一种传感器芯片结构的制作方法

本发明涉及一种车辆传感器芯片的结构改进。

背景技术：

国内现有的车辆传感器插装结构一般分为两类。

第一类方案：采用夹片式接触端子，由两个夹片夹住氧传感器芯片的Pt电极，接触端子与Pt电极产生电连接。为了保证端子与芯片电极的接触强度，会设计一个金属卡子，用工装打开卡然后夹住夹片端子和氧传感器芯片电极，利用金属卡子的夹紧力使端子与芯片电极牢固连接。夹片端子与芯片电极结合后，塞入被工装打开金属卡子，然后撤去工装，卡子夹紧。该方案的缺陷在于，在这个过程中，如果有粉尘或陶瓷碎屑存在于端子与电极的接触位置，粉尘与碎屑会被一同夹紧，影响端子与电极的连接，造成接触不良、电压信号丢失等故障。

第二类方案：为了克服第一类方案的不足，第二类方案采用陶瓷包裹的接触端子，利用陶瓷的紧固力固定接触端子，取消卡子的设计，装配时芯片Pt电极直接插入接触端子。陶瓷的紧固力可以使接触端子与芯片电极紧密连接，如果有粉尘或陶瓷碎屑存在于端子与电极的接触位置，芯片电极在装配过程中的插入动作，可以利用接触端子推开芯片电极表面的粉尘与碎屑，避免接触不良现象。该方案的缺陷在于，在这个过程中，接触端子会对芯片Pt电极层产生擦伤及穿透损坏，造成传感器短路或电压信号丢失。

技术实现要素：

本发明的目的是为克服上述问题，提出的一种传感器芯片结构。

本发明的技术方案包括接触座以及配合芯片，所述接触座两侧开口，内部安装接触端子，所述配合芯片包括芯片本体及其一端表面的电极，配合芯片带有电极的一端插入接触座一侧的开口内，所述电极与接触端子相接触形成电连接，电极表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层，进一步的，金属缓冲层可以根据实际情况设置为矩形或者U形使用；具有金属缓冲层的芯片电极与接触端子进行装配连接时，由于缓冲层的存在，避免了接触端子对芯片Pt电极层产生擦伤及穿透损坏，当接触端子将缓冲层划伤穿透后，正好与缓冲层下面的Pt电极层接触，实现可靠的电连接，同时克服了现有的第一类和第二类技术方案的不足，同时，芯片另一端插入六角基座内填充的透气线环中。

进一步的，为了改善如雨水、洗车、泥泞的道路等环境因素的影响造成的渗透进测试腔造成的失效故障，所述透气线环的材料为70％～80％四氟乙烯，余量为玻璃纤维；所述材料在280℃、空气交换率5％的空气循环电炉烘制一小时，并冷却成型，整体填充于端子内；透气线环尾部具有导线孔，导线由其进入六角基座内，与芯片接触，通过整体填充的形式利用材料优势达到透气效果，提高准确率。

进一步的，接触座可以设置为具有主体及延伸部，由通过卡扣相互配合的上盖与下盖组成，其中，上盖与下盖的接触面开设有埋入若干接触端子的安装槽；所述延伸部外表呈柱形结结构，外部套装有与形状相适应的C形的锁紧件，配合芯片插入后锁紧件与延伸部呈过盈配合，与芯片配合使用。

进一步的，接触座可以设置为前部连接衔接陶瓷，所述衔接陶瓷中部具有通槽，所述通槽内对向固定接触端子，任意一组接触端子之间具有供配合芯片插入的空隙，与芯片配合使用。

更进一步的，电极可以设置于芯片本体的正反两侧，配合不同的接触座使用。

附图说明

图1是本发明提出的芯片的结构示意图。

图2是本发明实施例1的结构示意图。

图3是本发明实施例2提出的衔接陶瓷的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本发明。

如图1所示，一种传感器芯片结构，包括接触座1以及配合芯片2，所述接触座1两侧开口，内部安装接触端子3，所述配合芯片1包括芯片本体及其一端表面的电极4，配合芯片2带有电极4的一端插入接触座1一侧的开口内，芯片另一端插入六角基座内填充的透气线环中，所述电极4与接触端子3相接触形成电连接，电极4表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层，金属缓冲层设置为矩形或者U形。

透气线环的材料为70％～80％四氟乙烯，余量为玻璃纤维；所述材料在280℃、空气交换率5％的空气循环电炉烘制一小时，并冷却成型，整体填充于端子内；透气线环尾部具有导线孔，导线由其进入六角基座内，与芯片接触。

如图2所示，接触座1包括主体及延伸部，由通过卡扣相互配合的上盖11与下盖12组成，其中，上盖11与下盖12的接触面开设有埋入若干接触端子3的安装槽；所述延伸部外表呈柱形结结构，外部套装有与形状相适应的C形的锁紧件，配合芯片2插入后锁紧件与延伸部呈过盈配合。

如图3所示，接触座前部连接衔接陶瓷21，所述衔接陶瓷21中部具有通槽，所述通槽内对向固定接触端子3，任意一组接触端子3之间具有供配合芯片2插入的空隙。

电极4设置于芯片本体的正反两侧。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。