正电子湮没多功能探测装置及其系统的制作方法

本实用新型涉及正电子湮没技术领域，尤其涉及一种正电子湮没多功能探测装置以及正电子湮没多功能探测系统。

背景技术：

正电子是一种轻子，作为电子的反粒子，能与电子结合发生湮没，并产生一定能量的伽马辐射光子。正电子湮没谱学就是以正电子作为探针，通过探测与电子湮没产生的伽马光子的时间、能量等信息来表征材料微观结构的一门学科。在材料科学领域中，正电子湮没谱学(Positron annihilation spectroscopy，PAS)常被称为正电子湮没技术，其独特的技术优势是能够给出样品材料中原子尺度局域缺陷及微观相变的信息，且在测量过程中对样品无任何破坏性。

目前，被测样品主要采用样品-放射源-样品的类似三明治夹心结构，即要求用两片相同的样品紧密夹住放射源进行测量，以保证正电子完全在样品中湮没。通常使用22Na放射源作为正电子源。实验室中常规的正电子湮没谱学实验测量方法主要包括正电子湮没寿命谱(PALS)、正电子湮没一维多普勒展宽谱(DBS)、正电子湮没二维符合多普勒展宽谱(CDB)、正电子寿命-动量关联谱(AMOC)以及正电子淹没角关联谱(ACAR)等等。现在，上述测量方法使用的正电子湮没测量谱仪都是独立运行的，每种谱仪都自成体系；即完成上述测量需要各自不同的测量装置，在一定程度上形成一种资源浪费。

因此，有必要研究一种正电子湮没多功能探测装置以及正电子湮没多功能探测系统。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的至少一种不足，提供一种正电子湮没多功能探测装置以及正电子湮没多功能探测系统。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本公开的一个方面，提供一种正电子湮没多功能探测装置，包括：

第一半导体探测器，正对设于样品的第一侧面，所述第一半导体探测器用于探测伽马光子的能量信号；

第二半导体探测器，正对设于所述样品的与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第二半导体探测器用于探测伽马光子的能量信号；

距离调节机构，用于调节所述第一半导体探测器与样品之间的间距以及所述第二半导体探测器与样品之间的间距；

第一晶体探测器，正对设于所述样品的与所述第一侧面垂直的第三侧面，所述第一晶体探测器用于探测伽马光子的时间信号；

第二晶体探测器，正对设于所述样品的与所述第三侧面相对的第四侧面，所述第二晶体探测器用于探测伽马光子的时间信号；

夹角及距离调节机构，用于调节所述第一晶体探测器与样品之间的间距以及所述第二晶体探测器与样品之间的间距，以及用于调节所述第一晶体探测器与第二晶体探测器之间的夹角。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一半导体探测器的下端以及第二半导体探测器的下端均设置有导槽，所述距离调节机构包括：

导轨，与所述导槽配合，所述样品设于所述导轨上，以使所述第一半导体探测器以及第二半导体探测器能够在导轨上滑动。

在本公开的一种示例性实施例中，所述样品下设有样品支撑杆，所述夹角及距离调节机构包括：

两个转动组件，可转动的安装于所述样品支撑杆上，以调节所述第一晶体探测器与第二晶体探测器之间的夹角；

两个滑动组件，其中一个所述滑动组件连接于其中一个所述转动组件与第一晶体探测器之间，另一个所述滑动组件连接于另一个所述转动组件与第二晶体探测器之间，所述滑动组件能够在所述转动组件上滑动，以调节所述第一晶体探测器与样品之间的间距以及所述第二晶体探测器与样品之间的间距。

在本公开的一种示例性实施例中，所述转动组件包括：

转筒，套设于所述样品支撑杆上；

转杆，与所述转筒连接，所述转杆的中心轴线与所述转筒的中心轴线垂直。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一晶体探测器以及第二晶体探测器上均设置有第一通孔以及与第一通孔连通的第一螺纹孔，所述滑动组件包括：

滑块，其上水平设有的第二通孔以及与第二通孔连通的第二螺纹孔，所述滑块上竖直设有的第三通孔以及与第三通孔连通的第三螺纹孔，所述第二通孔内贯穿所述转杆；

滑杆，具有第一端以及第二端，所述第一端贯穿所述第三通孔，所述第二端贯穿所述第一通孔；

至少三个固定螺钉，对应螺纹配合于所述第一螺纹孔、第二螺纹孔以及第三螺纹孔。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一半导体探测器以及第二半导体探测器均为高纯锗探测器；

所述第一晶体探测器以及第二晶体探测器均为闪烁探测器。

根据本公开的一个方面，提供一种正电子湮没多功能探测系统，包括：

上述任意一项所述的正电子湮没多功能探测装置；

信号处理装置，用于对所述时间信号以及能量信号进行处理，以得到正电子湮没寿命谱、正电子湮没一维多普勒展宽谱、正电子湮没二维符合多普勒展宽谱、正电子寿命-能量关联谱。

在本公开的一种示例性实施例中，所述信号处理装置包括：

第一放大器，电连接于所述第一半导体探测器的输出端；

第二放大器，电连接于所述第二半导体探测器的输出端；

第一恒比定时微分甄别器，电连接于第一晶体探测器的输出端；

第二恒比定时微分甄别器，电连接于第二晶体探测器的输出端；

延时模块，电连接于所述第一恒比定时微分甄别器的输出端；

时幅转换器，电连接于所述延时模块的输出端以及所述第二恒比定时微分甄别器的输出端；

多参数数据获取系统，电连接于所述第一放大器的输出端，电连接于所述第二放大器的输出端，以及所述时幅转换器的输出端；

处理器，电连接于所述多参数数据获取系统的输出端。

在本公开的一种示例性实施例中，所述信号处理装置还包括：

信号切换器，电连接于所述多参数数据获取系统与所述第一放大器、第二放大器以及时幅转换器之间，用于所述切换第一放大器、第二放大器以及时幅转换器与所述多参数数据获取系统之间的通断。

在本公开的一种示例性实施例中，所述信号切换器包括两组信号切换组件；所述信号切换组件包括：

输入接口，设置为两个；

单刀双掷开关，其双掷端连接于所述输入接口；

信号输出接口，设置为一个；

延时电路开关，设置为多个，连接于所述单刀双掷开关的单刀端与信号输出接口之间。

由上述技术方案可知，本实用新型具备以下优点和积极效果中的至少之一：

本实用新型的正电子湮没多功能探测装置，通过距离调节机构调节第一半导体探测器与样品之间的间距以及第二半导体探测器与样品之间的间距，使其符合的正电子湮没二维符合多普勒展宽谱的测量要求；通过夹角及距离调节机构调节第一晶体探测器与样品之间的间距以及第二晶体探测器与样品之间的间距，以及调节第一晶体探测器与第二晶体探测器之间的夹角，使其符合正电子湮没寿命谱的测量要求；而且通过一个半导体探测器可以完成正电子湮没一维多普勒展宽谱的测量；通过距离调节机构调节第一半导体探测器与样品之间的间距以及第二半导体探测器与样品之间的间距，同时通过夹角及距离调节机构调节第一晶体探测器与样品之间的间距以及第二晶体探测器与样品之间的间距，以及调节第一晶体探测器与第二晶体探测器之间的夹角，使其符合正电子湮没寿命-能量关联谱的测量要求。因此，通过本实用新型的正电子湮没多功能探测装置即可完成正电子湮没寿命谱、正电子湮没一维多普勒展宽谱、正电子湮没二维符合多普勒展宽谱和正电子湮没寿命-能量关联谱的测量要求，从而达到一物多用的目的。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本实用新型的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本实用新型正电子湮没多功能探测装置一实施方式的立体结构示意图；

图2是图1中的正电子湮没多功能探测装置的俯视示意图；

图3是图1中的正电子湮没多功能探测装置完成正电子湮没寿命-能量关联谱测量时的俯视示意图；

图4本实用新型正电子湮没多功能探测系统一实施方式的结构示意图；

图5是图3中的信号切换器的结构示意图。

图中主要元件附图标记说明如下：

1、样品；

11、样品支撑杆；

12、样品底座；

2、第一半导体探测器；

21、第一底座；

3、第二半导体探测器；

31、第二底座；

4、导轨；

5、第一晶体探测器；

6、第二晶体探测器；

7、夹角及距离调节机构；

71、转筒；

72、转杆；

73、滑块；

74、滑杆；

75、固定螺钉；

76、卡箍；

77、球形连接件；

8、信号指示灯；

9、延时电路开关；

10、单刀双掷开关；

A1、第一输入端；

A2、第二输入端；

B1、第三输入端；

A、第一输出端；

B、第二输出端；

ADC1、第一接口；

ADC2、第二接口。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

方案一：

本方案的示例实施方式提供一种正电子湮没多功能探测装置，该正电子湮没多功能探测装置空运用于测量样品1，该样品1采用现有技术中惯常使用的样品1，即样品的结构为两片样品夹着正电子放射源，形成类似三明治的夹层结构，正电子放射源一般使用22Na，在此不再详细说明，该样品1样品1可以为长方体状，因此具有相对的第一侧面和第二侧面以及相对的第三侧面和第四侧面，第一侧面与第三侧面相互垂直，同理，第四侧面与第一侧面与相互垂直。

参照图1、图2所示，该正电子湮没多功能探测装置可以包括第一半导体探测器2、第二半导体探测器3、距离调节机构、第一晶体探测器5、第二晶体探测器6以及夹角及距离调节机构7。

第一半导体探测器2可以正对设于样品1的第一侧面，第一半导体探测器2可以用于探测伽马光子的能量信号；第二半导体探测器3可以正对设于样品1的与第一侧面相对的第二侧面，第二半导体探测器3可以用于探测伽马光子的能量信号；距离调节机构可以用于调节所述第一半导体探测器2与样品1之间的间距以及所述第二半导体探测器3与样品1之间的间距。在本示例实施方式中，第一半导体探测器2以及第二半导体探测器3可以采用高纯锗探测器，当然，如果需要还可以采用金硅面垒探测器，高纯锗探测器价格较贵主要应用于实验室，金硅面垒探测器对α粒子的能量分辨率和时间响应速度较好，但其灵敏体积却不能做得很大，因而限制了大面积放射源的使用。

在本示例实施方式中，第一半导体探测器2以及第二半导体探测器3可以分别设置在第一底座21以及第二底座31上，在第一底座21的下底面以及第二底座31的下底面可以均设置有导槽。距离调节机构可以包括导轨4，导轨4可以直接固定在试验台面上，导轨4与导槽配合。样品1下可以设有样品支撑杆11，样品支撑杆11的下端可以设置有样品底座12，样品底座12固定在导轨4的基本中间的位置，第一半导体探测器2以及第二半导体探测器3位于样品1的两侧。第一半导体探测器2以及第二半导体探测器3能够在导轨4上滑动，从而达到调节第一半导体探测器2与样品1之间的间距以及第二半导体探测器3与样品1之间的间距。当然，本领域技术人员可以理解的是，距离调节机构可以包括底板，在底板上设置多个螺纹孔，在第一底座21以及第二底座31上设置通孔，通过螺钉固定第一半导体探测器2以及第二半导体探测器3的位置，需要调节时，放松螺钉，将第一底座21以及第二底座31调节到合适的位置，然后再通过螺钉固定。

第一晶体探测器5可以正对设于所述样品1的与第一侧面垂直的第三侧面，第一晶体探测器5可以用于探测伽马光子的时间信号；第二晶体探测器6可以正对设于所述样品1的与第三侧面相对的第四侧面，第二晶体探测器6可以用于探测伽马光子的时间信号；夹角及距离调节机构7可以用于调节所述第一晶体探测器5与样品1之间的间距以及所述第二晶体探测器6与样品1之间的间距，以及可以用于调节所述第一晶体探测器5与第二晶体探测器6之间的夹角。第一晶体探测器5以及第二晶体探测器6可以均为闪烁探测器，具体而言，闪烁探测器为BaF₂闪烁探测器，BaF₂晶体有两种发光成分：一种的慢成分，其光衰减时间为630ns，波长峰值为325nm；另一种为快成分，其光衰减时间为0.6ns，波长峰值为225nm。慢成分和外界温度有着密切关系。BaF₂晶体还有很多优点：光产额高，其快成分光产额为2000MeV^-1，慢成分光产额为6500MeV^-1；密度大约4.89g/cm³；原子序数Z高，对λ射线探测效率高；能量分辨好，折射率接近玻璃，发出的光容易进入光电倍增管的光阴极；不怕潮解，使用及保存方便。第一晶体探测器5、第二晶体探测器6、第一半导体探测器2以及第二半导体探测器3位于同一水平面内。第一晶体探测器5可以作为停止道探测器，第二晶体探测器6可以作为起始道探测器。

夹角及距离调节机构7可以包括两个转动组件以及两个滑动组件。两个转动组件可转动的安装于样品支撑杆11上，以调节第一晶体探测器5与第二晶体探测器6之间的夹角；其中一个滑动组件连接于其中一个转动组件与第一晶体探测器5之间，另一个滑动组件连接于另一个转动组件与第二晶体探测器6之间，滑动组件能够在转动组件上滑动，以调节第一晶体探测器5与样品1之间的间距以及第二晶体探测器6与样品1之间的间距。在本示例实施方式中，转动组件可以包括转筒71以及转杆72。转筒71设置为两端开口的筒状，转筒71套设于样品支撑杆11上；转杆72与转筒71连接，且转杆72的中心轴线与转筒71的中心轴线垂直，使转杆72与样品支撑杆11呈垂直状态，转杆72可以围绕样品支撑杆11转动。

在本示例实施方式中，在第一晶体探测器5以及第二晶体探测器6上可以分别设置有转动连接件，转动连接件可以包括卡箍76以及与卡箍76连接的球形连接件77，卡箍76可以分别卡在第一晶体探测器5以及第二晶体探测器6上，球形连接件77可以分别沿第一晶体探测器5以及第二晶体探测器6的径向水平伸出第一晶体探测器5以及第二晶体探测器6，在球形连接件77上可以分别设置有第一通孔以及与第一通孔连通的第一螺纹孔，第一通孔为垂直设计，第一螺纹孔为水平设计。滑动组件包括滑块73、滑杆74以及至少三个固定螺钉75。滑块73设置为长方体状，滑杆74具有第一端以及第二端。滑块73上可以水平设有的第二通孔以及与第二通孔连通的第二螺纹孔，第二螺纹孔的中心轴线与第二通孔的中心轴线垂直，第二螺纹孔也可以为水平设计。第二通孔内贯穿转杆72，第二螺纹内配合固定螺钉75即可将转杆72与滑块73的相对位置固定。滑块73上竖直设有的第三通孔以及与第三通孔连通的第三螺纹孔，即第三通孔的中心轴线与第二通孔的中心轴线垂直，第三螺纹孔的中心轴线与第三通孔的中心轴线垂直，第三螺纹孔为水平设计。滑杆74的第一端贯穿第三通孔，第三螺纹内配合固定螺钉75即可将滑杆74与滑块73的相对位置固定。滑杆74的第二端贯穿第一通孔，第一螺纹内配合固定螺钉75即可将滑杆74与探测器的相对位置固定。当然，夹角及距离调节机构7的结构不限于上述描述，在本实用新型的其他示例实施方式中，可以直接在探测器的外壳上设置第一通孔以及与第一通孔连通的第一螺纹孔；也可以在探测器的外壳后端突出设置连接块，在连接块上设置第一通孔以及与第一通孔连通的第一螺纹孔；还可以将连接块设置在探测器的外壳下面，在连接块上设置第一通孔以及与第一通孔连通的第一螺纹孔。

进一步的，参照图3所示，在本示例实施方式中，第一晶体探测器5以及第二晶体探测器6均设置为圆柱体与长方体连接的形状，圆柱体一侧靠近样品1，长方体一侧远离样品1；圆柱体的靠近样品1一端的棱边设置有45°的倒角；在调节第一晶体探测器5与第二晶体探测器6的夹角时，使第一晶体探测器5与第二晶体探测器6的倒角部相互贴合，即可使第一晶体探测器5与第二晶体探测器6的夹角为90°。

方案二：

参照图4，本实用新型正电子湮没多功能探测系统一实施方式的结构示意图；本实用新型还提供了一种正电子湮没多功能探测系统，该探测系统可以包括信号处理装置以及上述正电子湮没多功能探测装置。信号处理装置可以用于对所述时间信号以及能量信号进行处理，以得到正电子湮没寿命谱、正电子湮没一维多普勒展宽谱、正电子湮没二维符合多普勒展宽谱、正电子寿命-能量关联谱。正电子湮没多功能探测装置上述已经详细描述，此处不再赘述。

在本示例实施方式中，信号处理装置可以包括第一放大器、第二放大器、第一恒比定时微分甄别器、第二恒比定时微分甄别器、延时模块、时幅转换器、多参数数据获取系统以及处理器等等。第一放大器电连接于所述第一半导体探测器2的输出端；第二放大器电连接于所述第二半导体探测器3的输出端；第一恒比定时微分甄别器电连接于第一晶体探测器5的输出端；第二恒比定时微分甄别器电连接于第二晶体探测器6的输出端；延时模块电连接于所述第一恒比定时微分甄别器的输出端；时幅转换器电连接于所述延时模块的输出端以及所述第二恒比定时微分甄别器的输出端，时幅转换器可以具有两个输入端和一个输出端，两个输入端对应电连接延时模块的输出端以及第二恒比定时微分甄别器的输出端；多参数数据获取系统电连接于所述第一放大器的输出端，电连接于所述第二放大器的输出端，以及所述时幅转换器的输出端，多参数数据获取系统可以具有三个输入端以及一个输出端，三个输入端对应电连接第一放大器的输出端、第二放大器的输出端以及时幅转换器的输出端；处理器电连接于所述多参数数据获取系统的输出端。

进一步的，参照图5所示的信号切换器的结构示意图。信号处理装置还可以包括信号切换器，信号切换器电连接于所述多参数数据获取系统与所述第一放大器、第二放大器以及时幅转换器之间，可以用于所述切换第一放大器、第二放大器以及时幅转换器与所述多参数数据获取系统之间的通断，即信号切换器可以具有三个输入端分别为第一输入端A1、第二输入端A2以及第三输入端B1，以及两个输出端分别为第一输出端A、第二输出端B。第一输入端A1电连接第一放大器，第二输入端A2电连接时幅转换器，第三输入端B1电连接第二放大器。第一输入端A1和第二输入端A2对应第一输出端A，即可以通过信号切换器切换通过第一输出端A输出的信号是第一输入端A1输入的信号还是第二输入端A2输入的信号，需要第一输入端A1输入的信号时切换使第一输出端A与第一输入端A1连通，需要第二输入端A2输入的信号时切换使第一输出端A与第二输入端A2连通。第三输入端B1与第二输出端B连通，也可以断开。

具体而言，信号切换器可以包括两组信号切换组件；信号切换组件可以包括输入接口、单刀双掷开关10、信号输出接口以及多个延时电路开关9；输入接口设置为两个；单刀双掷开关10的双掷端连接于所述输入接口；信号输出接口设置为一个；多个延时电路开关9连接于所述单刀双掷开关10的单刀端与信号输出接口之间。第一组信号切换组件的两个输入接口可以为第一输入端A1、第二输入端A2，信号输出接口为第一输出端A，通过单刀双掷开关10可以控制第一输入端A1以及第二输入端A2与第一输出端A的通断；第二组信号切换组件的两个输入接口中的任意一个可以为第三输入端B1，信号输出接口为第二输出端B，通过单刀双掷开关10可以控制第三输入端B1与第二输出端B的通断；延时电路开关9可以为六个分别延时1ns、2ns、4ns、5ns、10ns和15ns，可任意延时组合，最长能延时37ns。另外，本领域技术人员可以理解的是，第二组信号切换组件可以不采用单刀双掷开关10，可以采用普通开关即可。还可以在每个输入接口设置信号指示灯8，用于指示该输入接口是否与信号输出接口连通。

本实用新型使用了双通道多参数数据获取系统，多参数数据获取系统自身携带多个通道的ADC接口，每个通道又兼容多道分析功能，有单独的PCI数据采集板卡，通过相应软件控制，可对多个通道的数据进行单独或符合、反符合等采集处理。以FAST ConTec公司的MPA-3产品设备为例，能够提供2、4、8、12或16通道输入信号的ADC分析，以满足多参数采集的需求，每个通道可根据ADC模块的配置进行不同道值的多道数据采集，其中多道的道值一般设为2的幂次方个，可根据不同精度要求调节道值。与之相配套的软件系统可以设置待收集数据的通道口，能对采集的数据进行实时处理，并且可以进行多个通道实时数据之间的符合与反符合处理等。依据上述MPA-3诸多优点，该模块能够满足正电子湮没综合测量过程中对数据采集、处理和存储等要求。多参数数据获取系统具有输入第一接口ADC1以及第二接口ADC2。其中，第二接口ADC2采集第二半导体探测器3探测的伽马光子能量信号，第一接口ADC1通过数据线连接到一个数据切换器的数据输出接口，信号切换器的第一输出端A分别接收来自第一输入端A1和第二输入端A2的信号即第一半导体探测器2探测的伽马光子能量信号与时幅转换器输出的正电子湮没寿命幅值方波信号，第三输入端的B1接收第二半导体探测器3探测的伽马光子能量信号，且始终保持第二输出端B信号输出。

下面对本实用新型的正电子湮没多功能探测系统的使用方法进行具体说明。

正电子湮没寿命谱的测量使用第一接口ADC1，信号切换器切换至第二输入端A2，连通第二输入端A2与第一输出端A，第三输入端B1与第二输出端B为断开状态；寿命谱的测量使用了快-快符合测量，两个晶体探测器紧贴样品1两侧并成180度同轴摆放，探测到的信号经过恒比定时微分甄别器(CFDD)不同能窗选择分别作为起始信号(1.28MeV能量左右的伽马信号)与终止信号(0.511MeV能量左右的伽马信号)，起始信号与经过延时之后的终止信号进入时幅转换器(TAC)经过时间窗符合判断把时间差转化为与之成正比的幅值方波信号，然后通过第二接口ADC1通道采集大量有效事件即能得到相应样品1的寿命谱，软件系统单独收集ADC1通道数据即可。

正电子湮没一维多普勒展宽谱的测量使用第二接口ADC2，第二半导体探测器3作为伽马光子能谱探测器，伽马信号经过第二放大器(AMP)适当的信号幅值放大后通过信号切换器的第二输出端B进入ADC2通道，软件系统单独收集ADC2通道数据即可。

正电子湮没二维符合多普勒展宽谱的测量同时使用了第一接口ADC1与第二接口ADC2，信号切换器的第一输出端A切换至第一输入端A1，符合多普勒展宽谱使用了内触发符合测量，多参数数据获取系统的软件系统同时收集ADC1与ADC2通道数据，并对其数据进行时间窗符合测量，得到相应的二维数据。

正电子湮没寿命-能量关联谱的测量涉及到对同一样品1寿命谱与能谱的符合测量，信号切换器的第一输出端A切换至第二输入端A2，第一接口ADC1与第二接口ADC2，第一接口ADC1接收寿命谱信号，第二接口ADC2接收能谱信号。为了能实现寿命谱与能谱的符合测量，需调动第一晶体探测器5，使得第一晶体探测器5与第二半导体探测器3对立成180度摆放，与第二晶体探测器6成90度垂直摆放，具体如图3所示。测量过程中需适当调节样品1托的摆放角度及第二半导体探测器3与样品1的距离，使符合计数达到最优。在软件系统中可根据放射源的活度设定合适的符合时间窗，最终可得到相应的寿命-能量关联谱二维数据。

上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本实用新型的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本实用新型的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本实用新型的各方面。

本说明书中使用“约”“大约”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，意即在没有特定说明的情况下，仍可隐含“约”“大约”“大致”“大概”的含义。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“顶”“底”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

应可理解的是，本实用新型不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本实用新型能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本实用新型的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本实用新型延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本实用新型的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本实用新型的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本实用新型。