发光二极管测试装置的制作方法

本实用新型是关于一种测试装置，且特别是有关一种发光二极管测试装置。

背景技术：

一般而言，在有关发光二极管(Light emitting diode；LED)的测试中，针对覆晶(Flip chip)的测试多以下收光架构为主。例如以探针点测位于胶膜上的发光二极管，并在发光二极管下方设置光侦测器，以确认发光二极管是否能正常发光或其发出的光线是否有达到标准，藉此来确保产品的合格率。

由于已知的发光二极管测试设备多是用来测试发出可见光的发光二极管，例如蓝光发光二极管，因此位于发光二极管下方的胶膜其材质一般为聚乙烯(Polyethylene；PE)或聚丙烯(Polyproylene；PP)。然而，聚乙烯或聚丙烯材质的胶膜对于紫外光发光二极管所发出的紫外光吸收过多，导致紫外光无法穿过并传递至光侦测器，因此已知的胶膜无法应用于紫外光波段。

技术实现要素：

本实用新型的一技术态样为一种发光二极管测试装置。

根据本实用新型一实施方式，一种发光二极管测试装置包含承载盘、紫外光膜、至少一探针与紫外光侦测器。承载盘具有透光部。紫外光膜位于承载盘的透光部上。紫外光膜用以承载紫外光发光二极管并供紫外光发光二极管的紫外光穿过。探针位于承载盘上方。探针用以对紫外光发光二极管供电而使其发出紫外光。紫外光侦测器位于承载盘下方。紫外光侦测器用以接收从紫外光膜与承载盘的透光部穿过的紫外光。

在本实用新型一实施方式中，上述紫外光膜包含粘胶层与透光层。透光层位于粘胶层与透光部之间。

在本实用新型一实施方式中，上述紫外光膜位于承载盘的透光部与探针之间。

在本实用新型一实施方式中，上述紫外光膜在承载盘的正投影与透光部重叠。

在本实用新型一实施方式中，上述紫外光膜对于紫外光的穿透率介于20％至60％。

在本实用新型一实施方式中，上述承载盘位于探针与紫外光侦测器之间。

在本实用新型一实施方式中，上述承载盘的正投影与紫外光侦测器重叠。

在本实用新型一实施方式中，上述当紫外光膜承载紫外光发光二极管且探针对紫外光发光二极管供电时，紫外光膜接触紫外光发光二极管的发光面，且探针电性接触紫外光发光二极管背对发光面的接点。

在本实用新型一实施方式中，上述紫外光膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶带。

在本实用新型一实施方式中，上述承载盘的透光部为石英玻璃片。

在本实用新型上述实施方式中，由于承载盘具有透光部，且紫外光膜位于承载盘的透光部上，因此当紫外光发光二极管位于紫外光膜上且朝紫外光侦测器发出紫外光时，紫外光可穿过紫外光膜与透光部而传递至紫外光侦测器。如此一来，紫外光侦测器便可检测紫外光发光二极管是否能正常发光或其发出的紫外光是否有达到标准，以确保产品的合格率。

附图说明

图1绘示根据本实用新型一实施方式的发光二极管测试装置的示意图；

图2绘示图1的发光二极管测试装置沿线段2-2的剖面图；

图3绘示图1的发光二极管测试装置使用时的剖面图；

图4绘示图1的发光二极管测试装置的紫外光膜与已知透光膜对光线的穿透率-波长关系图。

具体实施方式

以下配合附图说明本实用新型的多个实施方式，为简化附图，一些已知惯用的结构与元件将以简单示意的方式绘示。

图1绘示根据本实用新型一实施方式的发光二极管测试装置100的示意图。图2绘示图1的发光二极管测试装置100沿线段2-2的剖面图。同时参阅图1与图2，发光二极管测试装置100包含承载盘110、紫外光膜120、至少一探针130与紫外光侦测器140。其中，承载盘110具有透光部112，透光部112可位于承载盘110的中央区域。承载盘110的透光部112可以为石英玻璃片，但并不用以限制本实用新型。在本实施方式中，紫外光膜120凸出于承载盘110边缘区域的上表面，但并不用以限制本实用新型。举例来说，紫外光膜120亦可与承载盘110边缘区域的上表面共平面，或凹陷于承载盘110的边缘区域，依设计者需求而定。

紫外光膜120位于承载盘110的透光部112上。也就是说，紫外光膜120在承载盘110的正投影与透光部112重叠。紫外光膜120背对透光部112的表面(即图1紫外光膜120的上表面)可用来承载紫外光发光二极管，并供其发出的紫外光穿过。紫外光膜120可包含粘胶层122与透光层124，且透光层124位于粘胶层122与承载盘110的透光部112之间。在本实施方式中，紫外光膜120对于紫外光的穿透率可介于20％至60％，紫外光膜120可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate；PET)胶带，但并不用以限制本实用新型。

探针130位于承载盘110上方，紫外光膜120位于承载盘110的透光部112与探针130之间。探针130与紫外光膜120之间的距离可藉由向下移动探针130或向上移动承载盘110而改变。

此外，紫外光侦测器140位于承载盘110下方，使得承载盘110位于探针130与紫外光侦测器140之间。在本实施方式中，承载盘110的正投影与紫外光侦测器140重叠，使得紫外光侦测器140可接收从紫外光膜120与透光部112向下穿过的紫外光。

应了解到，已叙述过的元件连接关系与材料将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明发光二极管测试装置100在使用时的状态。

图3绘示图1的发光二极管测试装置100使用时的剖面图。当使用发光二极管测试装置100时，紫外光膜120承载紫外光发光二极管210。更详细地说，紫外光膜120的粘胶层122因具有粘性，因此可定位紫外光发光二极管210。在此状态下，探针130可电性接触紫外光发光二极管210而对紫外光发光二极管210供电。

在本实施方式中，紫外光发光二极管210可以为覆晶(Flip chip)，紫外光发光二极管210的相对两表面可分别具有发光面212与接点214。紫外光膜120可接触紫外光发光二极管210的发光面212，也就是发光面212贴附于紫外光膜120的粘胶层122。探针130可电性接触紫外光发光二极管210背对发光面212的接点214，使探针130可导通紫外光发光二极管210。如此一来，紫外光发光二极管210便可被点亮而朝向紫外光侦测器140的方向出光。

在本实施方式中，探针130与紫外光发光二极管210的接点214数量可皆为二，例如两探针130分别电性接触紫外光发光二极管210的正极与负极接点214，以对紫外光发光二极管210供电。

由于承载盘110的中央部分设有透光部112，且紫外光膜120位于承载盘110的透光部112上，因此当紫外光发光二极管210位于紫外光膜120上且朝紫外光侦测器140发出紫外光时，紫外光可穿过紫外光膜120与承载盘110的透光部112，进而传递至紫外光侦测器140，例如图3两虚线间的紫外光范围。这样的设计，紫外光侦测器140便可检测紫外光发光二极管210是否能正常发光，或检测紫外光发光二极管210发出的紫外光是否有达到所要求的标准(例如光强度)，以确保产品的合格率。

图4绘示图1的发光二极管测试装置100的紫外光膜120与已知透光膜对光线的穿透率-波长关系图。如图所示，连线L1为不同波长光线穿过紫外光膜120(见图1)的量测数据，而连线L2为不同波长光线穿过已知透光膜(例如PP膜或PE膜)的量测数据。其中，连线L2在波长介于230nm至260nm的波段显示出穿透率不稳定的情况，此情况为量测到的实验值过小所造成。

一般而言，紫外光波长可介于230nm至400nm，在此波段中，连线L1的量测数据明显高于连线L2的量测数据，紫外光膜120对于紫外光的穿透率可介于20％至60％。此外，紫外光-C(UVC)的波长可介于230nm至300nm，在此波段中，紫外光膜120对于紫外光的穿透率可达到20％至50％。

虽然本实用新型已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟悉此技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。