本发明涉及芯片封装行业，具体涉及铝线铝带产品的键合工序引入弹坑检测。
背景技术：
当前半导体产业的应用热点已从最初的计算机、通信扩展至消费类电子、新能源、汽车电子等领域。低成本一直是垂直分工模式下游的封装测试业的核心驱动因素。因此，近年来半导体封装行业除了技术和产品的创新，还不停地寻求工艺性能好、价格低廉的技术来替代金线，达到降低封装成本、提高可靠性的目的。
由于铜线具有良好的电学和机械特性，获得大部分厂商的青睐，开始大量生产铜线、镀钯铜线产品。但是与金线键合技术相比，烧球后纯铜的硬度比金球的印度几乎高一倍，而镀钯铜线硬度更高，降低了铜球的键合性能。要克服铜线硬度高、屈服度高的问题，键合时需要更大的超声功率和键合压力，因此容易对硅芯片造成损伤形成弹坑，严重影响产品质量和可靠性。常规的金丝拉力及金球推力的检测方式，无法监控到弹坑的形成。
目前al-21%si作为一种低成本的键合丝收到人们的广泛重视，但存在较多问题，例如普通al-21%si在球焊时加热易氧化，拉伸强度和耐热性不如金丝等。为了提高键合工序的产品质量，在铝线铝带产品的键合工序引入弹坑检测实验，既要保证到产品的质量，当然也不能严重影响生产的持续性，那就必须寻找一种简易可行的实验手法。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种弹坑检测方法。
为了达到上述目的，本发明提供了一种弹坑检测方法，步骤如下：
步骤一、将键合后的制品使用刻刀将基岛取下；
步骤二、在高温烧杯内倒入naoh溶液，并放置在加热炉上加热至80℃，然后放入键合的基岛；
步骤三、等待约20分钟后，将键合的基岛依次放入酒精和纯水清洗后晾干或烘干；
步骤四、将干燥后的键合的基岛在200倍以上显微镜下进行判定并拍照保存，并记录。
优选的，上述步骤一中的键合后的制品为铝线铝带键合产品。
优选的，上述步骤一中的naoh溶液浓度为20%的naoh溶液。
本发明的一种弹坑检测方法，用于针对产品品种、封装型号、生产设备的更换及参数调整时，对铝线铝带产品进行弹坑检测时间，监控频率非常高。本发明的有益效果是：①制备20%naoh溶液较为便捷，可批量制备；②简易便捷，实验工具较少，探针或小刀、显微镜、高温烧杯、纯水和酒精在建和工序中都是常见的，需要时键合工序员工即可按流程操作。
具体实施方式
本发明主要针对芯片封装过程中的键合工序，提供了一种弹坑检测方法，可实时检测键合工序的产品质量，保证产品的可靠性。具体步骤如下：
步骤一、将铝线铝带键合后的制品使用刻刀将基岛取下；
步骤二、在高温烧杯内倒入≤20%的naoh溶液，并放置在加热炉上加热至80℃，然后放入铝线铝带键合的基岛；
步骤三、等待约20分钟后，将铝线铝带键合的基岛依次放入酒精和纯水清洗后晾干或烘干；
步骤四、将干燥后的键合的基岛在200倍以上显微镜下进行判定并拍照保存，并记录。
以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可做出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在
本技术：
权利要求所限定的范围内。