硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器的制作方法

本发明提出了硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器，属于微电子机械系统(MEMS)的技术领域。

背景技术：

二十一世纪是信息科学技术的时代，在这个时代中，信号的检测技术是人们一直重视和研究的一门技术，尤其是在当今的军事、通信以及航空航天等领域，对各种形形色色的信号的检测是一项非常重要的任务，一个信号有着三大非常重要的参数：频率、相位和功率，按照频率来划分可以分为低频信号、高频信号和极高频信号，其中毫米波信号就是一种极高频的信号，它位于微波和远红外波相交叠的区域，目前对于低频信号和高频信号的检测技术已经日益完善，但是对极高频的毫米波信号的检测技术还存在着诸多问题，现今的信号检测器大多只能对信号的频率、相位以及功率等进行单独的测量，集成度不是很高，而且它们的结构都较为复杂，有着很多高频效应，受到这些问题的影响，毫米波信号的检测技术一直无法得到有效的完善与发展。

随着对共面波导缝隙耦合结构、T型结功分器、T型结功合器以及直接式热电式功率传感器的深入研究，本发明在高阻Si衬底上设计了一种将毫米波频率、相位和功率检测集成在一起的信号检测器，这种信号检测器结构简单，制作成本较低，解决了当今毫米波频段信号检测器的诸多问题。

技术实现要素：

技术问题：本发明的目的是提供一种硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器，本发明采用了共面波导缝隙耦合结构来解决信号频率检测、相位检测和功率检测的集成化问题，在功率分配和功率合成方面则采用了T型结功分器和T型结功合器结构，在功率检测方面采用了直接式热电式功率传感器，这三种结构能够高效的集成在一起进行测量，为毫米波信号的检测打下了坚实牢固的基础。

技术方案：本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器制作在高阻Si衬底上，是由共面波导传输线、四个尺寸相同的缝隙耦合结构、移相器、两个尺寸相同的单刀双掷开关、一个T型结功分器、三个T型结功合器以及六个直接式热电式功率传感器所构成，具体结构的连接关系如下：第一端口是信号输入端，一号缝隙耦合结构和二号缝隙耦合结构位于共面波导传输线上侧地线，三号缝隙耦合结构和四号缝隙耦合结构则位于共面波导传输线下侧地线，这两对缝隙关于中心信号线对称，它们之间由一个移相器隔开，首先来看频率检测模块，一号缝隙耦合结构连接到第二端口，第二端口与一号单刀双掷开关的输入端相连，一号单刀双掷开关的输出端分别连接到一号T型结功合器和一号直接式热电式功率传感器，同样的，二号缝隙耦合结连接到第三端口，第三端口与二号单刀双掷开关的输入端相连，二号单刀双掷开关的输出端分别连接到一号T型结功合器和二号直接式热电式功率传感器，而一号T型结功合器的输出端连接到三号直接式热电式功率传感器；再看相位检测模块，三号缝隙耦合结构与第四端口相连，第四端口连接到二号T型结功合器，四号缝隙耦合结构与第五端口相连，第五端口连接到三号T型结功合器，参考信号通过四号T型结功分器的输入端输入，四号T型结功分器的输出端分别连接到二号T型结功合器和三号T型结功合器，然后，二号T型结功合器的输出端连接四号直接式热电式功率传感器，三号T型结功合器的输出端连接五号直接式热电式功率传感器，最后是功率检测模块，在第六端口处连接着六号直接式热电式功率传感器。

当毫米波信号在共面波导传输线上传播时，共面波导上的缝隙耦合结构可以耦合出小部分的电磁场信号，这部分被耦合出的小信号拥有与原信号相同的相位和频率，因此可以通过某些电路来检测信号的频率和相位，此外，由于缝隙耦合出来的信号能量较小，大部分的信号还是会继续通过共面波导向后传播，最后通过直接式功率传感器来检测功率的大小。首先，对于毫米波的频率检测模块，它主要是由共面波导上方的两个缝隙耦合结构、一段移相器、两个单刀双掷开关、一个T型结功合器以及一个直接式热电式功率传感器所构成，毫米波信号首先经过第一个缝隙耦合结构耦合出小部分的信号P₁，然后经过一段移相器之后再由另一个缝隙耦合结构耦合出部分的信号P₂，这样两个耦合信号之间就产生了一定的相位差实际上这段移相器就是一段共面波导传输线，它的长度设置为以中心频率f₀为35GHz处波长的1/4，此时相位差就是90°，但是当频率f变化时，相位差是频率f的函数：

其中f为毫米波信号的频率，c为光速，ε_er为传输线的相对介电常数，ΔL为移相器的长度，因此只要测出的值，就能得到频率f的大小。于是将两个耦合信号P₁、P₂经过T型结功合器进行合成，再用直接式功率传感器去检测合成信号功率P_s的大小，合成信号的功率P_s是关于相位差的三角函数关系：

由于耦合信号P₁、P₂的大小未知，因此这里采用了两个单刀双掷开关将两个耦合出来的小信号率先进行功率检测，得到其功率大小，然后再通过T型结功合器进行功率合成，于是由公式(2)就能计算出频率f的大小。注意这里的相位差只是两个耦合小信号之间的相位差，并不是原毫米波信号的相位Φ，还需要通过相位检测模块来精确确定原毫米波信号的相位Φ。

对于毫米波的相位检测模块，同样地也是由两个缝隙耦合结构耦合出部分小信号P₃和P₄，由于缝隙尺寸相同，所以它们的功率大小等于之前测得的耦合小信号P₁和P₂，它们的初始相位都为Φ，只是其中第二个缝隙耦合信号多传播了相位参考信号P_c经过T型结功分器分解成左右两路一模一样的信号，左边一路信号与第一个缝隙耦合信号进行功率合成，得到合成功率P_L，它是关于相位Φ的三角函数关系；而右边一路信号与第二个缝隙耦合信号进行功率合成，得到合成功率P_R，它是关于相位的三角函数关系；

其中P₃＝P₁、P₄＝P₂，结合这两个关系式，不仅可以得到相位Φ的大小，还可以得到相位的超前或滞后关系，实现了-180°～+180°的相位检测。

有益效果：在本发明中，采用了简单新颖的缝隙耦合结构，这种缝隙耦合结构能够将在共面波导中传播的电磁场能量耦合出小部分，利用这耦合出的小信号来检测原毫米波信号的频率和相位大小，这样就很好的解决了毫米波信号的频率、相位和功率检测的集成化，同时由于耦合出的信号能量非常小，因此几乎对原毫米波信号影响不大，原毫米波信号可以继续向后传播进行功率测量，本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器采用了结构简单新颖的缝隙耦合结构，将频率、相位和功率检测集成到了一起，大大提高了信号检测器的效率，具有较高的潜在应用价值。

附图说明

图1为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器的俯视图

图2为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器中单刀双掷开关的俯视图

图3为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器中单刀双掷开关AA’方向的剖面图

图4为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器中T型结功分器和T型结功合器的俯视图

图5为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器中直接式热电式功率传感器的俯视图

图6为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器中直接式热电式功率传感器AA'方向的剖面图

图7为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器中直接式热电式功率传感器BB'方向的剖面图

图中包括：频率检测模块1，相位检测模块2，功率检测模块3，共面波导传输线4，缝隙耦合结构5-1，缝隙耦合结构5-2，缝隙耦合结构5-3，缝隙耦合结构5-4，移相器6，高阻Si衬底7，二氧化硅层8，扇形缺陷结构9，空气桥10，金属臂11，半导体臂12，欧姆接触13，热端14，冷端15，输出电极16，隔直电容17，隔直电容下极板18，Si₃N₄介质层19，隔直电容上极板20，衬底膜结构21，一号单刀双掷开关22，二号单刀双掷开关23，开关梁24，锚区25，开关下拉电极板26，第一端口1-1，第二端口1-2，第三端口1-3，第四端口1-4，第五端口1-5，第六端口1-6。

具体实施方案

本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器，该信号检测器制作在高阻Si衬底7上，是由共面波导传输线4、一号缝隙耦合结构5-1、二号缝隙耦合结构5-2、三号缝隙耦合结构5-3、四号缝隙耦合结构5-4、移相器6、一号单刀双掷开关22、二号单刀双掷开关23、一个T型结功分器、三个T型结功合器以及六个直接式热电式功率传感器所构成。

单刀双掷开关22是由共面波导传输线4、锚区25、Si₃N₄介质层19、开关下拉电极板26和开关梁24组成的，共面波导传输线4连接到锚区25上，锚区25与两条不同支路上的开关梁24相连接，其中一条支路连接直接式热电式功率传感器，另一条支路连接T型结功合器的输入端，开关梁24下方存在着一层空气间隙，在这个空气间隙中安置有开关下拉电极板26，而在开关下拉电极板26上还覆盖着一层Si₃N₄介质层19。

T型结功分器和T型结功合器的结构是相同的，主要由共面波导传输线4、两个扇形缺陷结构9和三个空气桥10构成，扇形缺陷结构9是位于两个输入端口处的扇形形状的缺陷地结构，而空气桥10是位于中心信号线上方的梁结构。

采用直接式热电式功率传感器来实现热电转换，它主要是由共面波导传输线4、两个热电偶和一个隔直电容17所构成，其中每个热电偶是由金属臂11和半导体臂12串联组成，因为金属臂11实际上就是作为该热电式功率检测器的终端电阻，所以这种直接式的热电式功率传感器是一种自加热型功率传感器，它的两个热电偶直接与信号线相连，热电偶的中间区域作为热端，两边边缘区域作为冷端，这样当毫米波信号的能量被金属臂11吸收后，根据seebeck效应就能测出热电势，需要注意的是在热电偶的中间区域即热端处会将衬底减薄，这样热能就不会从衬底耗散掉，增大了热端与冷端的温差，从而也提高了热电转换效率。

具体结构方案如下：第一端口1-1是信号输入端，一号缝隙耦合结构5-1和二号缝隙耦合结构5-2位于共面波导传输线4上侧地线，三号缝隙耦合结构5-3和四号缝隙耦合结构5-4则位于共面波导传输线4下侧地线，这两对缝隙关于中心信号线对称，它们之间由一个移相器6隔开，首先来看频率检测模块1，一号缝隙耦合结构5-1连接到第二端口1-2，第二端口1-2与一号单刀双掷开关22的输入端相连，一号单刀双掷开关22的输出端分别连接到一号T型结功合器和一号直接式热电式功率传感器，同样的，二号缝隙耦合结构5-2连接到第三端口1-3，第三端口1-3与二号单刀双掷开关23的输入端相连，二号单刀双掷开关23的输出端分别连接到一号T型结功合器和二号直接式热电式功率传感器，而一号T型结功合器的输出端连接到三号直接式热电式功率传感器；再看相位检测模块2，三号缝隙耦合结构5-3与第四端口1-4相连，第四端口1-4连接到二号T型结功合器，四号缝隙耦合结构5-4与第五端口1-5相连，第五端口1-5连接到三号T型结功合器，参考信号通过四号T型结功分器的输入端输入，四号T型结功分器的输出端分别连接到二号T型结功合器和三号T型结功合器，然后，二号T型结功合器的输出端连接四号直接式热电式功率传感器，三号T型结功合器的输出端连接五号直接式热电式功率传感器，最后是功率检测模块3，在第六端口1-6处连接着六号直接式热电式功率传感器。

本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器的制备方法为：

1)准备高阻Si衬底7(4000Ω·cm)，厚度为400um；

2)热氧化生长一层SiO₂层8，厚度为1.2um；

3)淀积一层多晶硅，P型离子注入(掺杂浓度为10¹⁵cm^-2)，以达到制作热电偶金属臂11的电阻率要求。

4)利用掩模版对要制作热电偶P型半导体臂12的地方再次进行P型离子注入，达到P型半导体臂12的电阻率要求；

5)涂覆光刻胶，对多晶硅层进行光刻，最终形成热电偶的金属臂11和P型半导体臂12；

6)在热电偶的金属臂11和P型半导体臂12连接处制作欧姆接触13；

7)在衬底上涂覆光刻胶，去除传输线、隔直电容17、输出电极16和开关下拉电极板26处的光刻胶，蒸发一层种子层Ti，厚度为然后制备第一层金，厚度为0.3um，通过剥离工艺去除保留的光刻胶，连带去除在光刻胶上面的金属层，初步形成传输线、隔直电容的下极板18、输出电极16和开关下拉电极板26；

8)在前面步骤处理得到的Si衬底上，通过PECVD生成一层厚的Si₃N₄介质层，光刻Si₃N₄介质层，仅保留要制作隔直电容17、空气桥10和开关梁24处的Si₃N₄介质层19；

9)淀积一层1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层，要求填满所有凹坑；光刻聚酰亚胺牺牲层，仅保留空气桥10和开关梁24下方的聚酰亚胺牺牲层；

10)涂覆光刻胶，去除预备制作传输线、隔直电容17、输出电极16、空气桥10和开关梁23处的光刻胶，蒸发一层种子层Ti，厚度为制备第二层金，厚度为2um，最后，去除保留的光刻胶，形成传输线、隔直电容的上极板20、输出电极16、空气桥10和开关梁24；

11)在衬底的背面涂覆光刻胶，去除预备在衬底背面形成薄膜结构21地方的光刻胶，在热电偶中间区域即热端13下方刻蚀减薄Si衬底，形成衬底膜结构21，保留约为40μm厚的膜结构；

12)释放聚酰亚胺牺牲层，以去除空气桥10和开关梁24下方的聚酰亚胺牺牲层；最后，在去离子水中浸泡5分钟，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干。

本发明的不同之处在于：

本发明采用了新颖的缝隙耦合结构，这种缝隙耦合结构能够将在共面波导中传播的电磁场能量耦合出一部分，从而利用这耦合出的部分小信号来检测原毫米波信号的频率和相位大小；功率分配器和功率合成器采用T型结功分器和T型结功合器的结构来实现功率的平分或合成；至于功率检测器，则采用直接式热电式功率传感器来实现热电转换。这些结构简单有效，降低了制作成本，同时还提高了毫米波信号的检测效率，实现了毫米波信号的频率、相位以及功率实现一体化检测，此外由于耦合出的信号能量和原信号相比非常小，因此几乎对原毫米波信号影响不大，原毫米波信号可以继续向后传播。

满足以上条件的结构即视为本发明的硅基缝隙耦合式T型结的直接式毫米波信号检测器。