压力传感器、高度计、电子设备以及移动体的制作方法

本发明涉及一种压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。

背景技术：

一直以来，作为压力传感器而已知有如下结构，即，具有通过受压而挠曲变形的隔膜和被设置在隔膜上的压电电阻元件，并且根据基于隔膜的挠曲变形的压电电阻元件的电阻值变化而对隔膜所承受的压力的大小进行检测的结构(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1的压力传感器中，进一步为了实施压电电阻元件的温度补偿(伴随于环境温度的变化的压电电阻元件的电阻值的变化的补正)，而在压电电阻元件的附近且隔膜的外侧处设置有温度补偿用传感器。由此，减少了温度漂移(由温度造成的输出的变化)。

但是，在专利文献1中，由于温度补偿用传感器位于隔膜的外侧，因此温度补偿用传感器与压电电阻元件之间的距离较远，从而无法对压电电阻元件的准确的温度进行检测。此外，也无法单独地对各压电电阻元件的温度进行检测。因此，在专利文献1的压力传感器中，无法实时地对因各压电电阻元件的温度偏差所导致的输出漂移进行补正，从而无法高精度地对压力进行检测。

专利文献1：日本特开平6-213744号公报

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种具有优异的检测精度的压力传感器、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。

这种目的通过下述的本发明来实现。

本发明的压力传感器的特征在于，具有：

隔膜，其通过受压而进行挠曲变形；

多个压电电阻元件，其被配置在所述隔膜上；

多个感温元件，其以与所述多个压电电阻元件相对应的方式而被配置在所述隔膜上，

相对应的所述压电电阻元件以及所述感温元件的间隔距离短于不相对应的所述压电电阻元件以及所述感温元件的间隔距离。

由此，由于能够基于感温元件的检测结果而对压电电阻元件的由环境温度所造成的电阻值变化进行补正，因此能够获得不易受环境温度的影响、且具有优异的检测精度的压力传感器。

在本发明的压力传感器中，优选为，在所述隔膜的俯视时，各个所述感温元件以至少一部分与相对应的所述压电电阻元件重叠的方式被配置。

由此，能够将感温元件配置在更靠近相对应的压电电阻元件的位置处。因此，能够更准确地对压电电阻元件的温度进行检测。

在本发明的压力传感器中，优选为，在所述压电电阻元件和以与该压电电阻元件重叠的方式被配置的所述感温元件之间，配置有绝缘膜。

由此，能够降低感温元件与压电电阻元件之间的短路的可能性。

在本发明的压力传感器中，优选为，各个所述感温元件与相对应的所述压电电阻元件并排设置。

由此，能够将感温元件配置在更靠近相对应的压电电阻元件的位置处。因此，能够更准确地对压电电阻元件的温度进行检测。

在本发明的压力传感器中，优选为，各个所述感温元件以在其间夹着相对应的所述压电电阻元件的方式被配置为一对。

由此，例如能够采用一对感温元件所检测出的温度的平均值等，从而更准确地对压电电阻元件的温度进行检测。

在本发明的压力传感器中，优选为，各个所述感温元件与所述隔膜的外缘的间隔距离相等。

由此，能够将因隔膜的挠曲而使各个感温元件所承受的应力设为相等。

在本发明的压力传感器中，优选为，各个所述感温元件具有由电阻根据温度而变化的氧化物半导体构成的感温部。

由此，感温元件的结构变得简单。

在本发明的压力传感器中，优选为，各个所述感温元件具有由电阻根据温度而变化的含有杂质的多晶硅构成的感温部。

由此，感温元件的结构变得简单。

在本发明的压力传感器中，优选为，通过所述多个压电电阻元件而形成有桥接电路。

通过基于来自桥接电路的输出，从而能够高精度地对压力进行检测。

在本发明的压力传感器中，优选为，所述桥接电路具有补正部，所述补正部基于所述感温元件的检测结果而对相对应的所述压电电阻元件的电阻值进行补正。

由此，能够更高精度地对压力进行检测。

本发明的高度计的特征在于，具有本发明的压力传感器。

由此，能够获得可靠性较高的高度计。

本发明的电子设备的特征在于，具有本发明的压力传感器。

由此，能够获得可靠性较高的电子设备。

本发明的移动体的特征在于，具有本发明的压力传感器。

由此，能够获得可靠性较高的移动体。

附图说明

图1为本发明的第一实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。

图2为图1所示的压力传感器所具有的隔膜的放大剖视图。

图3为表示图1所示的压力传感器所具有的压力传感器部的俯视图。

图4为表示包括图3所示的压力传感器部在内的桥接电路的图。

图5为表示图1所示的压力传感器所具有的温度传感器部的俯视图。

图6为本发明的第二实施方式所涉及的压力传感器的俯视图。

图7为表示图6所示的压力传感器的改变例的俯视图。

图8为本发明的第三实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。

图9为表示本发明的高度计的一个示例的立体图。

图10为表示本发明的电子设备的一个示例的主视图。

图11为表示本发明的移动体的一个示例的立体图。

具体实施方式

以下，基于在附图中所表示的实施方式而对本发明的压力传感器、高度计、电子设备以及移动体进行详细说明。

第一实施方式

首先，对本发明的第一实施方式所涉及的压力传感器进行说明。

图1为本发明的第一实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。图2为图1所示的压力传感器所具有的隔膜的放大剖视图。图3为表示图1所示的压力传感器所具有的压力传感器部的俯视图。图4为表示包括图3所示的压力传感器部在内的桥接电路的图。图5为表示图1所示的压力传感器所具有的温度传感器部的俯视图。另外，在以下的说明中，将图1中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。此外，将基板2的俯视观察时(从图1中的上侧进行观察的俯视观察时)仅称为“俯视观察时”。

如图1所示，压力传感器1具有：通过受压而进行挠曲变形的隔膜25；被配置在隔膜25上的多个压电电阻元件31、32、33、34(参照图3)；以与多个压电电阻元件31、32、33、34相对应的方式而被配置在隔膜25上的多个感温元件41、42、43、44(参照图5)。并且，相对应的压电电阻元件以及感温元件的间隔距离短于不相对应的压电电阻元件以及感温元件的间隔距离。根据这种结构，由于能够基于感温元件41、42、43、44的检测结果而对压电电阻元件31、32、33、34的由环境温度所造成的电阻值变化进行补正，因此成为不易受环境温度的影响、且具有优异的检测精度的压力传感器1。即，通过针对单独的压电电阻元件而利用单独的感温元件的检测数据来对温度特性进行补正，从而成为更优异的检测精度较高的压力传感器1。以下，对这种压力传感器1进行详细说明。

这种压力传感器1具有基板2、被配置在基板2上的压力传感器部3以及温度传感器部4、与基板2相接合的底基板5、和被形成在基板2与底基板5之间的压力基准室s(空洞部)。

基板

如图1所示，基板2具有：soi基板21(即，第一硅层211、氧化硅层212以及第二硅层213以该顺序层叠而成的基板)；第一绝缘膜22，其被配置在soi基板21的上表面上，且由氧化硅膜(sio2膜)构成；第二绝缘膜23，其被配置在第一绝缘膜22的上表面上，且由氮化硅膜(sin膜)构成。第一绝缘膜22使压电电阻元件31、32、33、34的界面状态稳定化，第二绝缘膜23从水分或灰尘中保护压力传感器部3。此外，第一、第二绝缘膜22、23也具有使压力传感器部3与温度传感器部4绝缘的功能。

另外，代替soi基板21，例如也可以使用硅基板。此外，如果第一绝缘膜22与第二绝缘膜23能够发挥同样的效果，则也可以由不同的材料构成。此外，代替第一、第二绝缘膜22、23，例如也可以采用一层氮氧化硅膜(sion)。此外，第一绝缘膜22以及第二绝缘膜23只要根据需要来设置即可，也可以省略。

此外，如图1所示，在基板2上设置有与周围的部分相比为薄壁、且通过受压而进行挠曲变形的隔膜25。在soi基板21中，形成有向其下表面开放的有底的凹部26，且在该凹部26的底部上形成有隔膜25。并且，隔膜25的上表面成为受压面251。另外，虽然在本实施方式中，隔膜25的俯视观察时的形状为大致正方形，但是作为隔膜25的俯视观察时的形状并未被特别限定，例如也可以是圆形。

在本实施方式中，凹部26通过使用了硅深蚀刻装置的干蚀刻而被形成。具体而言，通过从soi基板21的下表面侧反复进行各向同性蚀刻、保护膜成膜以及各向异性蚀刻这一工序来对第一硅层211进行挖掘，从而形成凹部26。当反复进行该工序且蚀刻到达了氧化硅层212时，氧化硅层212成为蚀刻终止层并结束蚀刻，从而得到了凹部26。通过前述的工序的反复进行，从而如图2所示在凹部26的内壁侧面上于挖掘方向上形成有周期性的凹凸。

另外，作为隔膜25的形成方法，并不限定于上述的方法，例如，也可以通过湿蚀刻来形成。此外，也可以从隔膜25的下表面去除氧化硅层212。

例如，在一边的大小为125μm的正方形的隔膜25的情况下，虽然作为隔膜25的厚度(平均厚度)并未被特别限定，但是优选为1μm以上、10μm以下，更优选为1μm以上、5μm以下，进一步优选为1μm以上、3μm以下。通过满足这样的范围，从而能够获得灵敏度足够高、且不易发生脆性破坏的隔膜25。

压力传感器部

如图3所示，压力传感器部3具有被设置在隔膜25上的四个压电电阻元件31、32、33、34(另外，图中的以斜线所示的部分为压电电阻部)。此外，四个(多个)压电电阻元件31、32、33、34经由配线35等而互相被电连接，从而形成图4所示的桥接电路30(惠斯登电桥电路(wheatstonebridge))。在桥接电路30上连接有供给驱动电压avdc的驱动电路(未图示)。并且，桥接电路30输出与基于隔膜25的挠曲的压电电阻元件31、32、33、34的电阻值变化相对应的检测信号(电压)。因此，能够基于该被输出的检测信号而对隔膜25所承受的压力进行检测。以此方式，通过基于来自桥接电路30的输出，从而能够高精度地对压力进行检测。

尤其是，压电电阻元件31、32、33、34沿着隔膜25的外缘而配置。如前文所述，当隔膜25通过受压而进行挠曲变形时，由于在隔膜25的端部处施加有较大的应力，因此通过在该端部处配置压电电阻元件31、32、33、34，从而能够增大前文所述的检测信号，由此提高了压力检测灵敏度。另外，作为压电电阻元件31、32、33、34的配置，并未被特别限定，例如，也可以采用跨及隔膜25的外缘的方式来配置压电电阻元件31、32、33、34。

压电电阻元件31、32、33、34分别例如通过向soi基板21的第二硅层213中掺杂(扩散或者注入)磷、硼等的杂质而被构成。此外，配线35例如通过向soi基板21的第二硅层213中掺杂(扩散或者注入)与压电电阻元件31、32、33、34相比高浓度的磷、硼等杂质而被构成。

另外，桥接电路30既可以在压力传感器1内被形成，也可以通过与ic等的外部装置连接而被形成。

温度传感器部

如图5所示，温度传感器部4具有对应于压电电阻元件31、32、33、34而配置的四个感温元件41、42、43、44。感温元件41对应于压电电阻元件31而被配置于其附近并对压电电阻元件31的温度进行检测。感温元件42对应于压电电阻元件32而被配置于其附近并对压电电阻元件32的温度进行检测。感温元件43对应于压电电阻元件33而被配置于其附近并对压电电阻元件33的温度进行检测。感温元件44对应于压电电阻元件34而被配置于其附近并对压电电阻元件34的温度进行检测。

并且，感温元件41与压电电阻元件31的间隔距离短于感温元件41与压电电阻元件32、33、34(即，不相对应的压电电阻元件)的间隔距离，感温元件42与压电电阻元件32的间隔距离短于感温元件42与压电电阻元件31、33、34的间隔距离，感温元件43与压电电阻元件33的间隔距离短于感温元件43与压电电阻元件31、32、34的间隔距离，感温元件44与压电电阻元件34的间隔距离短于感温元件44与压电电阻元件31、32、33的间隔距离。根据这种结构，能够通过感温元件41、42、43、44而单独且高精度地对压电电阻元件31、32、33、34的温度进行检测。因此，如前文所述，能够更高精度地对压电电阻元件31、32、33、34的由环境温度所造成的电阻值变化进行补正(补偿)，从而成为不易受环境温度的影响、且具有优异的检测精度的压力传感器1。

如果更详细地对感温元件41、42、43、44的配置进行说明，则如图5所示，在隔膜25的俯视观察时，感温元件41以至少一部分与压电电阻元件31重叠的方式而被配置，感温元件42以至少一部分与压电电阻元件32重叠的方式而被配置，感温元件43以至少一部分与压电电阻元件33重叠的方式而被配置，感温元件44以至少一部分与压电电阻元件34重叠的方式而被配置。换言之，感温元件41以与压电电阻元件31对置的方式而被配置，感温元件42以与压电电阻元件32对置的方式而被配置，感温元件43以与压电电阻元件33对置的方式而被配置，感温元件44以与压电电阻元件34对置的方式而被配置。即，各压电电阻元件和分别与之相对应的感温元件，例如隔着第一绝缘膜22和第二绝缘膜23而对置。以此方式，通过使感温元件41、42、43、44与相对应的压电电阻元件31、32、33、34进行重叠配置(对置配置)，从而能够更加缩短感温元件41、42、43、44与相对应的压电电阻元件31、32、33、34之间的间隔距离。因此，能够更高精度地对各压电电阻元件31、32、33、34的温度进行检测。

此外，感温元件41、42、43、44被配置在由第一、第二绝缘膜22、23构成的绝缘膜24上。换言之，在压电电阻元件31、32、33、34和与这些压电电阻元件31、32、33、34重叠配置的感温元件41、42、43、44之间，配置有绝缘膜24。因此，能够降低压电电阻元件31、32、33、34与感温元件41、42、43、44之间的短路的可能性。另外，作为绝缘膜24的结构，只要能够使压电电阻元件31、32、33、34与感温元件41、42、43、44绝缘即可，并未被特别限定。

在此，如果返回到桥接电路30的说明中，则如图4所示，桥接电路30具有通过基于感温元件41、42、43、44的检测结果而对相对应的压电电阻元件31、32、33、34的电流值进行检测，从而对电阻值进行补正的补正电路部361、362、363、364(补正部)。补正电路部361与压电电阻元件31串联连接，并位于压电电阻元件31与中点端子v1之间。此外，补正电路部362与压电电阻元件32串联连接，并位于压电电阻元件32与中点端子v2之间。此外，补正电路部363与压电电阻元件33串联连接，并位于压电电阻元件33与中点端子v2之间。此外，补正电路部364与压电电阻元件34串联连接，并位于压电电阻元件34与中点端子v1之间。根据这种结构，由于基于被补正的各压电电阻元件31、32、33、34的电阻值的输出从桥接电路30被输出，因此能够实时地对因各压电电阻元件41、42、43、44的温度偏差所造成的输出漂移进行补正并能够得到更高精度的输出。

另外，如果为了比较而进行说明，则在现有的温度补正(温度补偿)中，是基于由温度补偿传感器所检测到的温度(为了便于说明，而称为“检测温度”。)而对来自桥接电路30的输出进行补正(所谓“表格型温度补正”)的，并非在桥接电路30内实施压电电阻元件31、32、33、34的温度补正。因此，假设如果压电电阻元件31、32、33、34的温度互相存在偏差、或者压电电阻元件31、32、33、34的温度从所述检测温度偏离时，则有可能无法实施准确的温度补正。相对于此，在本实施方式的桥接电路30中，由于是在桥接电路30内实施压电电阻元件31、32、33、34的温度补正的，因此能够实施准确的温度补正。因此，成为了具有优异的检测精度的压力传感器1。

尤其是，在本实施方式中，各感温元件41、42、43、44与隔膜25的外缘的间隔距离分别相等。具体而言，由于感温元件41、42、43、44分别沿着隔膜25的外缘而配置，因此各感温元件41、42、43、44与隔膜25的外缘的间隔距离为0(零)。通过采用这种结构，从而能够将因隔膜25的挠曲而使各感温元件41、42、43、44所承受的应力设为大致相等。根据感温元件41、42、43、44的结构，有可能会受应力的影响而使输出发生变化。因此，通过分别使各感温元件41、42、43、44与隔膜25的外缘的间隔距离相等，从而能够使各感温元件41、42、43、44所受到的应力的影响相等。因此，减少了压力检测精度的下降。

作为这种感温元件41、42、43、44的结构，只要能够对温度进行检测即可，并未被特别限定。例如，感温元件41、42、43、44分别能够由具有如下的感温部的热敏电阻元件构成，所述感温部由电阻根据温度而变化的氧化物半导体(例如，钛酸钡类氧化物半导体)构成。另外，作为热敏电阻元件，也可以使用ptc型、ntc型中的任意一种。此外，感温元件41、42、43、44分别还能够采用具有如下的感温部的结构，所述感温部由电阻根据温度而变化的含有杂质的多晶硅(例如，高浓度地掺杂(扩散或者注入)了磷、硼等杂质的多晶硅)构成。由此，感温元件41、42、43、44的结构变得简单。此外，由于热敏电阻或含有杂质的多晶硅的相对于温度的电阻值变化较大，因此能够高精度地对压电电阻元件31、32、33、34的温度进行检测。此外，由于热敏电阻或含有杂质的多晶硅不易受应力的影响，因此即使配置在隔膜25上，也能够高精度地对压电电阻元件31、32、33、34的温度进行检测。

另外，虽然在本实施方式中，温度传感器部4露出于压力传感器1的外部，但是例如也可以以覆盖温度传感器部4的方式来配置绝缘膜。

底基板

如图1所示，底基板5以堵塞凹部26的开口的方式与基板2的下表面(第一硅层211的表面)相接合，以便在其与隔膜25之间形成压力基准室s。以此方式，通过利用底基板5而气密性地对凹部26进行密封，从而形成了压力基准室s。优选为，压力基准室s为真空(例如，10pa以下程度)。由此，能够将压力传感器1作为以真空为基准而对压力进行检测的所谓“绝对压力传感器”来使用。因此，成为便利性较高的压力传感器1。但是，压力基准室s只要被保持为固定的压力(其中，不考虑由温度变化所造成的压力变动)即可，也可以不是真空状态。

另外，作为底基板5，例如能够使用硅基板、玻璃基板、陶瓷基板等。另外，底基板5相对于隔膜25而足够厚，以免隔着压力基准室s而与隔膜25对置的部分因差压(压力基准室s的压力与环境压力之差)而变形。

第二实施方式

接下来，对本发明的第二实施方式所涉及的压力传感器进行说明。

图6为本发明的第二实施方式所涉及的压力传感器的俯视图。图7为表示图6所示的压力传感器的改变例的俯视图。

以下，关于第二实施方式的压力传感器，以与前述的实施方式的不同点为中心来进行说明，并且关于相同的事项则省略其说明。

第二实施方式的压力传感器除了温度传感器的结构不同以外，其余均与前述的第一实施方式相同。另外，对与前述的实施方式相同的结构标注相同的符号。

如图6所示，在隔膜25的俯视观察时，感温元件41与压电电阻元件31并排设置，感温元件42与压电电阻元件32并排设置，感温元件43与压电电阻元件33并排设置，感温元件44与压电电阻元件34并排设置。更具体而言，感温元件41以与压电电阻元件31在沿着隔膜25的外缘的方向上并排的方式而被配置，感温元件42以与压电电阻元件32在沿着隔膜25的外缘的方向上并排的方式而被配置，感温元件43以与压电电阻元件33在沿着隔膜25的外缘的方向上并排的方式而被配置，感温元件44以与压电电阻元件34在沿着隔膜25的外缘的方向上并排的方式而被配置。以此方式，通过使感温元件41、42、43、44与相对应的压电电阻元件31、32、33、34并排设置，从而能够更加缩短感温元件41、42、43、44与相对应的压电电阻元件31、32、33、34之间的间隔距离。因此，能够更高精度地对各压电电阻元件31、32、33、34的温度进行检测。

此外，感温元件41以在其间夹着相对应的压电电阻元件31的方式而被配置为一对，感温元件42以在其间夹着相对应的压电电阻元件32的方式而被配置为一对，感温元件43以在其间夹着相对应的压电电阻元件33的方式而被配置为一对，感温元件44以在其间夹着相对应的压电电阻元件34的方式而被配置为一对。并且，例如，通过将一对感温元件41所检测出的温度的平均值设为压电电阻元件31的温度，从而能够更准确地对压电电阻元件31的温度进行检测。对于感温元件42、43、44而言，也是同样的。

即使根据这种第二实施方式，也能够发挥与上述的第一实施方式相同的效果。另外，虽然在本实施方式中，将感温元件41、42、43、44配置在绝缘膜24上，但是作为感温元件41、42、43、44的配置并不限定于此，例如，如图7所示，也可以配置在第二硅层213上。在该情况下，能够将与感温元件41、42、43、44连接的配线以与配线35相同的方式设置在第二硅层213中。

第三实施方式

接下来，对本发明的第三实施方式所涉及的压力传感器进行说明。

图8为本发明的第三实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。

以下，关于第三实施方式的压力传感器，以与前述的实施方式的不同点为中心来进行说明，关于相同的事项，则省略其说明。

图8所示的压力传感器1a具有基板2、压力传感器部3、温度传感器部4、周围结构体6和压力基准室s(空洞部)。由于基板2、压力传感器部3以及压力基准室s的结构分别与前述的第一实施方式相同，因此在下文中主要对周围结构体6进行说明。

周围结构体

在周围结构体6与基板2之间形成有压力基准室s。这种周围结构体6具有被配置在基板2上的层间绝缘膜61、被配置在层间绝缘膜61上的配线层62、被配置在配线层62以及层间绝缘膜61上的层间绝缘膜63、被配置在层间绝缘膜63上的配线层64、被配置在配线层64以及层间绝缘膜63上的表面保护膜65、和被配置在配线层64以及表面保护膜65上的密封层66。

配线层62具有：以包围压力基准室s的方式而被配置的框状的配线部621；和与压力传感器部3、温度传感器部4电连接的配线部629。同样地，配线层64具有：以包围压力基准室s的方式而被配置的框状的配线部641；和与压力传感器部3、温度传感器部4电连接的配线部649。并且，压力传感器部3以及温度传感器部4经由配线部629、649而被引出至周围结构体6的上表面上。

此外，配线层64具有位于压力基准室s的顶部的被覆层644。此外，在被覆层644上配置有将压力基准室s的内外连通的多个贯穿孔645。这种被覆层644与配线部641一体形成，并且隔着压力基准室s而与隔膜25对置配置。另外，多个贯穿孔645为，将直至制造中途为止填埋着压力基准室s的牺牲层去除时的释放蚀刻用的孔。此外，在被覆层644上配置有密封层66，通过该密封层66从而使贯穿孔645被密封。

表面保护膜65具有从水分、灰尘、损伤等中保护周围结构体6的功能。这种表面保护膜65被配置在层间绝缘膜63以及配线层64上，以免堵塞被覆层644的贯穿孔645。

作为这种周围结构体6中的层间绝缘膜61、63，例如能够使用氧化硅膜(sio2膜)等绝缘膜。此外，作为配线层62、64，例如能够使用铝膜等金属膜。此外，作为密封层66，例如能够使用al、cu、w、ti、tin等金属膜、氧化硅膜等。此外，作为表面保护膜65，例如能够使用氧化硅膜、氮化硅膜、聚酰亚胺膜、环氧树脂膜等。

即使根据这种第三实施方式，也能够发挥与上述的第一实施方式相同的效果。

第四实施方式

接下来，对本发明的第四实施方式所涉及的高度计进行说明。

图9为表示本发明的高度计的一个示例的立体图。

图9所示的高度计200能够像手表那样佩戴在手腕上。此外，在高度计200的内部搭载有压力传感器1，并能够在显示部201上显示当前位置的海拔高度、当前位置的气压等。另外，除此之外，在该显示部201上还能够显示当前时刻、使用者的心率、天气等各种各样的信息。由于这种高度计200具有检测精度优异的压力传感器1，因此能够发挥较高的可靠性。

另外，如果这种高度计200具备防水性，则也能够作为潜水、自由潜水用的深度计来使用。

第五实施方式

接下来，对本发明的第五实施方式所涉及的电子设备进行说明。

图10为表示本发明的电子设备的一个示例的主视图。

图10所示的电子设备为，具备压力传感器1的导航系统300。导航系统300具备：未图示的地图信息、来自gps(全球定位系统：globalpositioningsystem)的位置信息取得单元、由陀螺仪传感器以及加速度传感器和车速数据所实现的自主导航单元、压力传感器1、和显示预定的位置信息或者行进道路信息的显示部301。

根据该导航系统300，除了所取得的位置信息以外，还能够通过压力传感器1而取得高度信息。因此，通过对由从一般道路进入高架道路(或者与之相反)所产生的高度变化进行检测，从而能够判断出是在一般道路上行驶还是在高架道路上行驶，并能够将实际的行驶状态下的导航信息提供给使用者。由于这种导航系统300具有检测精度优异的压力传感器1，因此能够发挥较高的可靠性。

另外，具备本发明的压力传感器的电子设备并不限定于上述的导航系统，例如，还能够应用于个人计算机、移动电话、智能手机、平板电脑终端、hmd(头戴显示器)等可佩戴终端、时钟(包括智能手表)、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、各种测量设备、计量仪器类(例如，车辆、航空器、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等中。

第六实施方式

接下来，对本发明的第六实施方式所涉及的移动体进行说明。

图11为表示本发明的移动体的一个示例的立体图。

图11所示的移动体为，具备压力传感器1的汽车400。汽车400具有车身401和四个车轮402，且以通过被设置在车身401上的未图示的动力源(发动机)而使车轮402旋转的方式被构成。由于这种汽车400具有检测精度优异的压力传感器1，因此能够发挥较高的可靠性。

虽然在上文中基于图示的各实施方式而对本发明的压力传感器、高度计、电子设备以及移动体进行了说明，但是本发明并不限定这些内容，各部的结构能够置换为具有相同功能的任意的结构。此外，也可以附加其他的任意的结构物或工序。此外，也可以适当组合各实施方式。

符号说明

1、1a…压力传感器；2…基板；21…soi基板；211…第一硅层；212…氧化硅层；213…第二硅层；22…第一绝缘膜；23…第二绝缘膜；24…绝缘膜；25…隔膜；26…凹部；3…压力传感器部；30…桥接电路；31、32、33、34…压电电阻元件；35…配线；361、362、363、364…补正电路部；4…温度传感器部；41、42、43、44…感温元件；5…底基板；6…周围结构体；61…层间绝缘膜；62…配线层；621…配线部；629…配线部；63…层间绝缘膜；64…配线层；641…配线部；644…被覆层；645…贯穿孔；649…配线部；65…表面保护膜；66…密封层；200…高度计；201…显示部；251…受压面；300…导航系统；301…显示部；400…汽车；401…车身；402…车轮；avdc…驱动电压；s…压力基准室；v1、v2…中点端子。