1.一种射频测量系统，其包括：
至少一个射频探针，所述至少一个射频探针被配置来通过介质发送和接收射频信号；
所述介质，所述介质包含第一材料，所述第一材料的介电性质随着暴露于至少一种第二材料对所述介质造成的变化而以预定的方式改变；以及
控制单元，所述控制单元被配置来基于所接收的射频信号确定所述第二材料在所述介质上的积聚。
2.如权利要求1所述的射频测量系统，其中所述第一材料的性质受所述第二材料的影响。
3.如权利要求2所述的射频测量系统，其中所述第一材料以物理或化学方式与所述第二材料相互作用。
4.如权利要求3所述的射频测量系统，其中所述第一材料储存所述第二材料，从而影响所述第一材料的介电常数。
5.如权利要求3所述的射频测量系统，其中所述第一材料导致所述第二材料的氧化。
6.如权利要求3所述的射频测量系统，其中所述介质是过滤元件，并且所述第一材料包括在所述过滤元件上的涂层。
7.如权利要求3所述的射频测量系统，其中所述介质是过滤元件，并且所述第一材料包括嵌入所述过滤元件中的颗粒。
8.如权利要求1所述的射频测量系统，其中所述控制单元基于从所接收的射频信号计算出的参数来确定积聚，其中所述参数选自由由以下组成的组：绝对功率衰减、相对功率衰减、绝对相移和相对相移。
9.如权利要求1所述的射频测量系统，其中所述介质用于第一目的，并且所述第一材料不改善所述介质的性能以执行所述第一目的。
10.一种射频测量系统，其包括：
样品调节系统，所述样品调节系统被设计成控制样品的条件；
腔，所述腔与所述样品调节系统连通；
至少一个射频探针，所述至少一个射频探针被配置来通过包含所述样品的所述腔发送和接收射频信号；以及
控制单元，所述控制单元被配置来基于在所述受控条件下所接收的射频信号确定所述样品的至少一个特性。
11.如权利要求10所述的射频测量系统，其中所述样品调节系统调整所述样品的温度。
12.如权利要求10所述的射频测量系统，其中所述样品调节系统调整所述样品中的水分的量。
13.如权利要求10所述的射频测量系统，其还包括：第一传感器，所述第一传感器设置在所述样品调节系统的上游；以及第二传感器，所述第二传感器设置在所述样品调节系统的下游，其中所述控制单元使用闭环控制来控制所述样品的所述条件。
14.一种射频测量系统，其包括：
样品腔，所述样品腔具有用于引入样品的端口；
测量腔；
可移动过滤元件，所述可移动过滤元件在所述样品腔与所述测量腔之间通过；
至少一个射频探针，所述至少一个射频探针被配置来通过所述测量腔发送和接收射频信号；以及
控制单元，所述控制单元被配置来基于所接收的射频信号确定所述样品的至少一个特性。
15.如权利要求14所述的射频测量系统，其中所述可移动过滤元件是设置在第一辊和第二辊上的条状过滤器，其中所述过滤元件通过旋转所述第一辊和所述第二辊从所述样品腔前进到所述测量腔。
16.一种射频探针，其包括：
内导体；
外导电套管；
介电材料，所述介电材料设置在所述外导电套管与所述内导体之间；以及
穿孔的外护套，所述穿孔的外护套与所述外导电套管电连通，从而形成封闭的容积，其中从所述内导体发送的射频信号包含在所述封闭容积内。
17.如权利要求16所述的射频探针，其中所述穿孔的外护套是导电的。
18.一种射频探针，其包括：
内导体；
外导电套管；
介电材料，所述介电材料设置在所述外导电套管与所述内导体之间，并且延伸超过所述内导体和所述外导电套管，以形成暴露的部分，其中材料积聚在所述暴露部分上。
19.一种射频测量系统，其包括：
非导电导管，样品穿过所述非导电导管；
导电腔，所述导电腔围绕所述非导电导管的至少一部分定位；
至少一个射频探针，所述至少一个射频探针被配置来通过所述导电腔发送和接收射频信号；以及
控制单元，所述控制单元被配置来基于所接收的射频信号确定所述样品的至少一个特性。
20.如权利要求19所述的射频测量系统，其中所述非导电导管和所述导电腔具有环形构型。
21.如权利要求19所述的射频测量系统，其中所述非导电导管在所述导电腔的特定区域内引导所述样品。
22.如权利要求21所述的射频测量系统，其中所述特定区域是低电场区域。
23.如权利要求21所述的射频测量系统，其中所述特定区域是高电场区域。
24.如权利要求19所述的射频测量系统，其中所述射频探针未暴露于所述样品。