IGBT及FRD芯片动态测试夹具的制作方法

文档序号:11178775阅读:1745来源:国知局
IGBT及FRD芯片动态测试夹具的制造方法与工艺

本实用新型涉及一种芯片测试夹具,本实用新型尤其是涉及一种IGBT及FRD芯片动态测试夹具。



背景技术:

当前,因IGBT芯片从研发、设计、工艺定型、芯片封装到最终的产品使用,这个过程周期长、效率低、问题多,这些都会对新产品的研发定型或产品优化带来不可避免的麻烦。为了加快产品的研发、优化速度并对封装的产品提前做好相关参数的测试,就会加快芯片器件设计、优化的效率。目前国内对芯片级的测试只是出于静态测试,动态测试还处于盲区,因此就需要一种能够提供高效、安全、精准测试的芯片动态模块测试夹具。



技术实现要素:

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种可以进行高效、安全且精准测试的IGBT及FRD芯片动态测试夹具。

按照本实用新型提供的技术方案,所述IGBT及FRD芯片动态测试夹具,在壳体内固定有隔板,在隔板上开设有抽气口,在隔板上设有芯片吸腔,在芯片吸腔的上腔板上开设有负压吸口,隔板上方的壳体上安装有惰性气体输入接口、惰性气体输出接口与负母排端口,在芯片吸腔上方设有可插拔测试探针与栅极测试探针,可插拔测试探针的连接线从负母排端口接出,在隔板下方的壳体上安装有抽气管、正母排端口与通讯控制保护接口,正母排端口的连接线接在芯片吸腔的上腔板上,抽气管通过抽气口与芯片吸腔相连,在隔板下方的壳体内设有驱动板,驱动板与栅极测试探针相连,由驱动板的平移带动栅极测试探针的平移,在隔板下方设有陪测功率器件,在陪测功率器件上安装有第一负载电感插孔与第二负载电感插孔。

在所述芯片吸腔上方设有第一可调刻度盘、长度可调刻度杆与连接杆,长度可调刻度杆的上端部安装在第一可调刻度盘上,连接杆转动安装在长度可调刻度杆的下端部,可插拔测试探针安装在连接杆的下端部。

在所述隔板上方的壳体内设有第二可调刻度盘,栅极测试探针与第二可调刻度盘相连,第二可调刻度盘与驱动板相连。

本实用新型可以在不同温度下,根据不同电压电流等级的IGBT芯片调整不同的测试探针来安全、可靠、测试芯片,根据测试的结果分析,从而加快芯片研发、优化的速度。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。

该IGBT及FRD芯片动态测试夹具,在壳体20内固定有隔板19,在隔板19上开设有抽气口,在隔板19上设有芯片吸腔4,在芯片吸腔4的上腔板上开设有负压吸口,隔板19上方的壳体上安装有惰性气体输入接口11、惰性气体输出接口12与负母排端口15,在芯片吸腔4上方设有可插拔测试探针5与栅极测试探针7,可插拔测试探针5的连接线从负母排端口15接出,在隔板19下方的壳体20上安装有抽气管18、正母排端口14与通讯控制保护接口13,正母排端口14的连接线接在芯片吸腔4的上腔板上,抽气管18通过抽气口与芯片吸腔4相连,在隔板19下方的壳体20内设有驱动板3,驱动板3与栅极测试探针7相连,由驱动板3的平移带动栅极测试探针7的平移,在隔板19下方设有陪测功率器件2,在陪测功率器件2上安装有第一负载电感插孔16.1与第二负载电感插孔16.2。

在所述芯片吸腔4上方设有第一可调刻度盘9、长度可调刻度杆8与连接杆17,长度可调刻度杆8的上端部安装在第一可调刻度盘9上,连接杆17转动安装在长度可调刻度杆8的下端部,可插拔测试探针5安装在连接杆17的下端部。

在所述隔板19上方的壳体20内设有第二可调刻度盘10,栅极测试探针7与第二可调刻度盘10相连,第二可调刻度盘10与驱动板3相连。

本实用新型的测试夹具除了具备温度可调之外,更重要的是测试测试平台可以对不同电压、电流等级、不同芯片面积的IGBT或FRD芯片进行短路或双脉冲测试。在进行短路或双脉冲测试前根据芯片电压、电流等级及芯片大小调节可插拔测试探针5的位置,甚至可以更换可插拔测试探针5,并且在可插拔测试探针5选择完毕后,若还不能对待测试芯片1进行可靠的测试,如接触压力大小等,那么可以利用第一可调刻度盘9进行调节,根据需要把第一可调刻度盘9分成2n份,先粗调,然后根据刻度盘细调,直至达到需要的位置,最后固定;

长度可调刻度杆8,可以通过调节其长短,来达到接触甚至可靠压接的要求;第一可调刻度盘9的作用主要在可插拔测试探针5、连接杆17、长度可调刻度杆8固定后,然后再根据测试要求适度调整最终固定第一可调刻度盘9的位置;栅极测试探针7具有弹性形变要求,主要是在测试时对待测试芯1片接触较紧;第二可调刻度盘10所起的作用和第一可调刻度盘9所起的作用一致。

在DBC上对IGBT芯片进行测试前,把测试平台和相关的静态、动态设备连接,然后利用相关的测试程序对IGBT芯片进行测试,通过测试把测试结果进行保存,然后对测试结果进行分析总结,最后达到优化器件设计的目的。

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