半导体气体传感器及其封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型揭示了一种半导体气体传感器及其封装结构，半导体气体传感器包括：基底，基底包括相对设置的第一表面和第二表面；设置于第一表面上的功能层及设置于第二表面上的加热层；基底上设有若干通孔，通孔贯穿基底的第一表面和第二表面，通孔内形成有金属导电柱，金属导电柱一端与信号感测电极或加热电极电性连接，另一端与引出电极电性连接，金属导电柱与引出电极用于将信号感测电极引出至基底的第二表面或将加热电极引出至基底的第一表面。本实用新型通过引出电极将信号感测电极或加热电极引出至基底的同一侧，结合现有的PCB贴片技术，将半导体气体传感器直接贴装于PCB电路板上，缩小了封装尺寸，实现了电子器件的微型化封装。
【专利说明】
半导体气体传感器及其封装结构
技术领域
[0001]本实用新型属于电子器件制造技术领域，具体涉及一种半导体气体传感器及其封装结构。
【背景技术】
[0002]随着工业的快速发展，环境的污染问题也越来越严重，例如，汽车尾气中的CO、NOx、SOx等有害气体，室内装修中存在的甲醛、甲苯等，煤矿中泄漏的甲烷气体，化工生产中产生的易燃、易爆、毒害性气体等，这些有毒气体对人们的身体健康造成了严重的威胁。为了确保人身安全和防患于未然，人们研制了各种检测方法和检测仪器，其中，气体传感器在家居生活、排放监测、航空、医疗、卫生等领域发挥着重大的作用。
[0003]目前气体传感器种类繁多，应用范围广泛，大致可分为半导体式、电化学式、接触燃烧式、固体电解质式和红外线式等。其中半导体传感器因为检测灵敏度高、响应恢复时间短、元件尺寸微小、寿命长、价格低廉而越来越受到人们的重视。尤其是近年来随着微机械加工技术的发展，半导体气体传感器更是向着集成化、智能化方向发展。
[0004]现有的半导体气体传感器通常由基底、加热电极、信号感测电极和气体敏感材料组成。其中，加热电极和信号感测电极粘结铂丝，进行电加热和信号输出，再将铂丝和气体传感器管座上的金属支架进行焊接，压上管帽完成封装。传统的半导体气体传感器封装体积比较大，管座直径大于I Omm，管帽的高度也大于I Omm，在PCB电路板中占用的空间比较大，不利于电子器件的微型化，同时，铂丝的使用也增加了传感器的成本。而目前基于MEMS技术制备的气体传感器，虽然体积微小，但要经过复杂的半导体制备工艺，不利于成本的降低和环境的保护。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种半导体气体传感器及其封装结构，半导体气体传感器适于PCB(Printed Circuit Board)电路板表面贴装，结合目前比较成熟的PCI3贴片技术，能使得半导体气体传感器微型化。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型实施例提供的技术方案如下:
[0007]—种半导体气体传感器，所述半导体气体传感器包括:
[0008]基底，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面；
[0009]设置于第一表面上的功能层及设置于第二表面上的加热层，所述功能层包括相互电连接的信号感测电极和气体敏感层，所述加热层包括相互电连接的加热电阻和加热电极；
[0010]所述基底上设有若干通孔，所述通孔贯穿所述基底的第一表面和第二表面，通孔内形成有金属导电柱，所述金属导电柱一端与信号感测电极或加热电极电性连接，另一端与引出电极电性连接，金属导电柱与引出电极用于将信号感测电极引出至基底的第二表面或将加热电极引出至基底的第一表面。
[0011]作为本实用新型的进一步改进，所述通孔位于第一表面上信号感测电极覆盖的区域内，引出电极位于基底的第二表面上，金属导电柱电性连接所述信号感测电极和引出电极。
[0012]作为本实用新型的进一步改进，所述通孔位于第二表面上加热电极覆盖的区域内，引出电极位于基底的第一表面上，金属导电柱电性连接所述加热电极和引出电极。
[0013]作为本实用新型的进一步改进，所述第一表面上设有若干相互分离的信号感测电极，所述第二表面上设有若干相互分离的加热电极。
[0014]作为本实用新型的进一步改进，所述加热电极部分为接地设置，接地的加热电极与部分信号感测电极之间通过导电金属柱和引出电极之间电性连接，其余的加热电极和其余的信号感测电极之间为绝缘设置。
[0015]作为本实用新型的进一步改进，所述加热电极全部为非接地设置，全部的加热电极和全部的信号感测电极之间为绝缘设置。
[0016]作为本实用新型的进一步改进，所述加热电阻的几何形状为蛇形曲线、锯齿曲线、方波曲线、正方形或者长方形中的一种或多种的组合。
[0017]作为本实用新型的进一步改进，所述加热电阻上全部或部分设有绝缘介质层。
[0018]本实用新型另一实施例提供的技术方案如下:
[0019]—种半导体气体传感器的封装结构，所述封装结构包括PCB电路板及贴装于所述PCB电路板上的半导体气体传感器，所述PCB电路板上设有贯穿PCB电路板的贯穿孔，贯穿孔内形成有与PCB电路板固定且悬空的支架，所述半导体气体传感器上述的半导体气体传感器，半导体气体传感器上的引出电极及与引出电极位于同一表面上的信号感测电极或加热电极分别与所述支架贴装后电性连接。
[0020]作为本实用新型的进一步改进，所述支架上覆有金属线，所述支架端部设有若干与金属线电性连接的焊接部，半导体气体传感器上的引出电极及与引出电极位于同一表面上的信号感测电极或加热电极分别与所述焊接部焊接后电性连接。
[0021]作为本实用新型的进一步改进，所述封装结构还包括全部或部分覆盖半导体气体传感器的防尘网。
[0022]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0023]通过引出电极将信号感测电极或加热电极引出至基底的同一侧，结合现有的PCB贴片技术，方便半导体气体传感器的焊接封装，减少了贵金属的使用，节约了资源，降低了成本；
[0024]将半导体气体传感器直接贴装于PCB电路板上，缩小了半导体气体传感器的封装尺寸，实现了电子器件的微型化封装。
【附图说明】
[0025]图1是本实用新型第一实施方式半导体气体传感器第一表面的结构示意图；
[0026]图2是本实用新型第一实施方式半导体气体传感器第二表面的结构示意图；
[0027]图3是本实用新型第二实施方式半导体气体传感器第二表面的结构示意图；
[0028]图4是本实用新型第三实施方式半导体气体传感器第二表面的结构示意图；
[0029]图5是本实用新型第四实施方式半导体气体传感器第二表面的结构示意图；
[0030]图6是本实用新型第五实施方式半导体气体传感器第二表面不包括加热电阻的结构示意图；
[0031]图7是本实用新型第五实施方式半导体气体传感器第二表面包括加热电阻的结构示意图；
[0032]图8是本实用新型第六实施方式半导体气体传感器第二表面的结构示意图；
[0033]图9是本实用新型第七实施方式半导体气体传感器与PCB电路板的封装结构示意图；
[0034]图10是本实用新型第八实施方式半导体气体传感器与PCB电路板的封装结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
[0036]应当理解的是尽管术语第一、第二等在本文中可以被用于描述各种元件或结构，但是这些被描述对象不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将这些描述对象彼此区分开。例如，第一表面可以被称为第二表面，并且类似地第二表面也可以被称为第一表面，这并不背离本实用新型的保护范围。
[0037]同时，在不同的实施方式/实施例中可能会使用到相同的标号或标记，但这并不代表结构或者功能上的联系，而仅仅是为了描述的清楚简便。
[0038]参图1、图2所示，介绍本实用新型第一实施方式的半导体气体传感器。在本实施方式中，半导体气体传感器100包括:
[0039]基底10，该基底包括相对设置的第一表面11和第二表面12;
[0040]设置于第一表面11上的功能层，该功能层包括相互电连接的信号感测电极20和气体敏感层(未图示)；
[0041 ] 设置于第二表面12上的加热层，该加热层包括相互电连接的加热电极30和加热电阻40;
[0042]其中，基底10上设有通孔13，通孔13贯穿基底的第一表面11和第二表面，且通孔位于第一表面11上信号感测电极20覆盖的区域内，基底的第二表面12上形成有引出电极50，通孔13内形成有金属导电柱(未图示)，金属导电柱一端与信号感测电极20电性连接，另一端与引出电极50电性连接，金属导电柱与引出电极用于将信号感测电极20引出至基底的第二表面12。
[0043]基底10的材料选自双面氧化的硅片、玻璃片、石英片、氧化铝陶瓷片、氮化铝陶瓷片、氮化硅陶瓷片、碳化硅陶瓷片、氧化锆陶瓷片、聚酰亚胺薄膜等中的一种，基底的厚度为1um?5OOumο
[0044]基底上的通孔13由机械打孔或者激光打孔制得，优选地，本实施方式中的通孔形状为圆形，通孔孔径为10μπι~300μπι，在其他实施方式中也可以为方形、多边形等其他形状。通孔13内填充导电材料形成有金属导电柱，导电材料选自Pt、Au、Ag、Cu、Al、N1、W、Ag/Pd、Pt/Au中的任意一种或多种的组合。
[0045]本实施方式中第一表面11上的信号感测电极20包括第一信号感测电极21和第二信号感测电极22，第一信号感测电极21和第二信号感测电极22均设置为角形，且第一信号感测电极21和第二信号感测电极22呈中心对称分布，通孔13的数量与信号感测电极20的数量对应设置，每个信号感测电极覆盖的第一表面区域分别设有一个通孔13。
[0046]第二表面12上的加热电极30包括第一加热电极31和第二加热电极32，第一加热电极31和第二加热电极32均设置为纵长型，且第一加热电极31和第二加热电极32呈轴对称分布。
[0047]在第一加热电极31和第二加热电极32之间形成有与第一加热电极31和第二加热电极32分别电性连接的加热电阻40。加热电阻的形状根据加热层的不同形状做适当调整，但无论为何种形状，加热电极与加热电阻均电性连接，加热电阻根据需要设置成特定的形状，加热后为半导体气体传感器的工作提供特定的温度。如本实施方式中设置为长方形，在其他实施方式中也可以设置为正方形、蛇形曲线、锯齿曲线或者方波曲线等，通过改变加热电阻几何形状的长度、宽度以得到合理的电阻值。
[0048]引出电极50包括第一引出电极51和第二引出电极52，第一引出电极51和第二引出电极52分别与两个通孔13对应设置，第一引出电极51和第二引出电极52呈圆形分布，且覆盖第二表面12上对应通孔的区域。第一信号感测电极21通过对应的通孔内的金属导电柱与第一引出电极51电性连接，第二信号感测电极22通过对应通孔内的金属导电柱与第二引出电极52电性连接。
[0049]通过上述设置，可将第一表面11上的第一信号感测电极21和第二信号感测电极22引出至第二表面12上的第一引出电极51和第二引出电极52，贴装时只需在将基底的第二表面与对应的PCB电路板贴装即可。
[0050]优选地，加热电极、信号感测电极及引出电极的材料选自？1六11^8、01^1、祖、￥、Ag/Pd、Pt/Au中的一种，加热电极、信号感测电极及引出电极的厚度为0.1μπι~1000μπι。
[0051 ]加热电阻由金属薄膜或合金薄膜或金属氧化物薄膜制得，金属选自Pt、Au、Ag、Cu、AUN1、W中的一种，合金选自附/0、]/10/]/111、(]11/211、六8/?(1、？1:/^11、？6/&3中的一种，金属氧化物选自RuO2或SnO2: Sb2O3中的一种，加热电阻的厚度为0.1μπι~2000μπι。
[0052]应当理解的是，信号感测电极的形状、加热电极的形状、引出电极的形状、通孔的形状等并不限于上述实施方式中所描述的形状，也可以设置为其他形状，如矩形、方形、圆形等，此处不再一一举例进行详细说明。
[0053 ]本实施方式中半导体气体传感器的制备方法包括以下步骤:
[0054]提供一基底10，该基底包括相对设置的第一表面11和第二表面12;
[0055]在基底10上打孔，形成若干贯穿第一表面和第二表面的通孔13;
[0056]在基底的第一表面11形成信号感测电极20，在基底的第二表面12形成加热电极30和引出电极50;
[0057]在通孔13内填充导电材料，形成电性连接信号感测电极20与引出电极50的金属导电柱；
[0058]在基底的第一表面11形成气体敏感层；
[0059]在基底的第二表面12形成加热电阻。
[0060]进一步地，信号感测电极、加热电极、引出电极及加热电阻全部或部分通过真空蒸镀、磁控溅射、丝网印刷中的一种或多种制备而成。
[0061]具体地，结合图1所示，首先在基底10的第一表面11上，用激光在基底上打两个圆形的通孔12，用丝网印刷将导电浆料印制在第一表面11上，形成信号感测电极20，然后流平一定时间，在通孔13内填充导电材料，使得信号感测电极20与金属导电柱形成电连接，具体流平时间由制备工艺决定;或者通过磁控溅射或者真空蒸镀制备信号感测电极20，同样控制溅射或者蒸镀时间，在通孔13内填充导电材料，具体溅射或者蒸镀时间由制备工艺决定；
[0062]结合图2所示，然后在基底10的第二表面12上，用丝网印刷将导电浆料印制在第二表面12上，形成加热电极30和引出电极50，流平一定时间使得通孔内填充导电材料，在通孔13内填充的导电材料需完全填充整个通孔，进而形成金属导电柱，通过金属导电柱将第一表面的信号感测电极20和第二表面的引出电极50形成电连接；同样，加热电极30和引出电极50可以通过磁控溅射或者真空蒸镀制备，通过通孔13将第一表面的信号感测电极20和第二表面的引出电极50形成电连接；
[0063]通过丝网印刷、磁控溅射或者真空蒸镀在第二表面12上制备加热电阻40，加热电阻40与加热电极30电性连接。其中，加热电阻的几何形状为蛇形曲线、锯齿曲线、方波曲线、正方形或者长方形中的一种或多种的组合，本实施方式中的加热电阻40以长方形为例进行说明，无论以何种形式，加热电阻的目的是形成合适的加热电阻，为半导体气体传感器的工作提供特定的温度；同时，无论以何种形式，加热电极与加热电阻形成电连接，并方便在PCB电路板上进行贴片安装；
[0064]另外，还需在基底10的第一表面11上沉积气敏材料，形成气体敏感层(未图示)，该气体敏感层与信号感测电极20电性连接，根据检测气体的不同，气体敏感层可以选择不同的气敏材料。
[0065]气体敏感层组成气敏材料可以选自N型金属氧化物半导体、或P型金属氧化物半导体、或P、N双性金属氧化物半导体等，其中:
[0066]N 型金属氧化物半导体包括 Mg0、Ca0、Ti02、Zr02、V205、Nb205、Ta205、Mo03、W03、Zn0、Al 2Ο3、Ga203、ImCb、Sn02等中的一种或多种的组合；
[0067]?型金属氧化物半导体包括丫203、1^203工602、]/111203、(:0304、附0、？(10^820、8丨203、Sb2O3、TeO2等中的一种或多种的组合；
[0068]P、N双性金属氧化物半导体包括Hf02、Cr203、Fe203、Cu0等中的一种或多种的组合。
[0069]参图3所示，介绍本实用新型第二实施方式中的半导体气体传感器。与第一实施方式相比，本实施方式中在加热电阻40上形成有绝缘介质层60，绝缘介质层60部分覆盖在加热电阻40上，以对加热电阻40进行绝缘保护，避免其被氧化或者污染，当然，在其他实施方式中绝缘介质层60也可以全部覆盖加热电阻40，绝缘介质层60的形状根据不同的加热电阻的形状进行调整。
[0070]进一步地，本实施方式中的绝缘介质层60在加热电阻40上通过丝网印刷的方法进行制备，在其他实施方式中也可以通过其他方法制备，此处不再一一举例进行说明。
[0071]参图4所示，介绍本实用新型第三实施方式中的半导体气体传感器。与第一实施方式相比，本实施方式中的加热电阻40的几何形状为方波曲线，以形成合适的加热电阻，为半导体气体传感器的工作提供特定的温度，其余结构均与第一实施方式相同，此处不再进行赘述。
[0072]参图5所示，介绍本申请第四实施方式中的半导体气体传感器。与第三实施方式相比，本实施方式中在方波曲线的加热电阻40上形成有绝缘介质层60，绝缘介质层60部分覆盖在加热电阻40上，以对加热电阻40进行绝缘保护。本实施方式中绝缘介质层60的结构及制备方法与第二实施方式中完全相同，此处不再进行赘述。
[0073]参图6、图7所示，介绍本申请第五实施方式中的半导体气体传感器。与第一实施方式相比，本实施方式中对第一加热电极31、第一引出电极51、第二引出电极52的形状进行了变化，第一引出电极51和第二引出电极52设置为长方形，分别位于第二表面12的两侧，第一加热电极51设置为角形结构，加热电阻40电性连接在第一加热电极31和第一引出电极51之间。
[0074]类似地，本实施方式中的第一引出电极51和第二引出电极52分别通过通孔13内的金属导电柱与基底第一表面上的第一信号感测电极和第二信号感测电极电性连接。
[0075]其中，本实施方式中的第一加热电极31在电路中为接地设置，此时，第一引出电极51与第一加热电极31电性连接，可以实现共同接地，而第一信号感测电极与第一引出电极51通过金属导电柱电性连接，则第一信号感测电极与第一加热电极31也电性连接，最终实现第一信号感测电极与第一加热电极31的共同接地。
[0076]参图8所示，介绍本申请第六实施方式中的半导体气体传感器。与第五实施方式相比，本实施方式中在加热电阻40上形成有绝缘介质层60，绝缘介质层60部分覆盖在加热电阻40上，以对加热电阻40进行绝缘保护。
[0077]进一步地，本实施方式中的绝缘介质层60在加热电阻40上通过丝网印刷的方法进行制备，在其他实施方式中也可以通过其他方法制备，此处不再一一举例进行说明。
[0078]应当理解的是，本实用新型的目的是通过引出电极将信号感测电极与加热电极引出至基底的同一表面上进行后续贴装，而上述第一实施方式至第六实施方式中均以在基底10的第二表面12上设置引出电极为例进行说明，通过引出电极将基底第一表面11上的信号感测电极引出至第二表面上，半导体气体传感器的第二表面与PCB电路板进行贴装。在其他实施方式中也可以将引出电极设置于基底的第一表面11上，对应地，通过通孔及金属导电柱将引出电极与加热电极电性连接，将加热电极引出至第一表面上的引出电极，此时半导体气体传感器的第一表面与PCB电路板进行贴装。
[0079]参图9所示，介绍本申请第七实施方式中的半导体气体传感器的封装结构。该封装结构包括PCB电路板200及贴装于PCB电路板上的半导体气体传感器100，PCB电路板200上设有贯穿PCB电路板的贯穿孔201，贯穿孔201内形成有与PCB电路板固定且悬空的支架202，半导体气体传感器100第一实施方式至第四实施方式中的半导体气体传感器，半导体气体传感器上的引出电极及加热电极同时位于基底的第二表面上。支架202的数量与第二表面上引出电极和加热电极的总数量相等，且每个支架202与引出电极与加热电极位置--对应设置，如本实施方式中包括4个支架202。
[0080]具体地，支架201上覆有金属线，支架202端部设有若干与金属线电性连接的焊接部(未图示)，半导体气体传感器上的引出电极和加热电极分别与支架上的焊接部焊接后电性连接，支架202既具有支撑半导体气体传感器100的作用，又可以进行加热信号和/或传感信号的输入/输出。
[0081 ]优选地，本实施方式中PCB电路板可以为柔性电路板，也可以为刚性电路板，PCB电路板的厚度为0.05mm?2.0mm ；支架的厚度为0.05mm-0.3mm，宽度为0.05mm-0.5mm，长度为
0.5mm-5.0mm，以达到降低功耗和提供刚性支撑的目的。
[0082]进一步地，PCB电路板支架上的的金属线可以为铜线等，金属线的线宽应小于支架的宽度，并有阻焊层进行保护。
[0083]如本实施方式中半导体气体传感器和PCB电路板的封装方法具体为:
[0084]提供一 PCB电路板200，在PCB电路板200的表面上形成传感信号线路和加热信号线路，然后在PCB电路板上通过机械或者激光切割形成贯穿孔201，并在贯穿孔201内形成与PCB电路板固定且悬空的支架202，支架202具有支撑功能和电连接功能；
[0085]利用PCB电路板贴装技术，将半导体气体传感器100的第二表面12贴装到PCB电路板的支架202上，使得引出电极和加热电极与支架上的焊接部形成良好的电接触，将引出电极和加热电极分别通过支架与PCB电路板上的传感信号线路和加热信号线路电性连接，实现传感信号的输出与加热信号的输入。
[0086]参图10所示，介绍本申请第八实施方式中的半导体气体传感器的封装结构。该封装结构包括PCB电路板200及贴装于PCB电路板上的半导体气体传感器100，PCB电路板200上设有贯穿PCB电路板的贯穿孔201，贯穿孔201内形成有与PCB电路板固定且悬空的支架202，半导体气体传感器100第五实施方式或第六实施方式中的半导体气体传感器，半导体气体传感器上的引出电极及加热电极同时位于基底的第二表面上。支架202的数量与第二表面上引出电极和加热电极的总数量相等，且每个支架202与引出电极与加热电极位置--对应设置，与第七实施方式不同的是，本实施方式中包括3个支架202，其余结构或方法均与第七实施方式类似，此处不再详细进行赘述。
[0087]优选地，本实用新型第七实施方式和第八实施方式中的封装结构中，还可以在封装结构的表面设置防尘网，防尘网全部或部分覆盖半导体气体传感器，以对封装结构进行保护。
[0088]由以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下有益效果:
[0089]通过引出电极将信号感测电极或加热电极引出至基底的同一侧，结合现有的PCB贴片技术，方便半导体气体传感器的焊接封装，减少了贵金属的使用，节约了资源，降低了成本；
[0090]将半导体气体传感器直接贴装于PCB电路板上，缩小了半导体气体传感器的封装尺寸，实现了电子器件的微型化封装。
[0091]应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
[0092]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体气体传感器，其特征在于，所述半导体气体传感器包括: 基底，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面； 设置于第一表面上的功能层及设置于第二表面上的加热层，所述功能层包括相互电连接的信号感测电极和气体敏感层，所述加热层包括相互电连接的加热电阻和加热电极； 所述基底上设有若干通孔，所述通孔贯穿所述基底的第一表面和第二表面，通孔内形成有金属导电柱，所述金属导电柱一端与信号感测电极或加热电极电性连接，另一端与引出电极电性连接，金属导电柱与引出电极用于将信号感测电极引出至基底的第二表面或将加热电极引出至基底的第一表面。2.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述通孔位于第一表面上信号感测电极覆盖的区域内，引出电极位于基底的第二表面上，金属导电柱电性连接所述信号感测电极和引出电极。3.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述通孔位于第二表面上加热电极覆盖的区域内，引出电极位于基底的第一表面上，金属导电柱电性连接所述加热电极和引出电极。4.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述第一表面上设有若干相互分离的信号感测电极，所述第二表面上设有若干相互分离的加热电极。5.根据权利要求4所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极部分为接地设置，接地的加热电极与部分信号感测电极之间通过导电金属柱和引出电极之间电性连接，其余的加热电极和其余的信号感测电极之间为绝缘设置。6.根据权利要求4所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极全部为非接地设置，全部的加热电极和全部的信号感测电极之间为绝缘设置。7.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电阻的几何形状为蛇形曲线、锯齿曲线、方波曲线、正方形或者长方形中的一种或多种的组合。8.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电阻上全部或部分设有绝缘介质层。9.一种半导体气体传感器的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括PCB电路板及贴装于所述PCB电路板上的半导体气体传感器，所述PCB电路板上设有贯穿PCB电路板的贯穿孔，贯穿孔内形成有与PCB电路板固定且悬空的支架，所述半导体气体传感器为权利要求1?8中任一项所述的半导体气体传感器，半导体气体传感器上的引出电极及与引出电极位于同一表面上的信号感测电极或加热电极分别与所述支架贴装后电性连接。10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述支架上覆有金属线，所述支架端部设有若干与金属线电性连接的焊接部，半导体气体传感器上的引出电极及与引出电极位于同一表面上的信号感测电极或加热电极分别与所述焊接部焊接后电性连接。11.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括全部或部分覆盖半导体气体传感器的防尘网。
【文档编号】G01N27/00GK205720077SQ201620634315
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年6月24日
【发明人】张克栋, 顾唯兵, 王玲, 崔铮
【申请人】苏州纳格光电科技有限公司