本发明涉及元器件测试领域，特别是指一种异步FIFO特殊功能测试方法。
背景技术：
：：目前可编程逻辑器件越来越广泛，种类也越来越多，基于SRAM(StaticRandomAccessMemory)工艺和基于FIFO(FirstInputFirstOutput)工艺都有广泛的应用。前期已经对SRAM和FIFO做了大量的技术研究和测试程序攻关工作。某些异步FIFO具有ReadDataFlowThrough功能和WriteDataFlowThrough功能。对于ReadDataFlowThrough模式，在向空存储器写入一个数据后允许立刻将该数据读出。在此期间，管脚信号会有一个脉冲(先由低电平变为高电平再由高电平变为低电平)。对于WriteDataFlowThrough模式，在从满的存储器中读出一个数据后允许立刻写入一个数据。在此期间管脚信号也会有一个脉冲(先由低电平变为高电平再由高电平变为低电平)。目前对ReadDataFlowThrough功能测试及WriteDataFlowThrough功能测试关注甚少，因此需要对ReadDataFlowThrough功能测试以及WriteDataFlowThrough功能测试进行一定的深入研究。技术实现要素：有鉴于此，本发明的目的在于提出一种异步FIFO特殊功能测试方法，完成对于异步芯片的ReadDataFlowThrough功能和WriteDataFlowThrough功能的测试。基于上述目的本发明提供的一种异步FIFO特殊功能测试方法，包括以下步骤：将被测器件与测试系统平台连接；在测试系统平台上定义包括电源管脚在内的相关管脚参数；在测试系统平台上定义包括电平参数和时序参数在内的相关参数，并为相关参数赋值；建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的测试向量，在功能测试中测试管脚和管脚在脉冲之后的低电平部分，在交流测试中测试管脚和管脚脉冲的高电平部分；建立Testflow，对ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式进行功能验证。进一步，所述在功能测试中测试管脚和管脚在脉冲之后的低电平部分，包括：对ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式下的功能进行模拟，并将两种模式下管脚与管脚的采样时刻设置在脉冲之后，测试管脚与管脚在脉冲之后的低电平部分。进一步，所述在交流测试中测试管脚和管脚脉冲的高电平部分，包括：采用Specsearch方法对交流参数tWEF与tRFF进行测试。进一步，所述SpecSearch方法的扫描方法为线性方法，步长为0.1ns。进一步，所述SpecSearch方法按照给定的交流测试电平、时序及向量，扫描被测交流参数的不同值得到使相应的测试向量由PASS到FAIL或者由FAIL到PASS的临界值，临界值即为交流参数tWEF和tRFF的值。进一步，所述采用Specsearch方法对交流参数tWEF与tRFF进行测试的步骤包括：定义电平相关参数，其中ACtest需满足被测器件数据手册中给定的交流测试条件；定义包括访问时间、管脚与管脚采样时刻、交流参数tWEF与交流参数tRFF在内的相关时序参数，其中管脚的采样时刻等于管脚上升沿时刻加上tWEF，管脚的采样时刻等于管脚上升沿时刻加上tRFF；建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的测试向量，对两种模式下的功能进行模拟，验证和两个管脚信号脉冲的高电平部分；建立Testflow测试tWEF和tRFF两个交流参数，其测试方法为ac_tml.AcTest.SpecSearch。进一步，所述相关管脚参数，包括功能测试的参数与交流参数测试的参数在内的所有测试所需参数。进一步，所述相关电平参数与时序参数以及相关参数的赋值需满足功能测试与交流参数测试的参数设置与赋值要求。进一步，所述测试管脚与管脚在脉冲之后的低电平部分，其测试方法为ac_tml.AcTest.FunctionalTest。从上面所述可以看出，本发明提供的测试方法，实现了对异步FIFO芯片的ReadDataFlowThrough功能测试及WriteDataFlowThrough功能测试，并验证了ReadDataFlowThrough和WriteDataFlowThrough两种模式下和两个管脚的相关功能，提高了测试覆盖率，为具备该功能的异步FIFO测试开发奠定技术基础。同时在测试过程中减少了测试时间，提高了测试效率。附图说明图1为本发明实施例的用于进行异步FIFO特殊功能测试的测试平台的连接图；图2为本发明实施例的异步FIFO特殊功能测试方法的流程图；图3为本发明实施例的ReadDataFlowThrough模式的时序图；图4为本发明实施例的WriteDataFlowThrough模式的时序图。具体实施方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。本发明采用V93000系统对芯片进行测试，如图1所示，为本发明实施例的用于进行特殊功能测试的测试平台的连接图。其中被测器件IDT72V06为一具有ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式的异步FIFO芯片。DPS为V93000系统的电源通道，管脚1～25为V93000系统的数字通道。V93000系统的DPS给芯片IDT72V06的Vcc管脚提供电源电压，V93000系统的数字通道给芯片IDT72V06的D8～D0、管脚提供输入信号，芯片IDT72V06的Q8～Q0、管脚输出信号到V93000系统的数字通道以供其采样，芯片IDT72V06的和GND管脚接地。对于ReadDataFlowThrough模式，在向空存储器写入一个数据后允许立刻将该数据读出。在此期间，管脚信号会有一个脉冲(先由低电平变为高电平再由高电平变为低电平)。对于WriteDataFlowThrough模式，在从满的存储器中读出一个数据后允许立刻写入一个数据。在此期间，管脚信号也会有一个脉冲(先由低电平变为高电平再由高电平变为低电平)。在具体的调试过程中发现ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式下管脚和管脚的脉冲宽度很窄，导致在较短时间内即需要重新调整参数重新测试，使测试时间延长，测试效率降低，不便于通用性测试。故本发明通过功能测试与交流参数测试两种方式完成以上两种模式的测试：在功能测试中，测试管脚和管脚在脉冲之后的低电平部分；在交流测试中，测试管脚和管脚脉冲的高电平部分。参照图2所示，示出了本发明实施例的异步FIFO特殊功能测试方法的流程图，其包括以下步骤：S100：将被测器件与测试系统平台连接；S200：在测试系统平台上定义包括电源管脚在内的相关管脚参数；S300：在测试系统平台上定义包括电平参数和时序参数在内的相关参数，并为相关参数赋值；S400：建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的测试向量，在功能测试中测试管脚和管脚在脉冲之后的低电平部分；在交流测试中测试管脚和管脚脉冲的高电平部分；S500：建立Testflow，对ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式进行功能验证。在步骤S100中，将被测器件包括电源信号管脚、输入信号管脚、输出信号管脚在内的所有管脚与测试系统连接；在步骤S200中，为被测器件定义相关管脚参数，包括在数字引脚设置中定义除电源管脚外的所有管脚的相关参数，以及在DPS管脚设置中定义电源管脚相关参数。其具体方法为：在PinSettings中的DigitalPins中定义除电源管脚外的所有管脚的包含Name、No、Type及TesterChannel在内的所有相关参数，在DPSPins中定义电源管脚的包含Name、Polarity及TesterChannel在内的所有相关参数，并选择相应的DPSChannelMode。在步骤S300中，定义包括电源电平、输入脉冲电平在内能满足功能测试与交流参数测试的相关电平参数，并为相关参数赋值。其具体方法包括：在Level中的Equation中建立EQNSET1“Functional”，在EQNSET1“Functional”中定义SPECS和LEVELSET1“With_load”；在SpecTool中建立多个LevelsSpecification，包含VCCnorm、VCCmin、VCCmax以及ACtest，并给相应的LevelsSpecification赋值，其赋值需满足芯片功能测试要求与交流参数测试要求。在步骤S300中，还需定义包括访问时间、采样时刻在内能满足功能测试与交流参数测试的相关时序参数，并为相关参数赋值。其中在功能测试中时序相关参数的定义与赋值的方法包括：在Timing中的Equation中建立EQNSET1“timingequationset”，在EQNSET1“timingequationset”中定义SPECS和TIMINGSET1“Functional”；在WaveTables中建立WAVETBL“wavetablename”；在SpecTool中建立TimingSpecification(分别名为ReadFlowThrough和WriteFlowThrough)，并给相应的TimingSpecification赋值。参数定义与赋值需满足对被测器件进行功能测试的要求。本发明测试管脚和管脚脉冲的高电平部分的测试原理为：交流参数tWEF是指从写使能信号变为高电平到管脚信号变为高电平的时间，交流参数tRFF是指从读使能信号变为高电平到管脚信号变为高电平的时间，并且从图3中的ReadDataFlowThroughMode时序图可以看出管脚信号在管脚上升沿之后的tWEFns时刻由低电平变为高电平，同理从图4中的WriteDataFlowThroughMode时序图可以看出管脚信号在管脚上升沿之后的tRFFns时刻由低电平变为高电平，所以通过测试tWEF和tRFF两个交流参数可以达到测试和管脚信号脉冲的高电平部分的目的。基于该原理，在步骤S300中，在交流参数测试中时序参数定义与赋值的具体方法包括：在EQNSET1“timingequationset”中定义TIMINGSET2“tA”，令管脚的采样时刻等于管脚上升沿时刻加上tWEF，令管脚的采样时刻等于管脚上升沿时刻加上tRFF；在SpecTool中建立TimingSpecification，TimingSpecification中包含tWEF和tRFF在内的满足交流参数测试的所有参数设置要求。在步骤S400中，所述在功能测试中测试管脚和管脚在脉冲之后的低电平部分，其包括以下内容：建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的测试向量，分别名为Read_Flow_Through_Mode和Write_Flow_Through_Mode，对ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式下的功能进行模拟，并将两种模式下管脚与管脚的采样时刻设置在脉冲之后，测试管脚与管脚在脉冲之后的低电平部分。其具体方法为：对于ReadDataFlowThrough模式，向空存储器写入一个数据后立刻将该数据读出，此时看到Q8～Q0管脚在的上升沿之后的(tWEF+tA)ns有数据输出，且管脚信号有一个脉冲，即先由低电平变为高电平再由高电平变为低电平；对于WriteDataFlowThrough模式，从满的存储器中读出一个数据后立刻写入一个数据，在的上升沿时刻，新数据经由D8～D0管脚被写入FIFO中，此时也有一个脉冲，即先由低电平变为高电平再由高电平变为低电平。将管脚与管脚的采样时刻选择在脉冲之后，此时采集到的管脚与管脚信号为低电平。基于测试管脚和管脚脉冲高电平部分的原理，在步骤S400中，所述在交流测试中测试管脚和管脚脉冲的高电平部分的具体方法包括：建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的测试向量，采用SpecSearch方法测试交流参数tWEF和tRFF，从而验证ReadDataFlowThrough和WriteDataFlowThrough两种模式下和两个管脚信号脉冲的高电平部分。其中采用SpecSearch方法测试交流参数tWEF和tRFF的具体步骤为：SpecSearch的扫描方法为线性方法，步长为0.1ns；按照给定的交流测试电平、时序及pattern，扫描被测交流参数的不同值得到使相应的pattern由PASS到FAIL或者由FAIL到PASS的临界值；临界值即为交流参数tWEF和tRFF的值。在步骤S500中，其具体方法为：建立测试流程(Testflow)，对ReadDataFlowThrough模式与WriteDataFlowThrough模式进行测试。其中功能测试分别在VCC＝3V、3.3V、3.6V下进行了Read_Flow_Through_Mode和Write_Flow_Through_Mode的功能验证，其测试方法为ac_tml.AcTest.FunctionalTest；对ReadDataFlowThrough模式下交流参数tWEF与WriteDataFlowThrough模式下交流参数tRFF的测试，其测试方法为ac_tml.AcTest.SpecSearch。本发明的实施例中采用了V93000测试系统进行说明，但本发明并不限于V93000测试系统，采用其他测试系统也可实现该测试方法，并且该测试方法可应用于其他类似芯片。所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本发明难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本发明难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本发明的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本发明的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本发明。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。尽管已经结合了本发明的具体实施例对本发明进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。本发明的实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 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