一种单晶硅芯片压力传感装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种单晶硅芯片压力传感装置，其结构包括外管、导管、保护线路器、壳体、保护膜、传感板、单晶硅芯片、磁铁、衬底、单晶硅层、单晶硅薄膜、真空腔,所述壳体连接所述导管，所述导管两端连接着所述外管，所述壳体内部连接着所述保护线路器，所述导管连接着所述传感板，所述传感板连接着所述保护膜，所述传感板连接着所述单晶硅芯片，所述单晶硅芯片设有衬底，所述衬底之上设置有所述单晶硅层，所述单晶硅层设有所述单晶硅薄膜，所述单晶硅薄膜与所述衬底之间形成所述真空腔，所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构。本实用新型产品单晶硅芯片抗压性能高，不易损坏，传感信号不容易受到干扰。
【专利说明】
一种单晶硅芯片压力传感装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及电子感应设备领域，尤其涉及一种单晶硅芯片压力传感装置。
【背景技术】
[0002]传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。
[0003]现有技术公开了申请号为201520856831.9的一种检测装置，包括传感测头和传感器主体，所述传感测头与传感器主体连接，所述传感器主体设有上盖、扣合与上盖中的下盖和上、下盖周围的侧板，在传感器主体的内部还设有信息发送器;所述信息发送器包括电源、微处理器;在所述传感器主体的内部还设有报警器;但是抗压性能低，易损坏，传感信号容易受到干扰。
【实用新型内容】
[0004]对上述问题，本实用新型提供了一种单晶硅芯片压力传感装置，解决了抗压性能低，易损坏，传感信号容易受到干扰的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:一种单晶硅芯片压力传感装置，其结构包括外管、导管、保护线路器、壳体、保护膜、传感板、单晶硅芯片、磁铁、衬底、单晶硅层、单晶硅薄膜、真空腔，所述壳体连接所述导管，所述导管两端连接着所述外管，所述壳体内部连接着所述保护线路器，所述导管连接着所述磁铁，所述导管连接着所述传感板，所述传感板连接着所述保护膜，所述传感板连接着所述单晶硅芯片，所述单晶硅芯片设有衬底，所述衬底之上设置有所述单晶硅层，所述单晶硅层设有所述单晶硅薄膜，所述单晶硅薄膜与所述衬底之间形成所述真空腔，所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构。
[0006]进一步的，所述壳体为无焊接不锈钢。
[0007]进一步的，所述导管贯穿连接所述壳体。
[0008]进一步的，所述导管连接着所述保护线路器。
[0009]进一步的，所述真空腔的侧端面与上端面之间设置有弧形连接段。
[0010]由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优占.V.
[0011]本实用新型产品单晶硅芯片抗压性能高，不易损坏，传感信号不容易受到干扰。
【附图说明】
[0012]构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0013]图1为本实用新型一种单晶硅芯片压力传感装置的内部结构示意图；
[0014]图2为本实用新型一种单晶硅芯片压力传感装置的单晶硅芯片示意图。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0016]实施例1
[0017]参考图1和图2，一种单晶硅芯片压力传感装置，其结构包括外管1、导管2、保护线路器3、壳体4、保护膜5、传感板6、单晶硅芯片7、磁铁8、衬底1、单晶硅层12、单晶硅薄膜9、真空腔U，所述壳体4连接所述导管2，所述导管2两端连接着所述外管I，所述壳体4内部连接着所述保护线路器3，所述导管2连接着所述磁铁8，所述导管2连接着所述传感板6，所述传感板6连接着所述保护膜5，所述传感板6连接着所述单晶硅芯片7，所述单晶硅芯片7设有衬底10，所述衬底10之上设置有所述单晶硅层12，所述单晶硅层12设有所述单晶硅薄膜9，所述单晶硅薄膜9与所述衬底10之间形成所述真空腔11，所述真空腔11在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构，所述壳体4为无焊接不锈钢，所述导管2贯穿连接所述壳体4，所述导管2连接着所述保护线路器3，所述真空腔11的侧端面与上端面之间设置有弧形连接段。本实用新型产品单晶硅芯片抗压性能高，不易损坏，传感信号不容易受到干扰。
[0018]压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力(压力)使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。
[0019]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于:其结构包括外管(1)、导管(2)、保护线路器(3)、壳体(4)、保护膜(5)、传感板(6)、单晶硅芯片(7)、磁铁(8)、衬底(10)、单晶硅层(12)、单晶硅薄膜(9)、以及真空腔(11)，所述壳体(4)连接所述导管(2)，所述导管(2)两端连接着所述外管(1)，所述壳体(4)内部连接着所述保护线路器(3)，所述导管(2)连接着所述磁铁(8)，所述导管(2)连接着所述传感板(6)，所述传感板(6)连接着所述保护膜(5)，所述传感板(6)连接着所述单晶硅芯片(7)，所述单晶硅芯片(7)设有衬底(10)，所述衬底(10)之上设置有所述单晶硅层(12)，所述单晶硅层(12)设有所述单晶硅薄膜(9)，所述单晶硅薄膜(9)与所述衬底(10)之间形成所述真空腔(11)。2.根据权利要求1所述一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于:所述真空腔(11)在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构。3.根据权利要求1所述一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于:所述壳体(4)为无焊接不锈钢。4.根据权利要求1所述一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于:所述导管(2)贯穿连接所述壳体(4)。5.根据权利要求1所述一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于:所述导管(2)连接着所述保护线路器(3)。6.根据权利要求1所述一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于:所述真空腔(11)的侧端面与上端面之间设置有弧形连接段。
【文档编号】G01L9/08GK205691270SQ201620645808
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月27日 公开号201620645808.X, CN 201620645808, CN 205691270 U, CN 205691270U, CN-U-205691270, CN201620645808, CN201620645808.X, CN205691270 U, CN205691270U
【发明人】魏满妹
【申请人】魏满妹