一种验证led白光芯片电压高与ito膜之间关系的方法

文档序号:6215216阅读:652来源:国知局
一种验证led白光芯片电压高与ito膜之间关系的方法
【专利摘要】本发明提供一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,包括以下步骤:1)选取测试中Vf1值高的异常芯片,首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20~60sec以除去其钝化层二氧化硅;2)将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片,再进行黄光P-SiO2光刻,黄光光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液100~150sec,将其他地方的ITO膜去掉,去光阻后,重新进行ITO蒸镀;3)蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100~200sec,露出N电极及走道;4)去光阻后,再进行ITO熔合,最后完成点测。本发明高效验证Vf1偏高与所蒸镀ITO膜层质量之间的联系,从而可以很直观的判定出ITO膜质量对电性Vf1的影响,对产线ITO蒸镀工序做出预警,有利于提升产品品质。
【专利说明】—种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED芯片制作【技术领域】,具体为一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法。
【背景技术】
[0002]在现有LED芯片抽测条件下,其电压值(Vf1)是一项重要的电性参数,而影响到Vfi值高的因素有很多,ITO膜层的质量就是其中一个重要的影响因素之一。实际生产中尚没有一种简易的方法能直接验证出Vf1值高与ITO膜层有直接的关系。

【发明内容】

[0003]本发明所解决的技术问题在于提供一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,以解决上述【背景技术】中的问题。
[0004]本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,包括以下步骤:
1)选取测试中Vf1值高的异常芯片,首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20?60sec以除去其钝化层二氧化硅;
2)将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片,再进行黄光P-SiO2光刻,以保护P电极以及电极下面的ITO膜层,黄光光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液100?150seC,将其他地方的ITO膜去掉,去光阻后,重新进行ITO蒸镀;
3)蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100?200seC,露出N电极及走道;
4)去光阻后,再进行ITO熔合,最后完成点测。
[0005]所述验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,其步骤为:选取测试中Vf1值高的异常芯片,首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液40seC以除去其钝化层二氧化硅;将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片,再进行黄光P-SiO2光刻,以保护P电极以及电极下面的ITO膜层,黄光光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液120sec,将其他地方的ITO膜去掉,去光阻后,重新进行ITO蒸镀;蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻150sec,露出N电极及走道;去光阻后,再进行ITO熔合,最后完成点测。
[0006]与已公开技术相比,本发明存在以下优点:本发明高效验证电压(Vf1)偏高与所蒸镀ITO膜层质量之间的联系,从而可以很直观的判定出ITO膜质量对电性Vf1的影响,对产线ITO蒸镀工序做出预警,有利于提升产品品质。
【专利附图】

【附图说明】
[0007]图1为本发明的芯片结构示意图。
[0008]图中:1、P电极,2、新镀 IT0,3、残留 ΙΤ0,4、P-SiO2 层,5、N 电极。
[0009]【具体实施方式】层为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解,下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0010]一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,包括以下步骤:
1)选取测试中Vf1值高的异常芯片,首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20~60sec以除去其钝化层二氧化硅;
2)将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片,再进行黄光P-SiO2光刻,以保护P电极以及电极下面的ITO膜层,黄光光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液100~150seC,将其他地方的ITO膜去掉,去光阻后,重新进行ITO蒸镀;
3)蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100~200seC,露出N电极及走道;
4)去光阻后,再进行ITO熔合,最后完成点测。
[0011]实施例1
一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,包括以下步骤:首先将芯片钝化层二氧化硅除去,露出下面的ITO膜层;为了保护金属P电极I以及电极下垫的氧化硅与ITO膜不被溶液破坏,需要进行黄光P_Si02光刻;光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液将其他地方多余的ITO膜去掉;再浸泡去膜剂将P_Si02光刻后的光阻去除掉,冲洗、甩干后重新进行ITO蒸镀;蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻,将N电极以及走道区域的ITO裸露出来,浸泡ITO蚀刻液蚀去除;然后浸泡去膜剂将ITO光刻后的光阻去掉,冲洗、甩干后进行ITO熔合,最后完成点测。
[0012]通过该验证方法,可以将原本电压数值偏高的异常芯片,使其Vf1值恢复正常,具
体验证数据如下:_
【权利要求】
1.一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,其特征在于:包括以下步骤: 1)选取测试中Vf1值高的异常芯片,首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20?60sec以除去其钝化层二氧化硅; 2)将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片,再进行黄光P-SiO2光刻,以保护P电极以及电极下面的ITO膜层,黄光光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液100?150seC,将其他地方的ITO膜去掉,去光阻后,重新进行ITO蒸镀; 3)蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100?200seC,露出N电极及走道; 4)去光阻后,再进行ITO熔合,最后完成点测。
2.根据权利要求1所述的一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,其特征在于:所述验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法,其步骤为:选取测试中Vf1值高的异常芯片,首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液40seC以除去其钝化层二氧化硅;将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片,再进行黄光P-SiO2光刻,以保护P电极以及电极下面的ITO膜层,黄光光刻完成后,浸泡ITO蚀刻液120seC,将其他地方的ITO膜去掉,去光阻后,重新进行ITO蒸镀;蒸镀完成后,进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻150sec,露出N电极及走道;去光阻后,再进行ITO熔合,最后完成点测。
【文档编号】G01R31/26GK103713251SQ201410002151
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2014年1月3日 优先权日:2014年1月3日
【发明者】储志兵 申请人:合肥彩虹蓝光科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1