一种半导体激光器的测试系统及测试方法与流程

本发明涉及一种半导体激光器的工作性能检测技术，具体地说是一种半导体激光器的测试系统及测试方法，属于半导体光电器件的制造技术领域。

背景技术：

随着半导体光电器件的制造技术的飞速发展，对光器件的可靠性要求越来越高，因此在生产过程中对器件的可靠性测试就非常有必要了。其中现有技术中关于器件在高低温的环境中工作的光功率稳定性的测试方法，一直是采用高端的芯片筛选法和客户终端的送样检测为主，传统上这样的检测会出现很多不确定的影响因素，使得生产过程不能进行有效的管控，同时还存在检验的周期长和成本高等问题。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种能够方便、有效、迅速可靠进行检测，从而缩短检验周期、降低检验成本，同时对生产过程进行有效管控的半导体激光器的测试系统及测试方法。

为了解决上述技术问题，本发明的半导体激光器的测试系统，包括待测光器件以及用于放置待测光器件的高低温循环箱，待测光器件与一个能够为待测光器件提供电流的电流源连接，待测光器件还与一个能够测试其出光功率的光功率计连接，电流源和光功率计的输出信号端均连接到一台计算机上。

一种上述半导体激光器的测试系统的测试方法，包括以下步骤:

A:在常温下用电流源给待测光器件加一个工作电流使出光功率为Po，测试其当前的背光电流Imo并记录；

B:在高温下用电流源给待测光器件加一个工作电流使背光电流为Imo，测试其当前的出光功率P1并记录；

C:在低温下用电流源给待测激光器加一个工作电流使背光电流为Imo，测试其当前的出光功率P2并记录；

D：使用计算机将记录的测试数值利用公式TE=10LOG(Pi/Po)计算出各种温度状态下待测光器件的光功率变化；

E: 若计算机的计算值TE＞1.5dB表示该光器件不能满足全温工作范围，若计算机的计算值TE≤1.5dB判定合格。

所述常温为25℃。

所述高温为85℃。

所述低温为-40℃。

测试完成后使高低温循环箱的温度工作在25℃，打开高低温循环箱的门取出光器件即可。

采用上述的结构和方法后，可以方便、有效、迅速地进行检测，预先判定一个激光器的工作稳定性和失效模式，从而大大缩短了检验的周期和降低了检验的成本，同时对生产过程进行有效的管控，将产品成本降到最低，同时保障了客户利益，其测试的方法简单方便，测试系统搭建的成本低。

附图说明

图1为本发明半导体激光器的测试系统的结构示意简图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，对本发明的半导体激光器的测试系统作进一步详细说明。

如图所示，本发明的半导体激光器的测试系统，其特征在于：包括待测光器件2以及用于放置待测光器件（激光器）2的高低温循环箱1，待测光器件2与一个能够为待测光器件2提供电流的电流源3连接，待测光器件2还与一个能够测试其出光功率的光功率计4连接，电流源3和光功率计4的输出信号端均连接到一台计算机5上。

本实施例半导体激光器的测试系统的测试方法中所指的高低温工作环境是-40℃～85℃器件工作的光功率变化，其检测方法的步骤如下:

A:在25℃常温下用电流源3给待测光器件2加一个工作电流使待测光器件的出光功率为Po，用电流源3测试出光器件当前的背光电流Imo并记录；

B: 把待测光器件2放入高低温循环箱1中，使高低循环箱温度工作在85℃，在85℃高温下用电流源3给待测光器件2加一个工作电流使背光电流为Imo，此时用光功率计4测试光器件当前的出光功率P1并记录；

C: 使高低循环箱温度工作在-40℃，在-40℃低温下用电流源3给待测激光器加一个工作电流使光器件的背光电流为Imo，此时用光功率计4测试光器件当前的出光功率P2并记录；

D：使用计算机5将记录的测试数值利用公式TE=10LOG(Pi/Po)计算出各种温度状态下待测光器件2的光功率变化；公式中Pi为高温或低温时光器件的出光功率值，Po为常温时光器件的出光功率值；

例如：高温85℃下激光器的光功率变化TE=10LOG(P1/Po)；低温-40℃下激光器的光功率变化TE=10LOG(P2/Po)。

E: 若计算机的计算值TE＞1.5dB表示该光器件2不能满足-40℃～85℃的全温工作范围，若计算机的计算值TE≤1.5dB判定合格。

测试完成后使高低温循环箱的温度工作在25℃，打开高低温循环箱的门取出光器件即可。