半导体激光测试装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种半导体激光测试装置，其包括一个用于承载一个样品的导体载物台、一个电源、一个正对该导体载物台设置的光学系统及与该光学系统光学耦合的一个激光光源、一个成像装置及一个光谱仪。该电源包括一个阳极探针及一个阴极探针，该电源用于通过该阳极探针及该阴极探针向该样品输出一个工作电压以使该样品电致发光(EL)。该激光光源用于发射激光，该激光通过该光学系统投射在该样品上以使该样品光致发光(PL)；该成像系统用于通过该光学系统对EL或PL的该样品成像；该光谱仪用于通过该光学系统测量该样品EL或PL的波长。
【专利说明】半导体激光测试装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及半导体激光技术，特别涉及一种半导体激光测试装置。
【背景技术】
[0002] 由于具有体积小、效率高、寿命长、覆盖波长范围广等优点，半导体激光近年来广 泛应用在工业、医疗、美容等领域。由于使用条件越来越严苛，各应用领域对半导体激光的 要求越来越高，特别是对半导体激光的可靠性及波长范围的要求越来越高，所W需要对半 导体激光的可靠性及波长范围进行测试，W判断是否符合要求。
[0003] 半导体激光的制程包括在半导体晶圆（wafer)制备光共振腔后切割成半导体芯 片并封装半导体芯片为半导体组件。一般的，按照制备要求得到的半导体激光应该具有较 高的可靠性。然而，也可能存在灾变性光体损伤（catastrophic optical body damage, COBD)或灾变性光学镜面损伤(^catastrophic optical mirror damage, COMD)而导致半导 体激光失效（不具可靠性）。其中，COBD主要由于半导体晶圆内部结构损坏引起，而COMD 主要由于半导体组件的光共振腔的镜面损坏引起。
[0004] 另外，半导体激光的波长范围在半导体晶圆阶段就已确定。因此，为了提高成 品的良率，通常需要测量半导体晶圆光致发光（photoluminescence, PL)或是电致发光 (electroluminescence, EL)的光谱，W判断是否符合要求。
[0005] 目前，由于半导体激光测试的对象及项目较多，因此需要采用不同的设备，例如需 要采用不同的设备进行半导体晶圆的化及化测试，采用另外的设备观察半导体组件是否 存在C0MD，及采用另外的设备进行半导体组件的化测试，低效且成本高。 实用新型内容
[0006] 有鉴于此，有必要提供一种高效且成本低的半导体激光测试装置。
[0007] -种半导体激光测试装置，其包括：
[0008] -个用于承载一个样品的导体载物台；
[0009] 一个电源，包括一个阳极探针及一个阴极探针，该电源用于通过该阳极探针及该 阴极探针向该样品输出一个工作电压W使该样品电致发光巧L);
[0010] 一个正对该导体载物台设置的光学系统；及
[0011] 与该光学系统光学禪合的一个激光光源、一个成像装置及一个光谱仪；该激光光 源用于发射激光，该激光通过该光学系统投射在该样品上W使该样品光致发光（PU ;该成 像系统用于通过该光学系统对化或化的该样品成像；该光谱仪用于通过该光学系统测量 该样品化或化的波长。
[0012] 如此，该半导体激光测试装置可W同时对该半导体晶圆进行化及化测试，可W提 高效率并降低成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0013] 图I为本实用新型第一实施方式的半导体晶圆的立体示意图。
[0014] 图2为本实用新型第一实施方式的半导体组件的立体示意图。
[0015] 图3为本实用新型第一实施方式的半导体激光测试装置测试半导体晶圆的平面 示意图。
[0016] 图4为本实用新型第一实施方式的半导体激光测试装置测试半导体组件的平面 示意图。
[0017] 图5为本实用新型第二实施方式的半导体激光测试装置测试半导体晶圆的平面 示意图。
[0018] 图6为本实用新型第二实施方式的半导体激光测试装置测试半导体组件的平面 示意图。
[0019] 图7为本实用新型第H实施方式的半导体激光测试装置测试半导体晶圆的平面 示意图。
[0020] 图8为本实用新型第H实施方式的半导体激光测试装置测试半导体组件的平面 示意图。
[0021] 主要元件符号说明
[0022]
【权利要求】
1. 一种半导体激光测试装置，其包括： 一个用于承载一个样品的导体载物台； 一个电源，包括一个阳极探针及一个阴极探针，该电源用于通过该阳极探针及该阴极 探针向该样品输出一个工作电压以使该样品电致发光； 一个正对该导体载物台设置的光学系统；及 与该光学系统光学耦合的一个激光光源、一个成像装置及一个光谱仪；该激光光源用 于发射激光，该激光通过该光学系统投射在该样品上以使该样品光致发光；该成像装置用 于通过该光学系统对电致发光或光致发光的该样品成像；该光谱仪用于通过该光学系统测 量该样品电致发光或光致发光的光谱波长。
2. 如权利要求1所述的半导体激光测试装置，其特征在于，该光学系统包括： 一个正对该导体载物台设置的显微镜系统； 一个设置于该显微镜系统与该导体载物台相背一侧的分光装置，该分光装置与该显微 镜系统光耦合，并包括一个分光面；该成像装置设置在该分光面的发射光路上；及 一个设置在该分光面的透射光路上的Y形光纤，该Y形光纤包括一个正对该分光面设 置的收发端、一个出射端及一个入射端，该光谱仪正对该出射端设置且与该出射端光耦合 的光谱仪；该激光光源正对该入射端设置且于该入射端光耦合。
3. 如权利要求1所述的半导体激光测试装置，其特征在于，该光学系统包括： 一个正对该导体载物台设置的显微镜系统； 一个设置于该显微镜系统与该导体载物台相背一侧的分光装置，该分光装置与该显微 镜系统光耦合，并包括一个分光面；该成像装置设置在该分光面的发射光路上；及 两根光纤及一个耦合透镜，该光谱仪通过其中一根光纤与该分光装置光耦合，该激光 光源通过另一根光纤及该耦合透镜直接与该样品光学耦合。
4. 如权利要求1所述的半导体激光测试装置，其特征在于，该光学系统包括： 一个正对该导体载物台设置的显微镜系统； 一个设置于该显微镜系统与该导体载物台相背一侧的分光装置，该分光装置与该显微 镜系统光耦合，并包括一个分光面；该成像装置设置在该分光面的发射光路上；及 两根光纤及一个耦合透镜，该激光光源通过其中一根光纤与该分光装置光耦合，该光 谱仪通过另一根光纤及该耦合透镜直接与该样品光学耦合。
5. 如权利要求2-4任一项所述的半导体激光测试装置，其特征在于，该显微镜系统包 括一个物镜，该物镜包括一个正对该导体载物台的第一端及一个与第一端相背的第二端。
6. 如权利要求2-4任一项所述的半导体激光测试装置，其特征在于，该分光装置为三 棱镜。
【文档编号】G01N21/95GK204128985SQ201420380622
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年7月10日 优先权日:2014年7月10日
【发明者】胡海, 夏虹, 赵楚中, 刘文斌, 李成鹏 申请人:深圳清华大学研究院, 深圳瑞波光电子有限公司