举足轻重的作用，如果不能快速地恢复到阻断状态，下一个桥臂开通时将把直流母线短路，造成器件的损坏，掌握反向恢复电流的峰值，有助于系统保护策略的设计。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，可以方便、精确地测量出两电平变流器系统开通、关断延时。实现上述目的的技术方案是:一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，所述两电平变流器包括单相两电平桥臂，该单相两电平桥臂包括串联的带反并联二极管的第一 IGBT和第二 IGBT、用于驱动所述第一 IGBT的第一 IGBT驱动电路以及用于驱动所述第二 IGBT的第二 IGBT驱动电路；所述测试电路包括所述第一 IGBT、所述第二 IGBT、所述第一 IGBT驱动电路、所述第二 IGBT驱动电路、脉冲发生器、直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器，其中:所述脉冲发生器分别连接所述第一 IGBT驱动电路和第二 IGBT驱动电路；所述第一 IGBT驱动电路连接所述第一 IGBT的门极；所述第二 IGBT驱动电路连接所述第二 IGBT的门极；所述第一 IGBT的发射极连接所述第二 IGBT的集电极；所述续流电抗器的一端连接所述第二 IGBT的集电极，另一端连接所述第二 IGBT的发射极；所述叠层母排的正端连接所述第一 IGBT的集电极、所述直流支撑电容的正极以及所述直流电源的正极；所述叠层母排 的负端连接所述第二 IGBT的发射极、所述直流支撑电容的负极以及所述直流电源的负极。[0014]本实用新型的有益效果是:本实用新型通过测试IGBT双脉冲触发的形式，精确地测量出两电平变流器系统中的IGBT驱动、IGBT的开通和关断延时，并测试反并联二极管的恢复特性，对于两电平变流器的死区和保护策略的设计起着非常重要的作用。本实用新型对实验条件要求宽松，便于实际操作，测试结果精度高。
图1是本实用新型基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路的电路图；图2为本实用新型的实验波形图；图3为本实用新型的第二个脉冲开通过程的实验波形图；图4为本实用新型的第二个脉冲关断过程的实验波形图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。两电平变流器包括单相两电平桥臂，该单相两电平桥臂包括两只串联的IGBT及其驱动，即第一 IGBT S1、第二 IGBT S2、用于驱动第一 IGBT SI的第一 IGBT驱动电路100以及用于驱动第二 IGBT S 2的第二 IGBT驱动电路200 ;其中，第一 IGBT SI和第二 IGBT S2
均带反并联二极管。请参阅图1，本实用新型的基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，包括第一 IGBT S1、第二 IGBT S2、第一 IGBT驱动电路100、第二 IGBT驱动电路200、脉冲发生器300、直流支撑电容C、叠层母排(图中未示)、直流电源DCs以及续流电抗器L，其中:第一 IGBT驱动电路100连接第一 IGBT SI的门极；第二 IGBT驱动电路200连接第二 IGBT S2的门极；本实施例中，第一、第二 IGBT驱动电路100、200均选用Concept公司型号为1SD210F2的的驱动板；脉冲发生器300通过光纤分别连接第一 IGBT驱动电路100和第二 IGBT驱动电路200，通过将电信号转化为光信号分别输给第一 IGBT驱动电路100和第二 IGBT驱动电路200，第一 IGBT驱动电路100和第二 IGBT驱动电路200将接收到的光信号转化为电信号，从而分别控制第一 IGBT SI和第二 IGBT S2 ;脉冲发生器300输出驱动电压Vpulse ;本实施例中，脉冲发生器300可以选用现有产品实现，例如:选择型号为NF1535的脉冲信号发生器；也可以通过自主开发的型号为WPDC BD V5.0的控制板实现；第一 IGBT SI的发射极连接第二 IGBT S2的集电极；续流电抗器L的一端连接第二 IGBT S2的集电极，另一端连接第二 IGBT S2的发射极；叠层母排的正端DC+连接第一 IGBT SI的集电极、直流支撑电容C的正极以及直流电源DCs的正极；叠层母排的负端DC-连接第二 IGBT S2的发射极、直流支撑电容C的负极以及直流电源DCs的负极。图1中，Lo l、Lo 2为叠层母排的等效杂散电感;AC表示交流输出。本实用新型的测试电路的工作原理，如下:直流电源DCs施加额定电压于叠层母排的正端DC+和负端DC-;脉冲发生器300通过第二 IGBT驱动电路200控制第二 IGBT S2保持关断，并通过第一 IGBT驱动电路100对第一 IGBT SI施加双脉冲，即:使得第一 IGBT SI在tO时刻开通、tl时刻关断、t2时刻再开通、t3时刻再关断。请参阅图2，为实用新型的实验波形图，图中Vpul se为驱动电压，Vge为第二 IGBTS2门极和发射极之间的门极电压，Vce为第一 IGBT SI集电极与发射极之间的电压，Ic为流过第一 IGBT SI集电极的电流；为了测试不同电压、电流等级下第一 IGBT SI的性能参数，需严格控制两个脉冲的开通和关断时间，需要直流电源DCs和续流电抗器L的相互协调；在第一个开通区间tO至tl内，电流Ic线性上升，此处的目的是保证在第二个开通时刻t2流过第一 IGBT SI的电流足够大至测试值Ictl (第一额定电流)。所需的开通时间可以由电感的动态特性得出:tl-tO=IctlXL/Vce ；在tl至t2时间内第一 IGBT SI关断，Ictl在续流电抗器L与第二 IGBT S2的反并联二极管组成的回路中续流至第一 IGBT SI再次开通时刻t2 ;—般情况下对IGBT的关断性能有更高的要求，即可以关断更大的电流；因此可以利用t2至t3的开通时间，将流经第一 IGBT SI的电流调节至更高的值Ict2 (第二额定电流)，所需的开通时间为:t3_t2=Ict2XL/Vce- (tl_t0)；请参阅图3，图3为图2中I区域的放大波形，即第二个脉冲开通过程的实验波形图。第一 IGBT SI再次开通后，续流电抗器L中的电流流经第一 IGBT SI，此时与第二 IGBTS2反并联的二极管承受反压，经历反向恢复过程。比较Vpulse和Vge脉冲上升沿的间隔，可以得到第一 IGBT驱动电路100的开通延时Tdonl ;当第一 IGBT SI完全开通时Vce下降至0，比较该时刻和Vge的上升沿，可以得出第一 IGBT SI自身的开通延时Tdon2 ;由此可以得到整个两电平变流器系统的开通延时Td0n=Tdonl+Tdon2 ；Ic尖峰的时间跨度为第二 IGBT S2反并联二极管的反向恢复时间Trr，并由此波形可以得到反向恢复的尖峰电流Irr-peako`请参阅图4，图4为图2中2区域的放大波形，即第二个脉冲关断过程的实验波形图。比较Vpulse和Vge脉冲下降沿的间隔，可以得到第一 IGBT驱动电路100的关断延时Tdoffl ;当第一 IGBT SI完全关断时Vce上升至直流母线电压DCs，比较该时刻和Vge的下降沿，可以得出第一 IGBT SI自身的关断延时Tdoff2;由此可以得到整个两电平变流器系统的关断延时 Tdoff=Tdoffl+Tdoff2。因此，本实用新型通过测试IGBT双脉冲触发的形式，精确地测试IGBT驱动、IGBT的开通和关断延时，以及测试反并联二极管的恢复特性，对于二电平变流器的死区和保护策略的设计起着非常重要的作用。
权利要求1.一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，所述两电平变流器包括单相两电平桥臂，该单相两电平桥臂包括串联的带反并联二极管的第一 IGBT和第二 IGBT、用于驱动所述第一 IGBT的第一 IGBT驱动电路以及用于驱动所述第二 IGBT的第二 IGBT驱动电路； 其特征在于，所述测试电路包括所述第一 IGBT、所述第二 IGBT、所述第一 IGBT驱动电路、所述第二 IGBT驱动电路、脉冲发生器、直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器，其中: 所述脉冲发生器分别连接所述第一 IGBT驱动电路和第二 IGBT驱动电路； 所述第一 IGBT驱动电路连接所述第一 IGBT的门极； 所述第二 IGBT驱动电路连接所述第二 IGBT的门极； 所述第一 IGBT的发射极连接所述第二 IGBT的集电极； 所述续流电抗器的一端连接所述第二 IGBT的集电极，另一端连接所述第二 IGBT的发射极； 所述叠层母排的正端连接所述第一 IGBT的集电极、所述直流支撑电容的正极以及所述直流电源的正极；所述叠层母排的负端连接所述第二 IGBT的发射极、所述直流支撑电容的负极以及所述直流电源 的负极。
专利摘要本实用新型公开了一种基于双脉冲的两电平变流器开关性能的测试电路，包括串联的第一IGBT和第二IGBT、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、脉冲发生器、直流支撑电容、叠层母排、直流电源以及续流电抗器。脉冲发生器通过第二IGBT驱动电路控制第二IGBT保持关断，并通过第一IGBT驱动电路对第一IGBT施加双脉冲；利用第二个脉冲开通过程测量第二IGBT反并联二极管的反向恢复特性，以及第一IGBT驱动电路和第一IGBT的开通延时；利用第二个脉冲关断过程，测量第一IGBT驱动电路和第一IGBT的关断延时。本实用新型简单易行，能精确测量出两电平变流器系统开通、关断延时。
文档编号G01R31/27GK203101550SQ20132004753
公开日2013年7月31日 申请日期2013年1月29日 优先权日2013年1月29日
发明者张鲁华, 尹正兵, 宋小亮, 吴竞之, 陈国栋, 董祖毅 申请人:上海电气集团股份有限公司