一种确定紧缩场的不确定度的方法及装置与流程

文档序号:15682398发布日期:2018-10-16 20:42阅读:293来源:国知局

本发明涉及无线电通信技术领域,尤其涉及一种确定紧缩场的不确定度的方法及装置。



背景技术:

紧缩场是对高精度天线和雷达进行rcs(radarcrosssection,雷达散射界面)测量的一种测试场。紧缩场的反射面可能存在边缘衍射及拼缝绕射等现象,出现非均匀平面波对其静区场内的被测物体进行照射而影响测量结果。为了实现对紧缩场因非均匀平面波照射被测物体而对测量结果造成影响时所对应的影响程度进行度量,通常需要确定紧缩场的不确定度。

目前,主要通过对静区场的场分布的幅值差异进行分析以确定紧缩场的不确定度。分析维度单一,得到的不确定度并不能准确反应紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度。

因此,针对以上不足,需要提供一种确定紧缩场的不确定度时,得到的不确定度不能准确反应紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度的问题。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术中的缺陷,提供了一种确定紧缩场的不确定度时,得到的不确定度不能准确反应紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度的问题。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种确定紧缩场的不确定度的方法,包括:

获取紧缩场的静区场的场分布;

根据所述静区场的场分布,获取所述静区场的平面波谱;

对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的分量参数;

获取所述紧缩场的静区场内被测物体的特征参数;

根据各个所述平面波分量所分别对应的分量参数以及所述特征参数,确定所述紧缩场的不确定度。

优选地,

在所述获取紧缩场的静区场的场分布之前,进一步包括:

构建三维空间模型,其中,所述三维空间模型的x轴为纵轴、y轴为横轴、z轴平行于所述静区场内所述反射面所反射的反射主波的传播方向;

则,

所述获取紧缩场的静区场的场分布,包括:获取所述紧缩场的静区场在所述三维空间模型下每一个空间位置的场分布;

所述根据所述静区场的场分布,获取所述静区场的平面波谱,包括:

通过如下公式计算所述静区场的平面波谱:

其中,表征所述平面波谱,表征所述静区场在所述三维空间模型下x轴坐标是x、y轴坐标是y且z轴坐标是0的空间平面上的各个空间位置的场分布,e为自然底数,j为复数,kx表征x轴方向的自由空间波数分量,ky表征y轴方向的自由空间波数分量。

优选地,

所述对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的分量参数,包括:通过doa(directionofarrival,波达方向)算法对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的幅值、相位及入射方向。

优选地,

所述获取所述紧缩场的静区场内被测物体的特征参数,包括:获取所述紧缩场的静区场内被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息。

优选地,

所述根据各个所述平面波分量所分别对应的分量参数以及所述特征参数,确定所述紧缩场的不确定度,包括:

从各个所述平面波分量中,确定出入射方向平行于所述三维空间模型的z轴的主平面波分量;

计算各个所述平面波分量所分别对应的相位的相位均值;

针对于每一个所述平面波分量,执行a1至a3,

a1:根据所述平面波分量所对应的入射方向及所述主平面波分量所对应的入射方向,确定所述平面波分量与所述主平面波分量之间的夹角,并根据所述夹角确定第一影响因子;

a2:根据所述平面波分量所对应的幅值及所述被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息确定第二影响因子;

a3:根据所述平面波分量所对应的相位与所述相位均值之间的差值确定第三影响因子;

根据各个所述平面波分量所分别对应的所述第一影响因子、所述第二影响因子及所述第三影响因子计算所述紧缩场的不确定度。

本发明还提供了一种确定紧缩场的不确定度的装置,包括:

场分布获取模块,用于获取紧缩场的静区场的场分布;

波谱获取模块,用于根据所述静区场的场分布,获取所述静区场的平面波谱;

分量处理模块,用于对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的分量参数;

特征参数采集模块,用于获取所述紧缩场的静区场内被测物体的特征参数;

确定模块,用于根据各个所述平面波分量所分别对应的分量参数以及所述特征参数,确定所述紧缩场的不确定度。

优选地,

还包括:

三维模型构建模块,用于构建三维空间模型,其中,所述三维空间模型的x轴为纵轴、y轴为横轴、z轴平行于所述静区场内所述反射面所反射的反射主波的传播方向;

则,

所述场分布获取模块,用于获取所述紧缩场的静区场在所述三维空间模型下每一个空间位置的场分布;

所述波谱获取模块,用于通过如下公式计算所述静区场的平面波谱:

其中,表征所述平面波谱,表征所述静区场在所述三维空间模型下x轴坐标是x、y轴坐标是y且z轴坐标是0的空间平面上的各个空间位置的场分布,e为自然底数,j为复数,kx表征x轴方向的自由空间波数分量,ky表征y轴方向的自由空间波数分量。

优选地,

所述分量处理模块,用于通过doa波达方向算法对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的幅值、相位及入射方向。

优选地,

所述特征参数采集模块,用于获取所述紧缩场的静区场内被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息。

优选地,

所述确定模块,包括:第一确定单元、计算单元、处理单元和第二确定单元;其中,

所述第一确定单元,用于从各个所述平面波分量中,确定出入射方向平行于所述三维空间模型的z轴的主平面波分量;

所述计算单元,用于计算各个所述平面波分量所分别对应的相位的相位均值;

所述处理单元,用于针对于每一个所述平面波分量,执行a1至a3,

a1:根据所述平面波分量所对应的入射方向及所述主平面波分量所对应的入射方向,确定所述平面波分量与所述主平面波分量之间的夹角,并根据所述夹角确定第一影响因子;

a2:根据所述平面波分量所对应的幅值及所述被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息确定第二影响因子;

a3:根据所述平面波分量所对应的相位与所述相位均值之间的差值确定第三影响因子;

所述第二确定单元,用于根据各个所述平面波分量所分别对应的所述第一影响因子、所述第二影响因子及所述第三影响因子计算所述紧缩场的不确定度。

实施本发明的一种确定紧缩场的不确定度的方法及装置,具有以下有益效果:

1、实施本发明提供的技术方案,通过获取紧缩场的静区场的场分布,然后根据静区场的场分布获取静区场的平面波谱,后续则可对平面波谱进行解析以提取各个平面波分量所分别对应的分量参数,在进一步获取到紧缩场内被测物体的特征参数之后,则可从非均匀平面波的各个平面波分量所分别对应的分量参数以及被测物体的特征参数等多个维度进行综合分析以得到紧缩场的不确定度,得到的不确定度能够更为准确的反应出紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度。

2、实施本发明提供的技术方案,通过构建三维空间模型,其z轴的方向由紧缩场的反射面指向紧缩场的静区场,且z轴在理想特征下应当与紧缩场的中心轴线相重合,如此,则可通过构建的三维空间模型对静区场中每一个空间位置的相对位置进行描述。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的一种确定紧缩场的不确定度的方法的流程图;

图2是本发明实施例六提供的一种确定紧缩场的不确定度的方法的流程图;

图3是本发明实施例七提供的一种确定紧缩场的不确定度的装置的结构示意图;

图4是本发明实施例八提供的一种确定紧缩场的不确定度的装置的结构示意图;

图5是本发明实施例十一提供的一种确定紧缩场的不确定度的装置的结构示意图。

图中:301:场分布获取模块;302:波谱获取模块;303:分量处理模块;304:特征参数采集模块;305:确定模块;401:三维模型构建模块;3051:第一确定单元;3052:计算单元;3053:处理单元;3054:第二确定单元。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一

如图1所示,本发明实施例提供的一种确定紧缩场的不确定度的方法,包括:

步骤101,获取紧缩场的静区场的场分布;

步骤102,根据所述静区场的场分布,获取所述静区场的平面波谱;

步骤103,对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的分量参数;

步骤104,获取所述紧缩场的静区场内被测物体的特征参数;

步骤105,根据各个所述平面波分量所分别对应的分量参数以及所述特征参数,确定所述紧缩场的不确定度。

实施一中,通过获取紧缩场的静区场的场分布,然后根据静区场的场分布获取静区场的平面波谱,后续则可对平面波谱进行解析以提取各个平面波分量所分别对应的分量参数,在进一步获取到紧缩场内被测物体的特征参数之后,则可从非均匀平面波的各个平面波分量所分别对应的分量参数以及被测物体的特征参数等多个维度进行综合分析以得到紧缩场的不确定度,得到的不确定度能够更为准确的反应出紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度。

实施例二

本实施例二与实施例一基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

在所述获取紧缩场的静区场的场分布之前,进一步包括:

构建三维空间模型,其中,所述三维空间模型的x轴为纵轴、y轴为横轴、z轴平行于所述静区场内所述反射面所反射的反射主波的传播方向;

则,

所述获取紧缩场的静区场的场分布,包括:获取所述紧缩场的静区场在所述三维空间模型下每一个空间位置的场分布;

所述根据所述静区场的场分布,获取所述静区场的平面波谱,包括:

通过如下公式计算所述静区场的平面波谱:

其中,表征所述平面波谱,表征所述静区场在所述三维空间模型下x轴坐标是x、y轴坐标是y且z轴坐标是0的空间平面上的各个空间位置的场分布,e为自然底数,j为复数,kx表征x轴方向的自由空间波数分量,ky表征y轴方向的自由空间波数分量。

实施例二中,z轴的方向应当由紧缩场的反射面指向紧缩场的静区场,z轴在理想特征下应当与紧缩场的中心轴线相重合,如此,则可通过构建的三维空间模型对静区场中每一个空间位置的相对位置进行描述,最终实现通过上述公式更为准确的计算出静区场的平面波谱。

实施例三

本实施例三与实施例二基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于,

所述对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的分量参数,包括:通过doa算法对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的幅值、相位及入射方向。

实施例三中,具体可以通过relax、music等doa算法对平面波谱进行解析以提取出静区场中非均匀平面波的各个平面波分量所分别对应的幅值、相位及入射角等分量参数。

实施例四

本实施例四与实施例三基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

所述获取所述紧缩场的静区场内被测物体的特征参数,包括:获取所述紧缩场的静区场内被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息。

实施例四中,被测物体的形状、材料电磁特性以及被测物体在紧缩场内的位置信息(即被测物体在三维空间模型内的位置信息)均可能对测量结果造成影响,因此,通过对被测物体的形状、材料电磁特性以及被测物体在三维空间模型内的位置信息进行采集,后续则可方便对采集的这些信息进行综合考虑以得到紧缩场的不确定度,得到的不确定度则能够更为准确的反应出紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度。

实施例五

本实施例五与实施例四基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

所述根据各个所述平面波分量所分别对应的分量参数以及所述特征参数,确定所述紧缩场的不确定度,包括:

从各个所述平面波分量中,确定出入射方向平行于所述三维空间模型的z轴的主平面波分量;

计算各个所述平面波分量所分别对应的相位的相位均值;

针对于每一个所述平面波分量,执行a1至a3,

a1:根据所述平面波分量所对应的入射方向及所述主平面波分量所对应的入射方向,确定所述平面波分量与所述主平面波分量之间的夹角,并根据所述夹角确定第一影响因子;

a2:根据所述平面波分量所对应的幅值及所述被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息确定第二影响因子;

a3:根据所述平面波分量所对应的相位与所述相位均值之间的差值确定第三影响因子;

根据各个所述平面波分量所分别对应的所述第一影响因子、所述第二影响因子及所述第三影响因子计算所述紧缩场的不确定度。

实施例五中,在理想特征下,可以首先从各个平面波分量中确定出入射方向平行于三维空间模型的z轴的主平面波分量,该主平面波分量可描述紧缩场的反射面的反射主波;当然,在误差允许范围内,也可以将各个平面波分量中入射方向与三维空间模型的z轴之间的夹角最小的平面波分量确定为主平面波分量。当一个平面波分量所对应的入射方向与主平面波分量所对应的入射方向之间的夹角越大时,该平面波分量对测量结果的影响程度较大,因此,夹角越大时,第一影响因子越大,反之,夹角越小时,第一影响因子越小。

实施例五,可根据紧缩场中信号馈源、反射面以及静区场之间的位置关系以及其各项物理参数设置相应的计算模型,通过将一个平面波分量所对应的幅值、被测物体的材料电磁特性、被测物体的形状以及被测物体在三维空间模型内的位置信息输入计算模型,计算模型则可输出该平面波分量所对应的第二影响因子。

实施例五中,一个平面波分量所对应的相位与相位均值之间的差值越大,则该平面波分量对测量结果的影响程度越大,因此,差值越大时,第三影响因子越大,反之,差值越小时,第三影响因子越小。

在一种可能实现的方式中,可以计算各个第一影响因子、第二影响因子及第三影响因子之间的和,计算得到的和即可作为紧缩场的不确定度。

实施例六

为了更加清楚的说明本发明的技术方案,本实施例六结合上述实施例一至实施例五所述的内容,提供了另一种确定紧缩场的不确定度的方法,如图2所示,具体可以包括如下各个步骤:

步骤201,构建三维空间模型。

其中,所述三维空间模型的x轴为纵轴、y轴为横轴、z轴垂直于静区场的反射面,z轴的方向应当由紧缩场的反射面指向紧缩场的静区场,z轴在理想特征下应当与紧缩场的中心轴线相重合。

步骤202,获取紧缩场的静区场在三维空间模型下每一个空间位置的场分布。

步骤203,根据静区场的场分布获取静区场的平面波谱。

步骤203中,具体通过如下公式计算静区场的平面波谱:

其中,表征平面波谱,表征静区场在三维空间模型下x轴坐标是x、y轴坐标是y且z轴坐标是0的空间平面上的各个空间位置的场分布,e为自然底数,j为复数,kx表征x轴方向的自由空间波数分量,ky表征y轴方向的自由空间波数分量。

步骤204,通过doa波达方向算法对平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的幅值、相位及入射方向。

步骤205,获取紧缩场的静区场内被测物体的形状、材料电磁特性以及被测物体在三维空间模型内的位置信息。

步骤206,从各个平面波分量中,确定出入射方向平行于三维空间模型的z轴的主平面波分量。

步骤207,计算各个平面波分量所分别对应的相位的相位均值。

步骤208,针对于每一个平面波分量,根据该平面波分量的所对应的入射方向与主平面波分量所对应的入射方向,确定该平面波分量与主平面波分量之间的夹角,并根据夹角确定第一影响因子。

步骤209,根据该平面波分量所对应的幅值以及被测物体的形状、材料电磁特性以及被测物体在三维空间模型内的位置信息确定第二影响因子。

步骤210,根据该平面波分量所对应的相位与相位均值之间的差值确定第三影响因子。

步骤211,将每一个平面波分量所分别对应的第一影响因子、第二影响因子及第三影响因子的和确定为紧缩场的不确定度。

实施例七

如图3所示,本发明实施例提供的一种确定紧缩场的不确定度的装置,包括:

场分布获取模块301,用于获取紧缩场的静区场的场分布;

波谱获取模块302,用于根据所述静区场的场分布,获取所述静区场的平面波谱;

分量处理模块303,用于对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的分量参数;

特征参数采集模块304,用于获取所述紧缩场的静区场内被测物体的特征参数;

确定模块305,用于根据各个所述平面波分量所分别对应的分量参数以及所述特征参数,确定所述紧缩场的不确定度。

实施例八

如图4所示,本实施例八与实施例七基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

还包括:

三维模型构建模块401,用于构建三维空间模型,其中,所述三维空间模型的x轴为纵轴、y轴为横轴、z轴平行于所述静区场内所述反射面所反射的反射主波的传播方向;

则,

所述场分布获取模块301,用于获取所述紧缩场的静区场在所述三维空间模型下每一个空间位置的场分布;

所述波谱获取模块302,用于通过如下公式计算所述静区场的平面波谱:

其中,表征所述平面波谱,表征所述静区场在所述三维空间模型下x轴坐标是x、y轴坐标是y且z轴坐标是0的空间平面上的各个空间位置的场分布,e为自然底数,j为复数,kx表征x轴方向的自由空间波数分量,ky表征y轴方向的自由空间波数分量。

实施例九

本实施例九与实施例八基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

所述分量处理模块303,用于通过doa算法对所述平面波谱进行解析以提取至少一个平面波分量所分别对应的幅值、相位及入射方向。

实施例十

本实施例十与实施例九基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

所述特征参数采集模块304,用于获取所述紧缩场的静区场内被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息。

实施例十一

如图5所示,本实施例十一与实施例十基本相同,相同之处不再赘述,不同之处在于:

所述确定模块305,包括:第一确定单元3051、计算单元3052、处理单元3053和第二确定单元3054;其中,

所述第一确定单元3051,用于从各个所述平面波分量中,确定出入射方向平行于所述三维空间模型的z轴的主平面波分量;

所述计算单元3052,用于计算各个所述平面波分量所分别对应的相位的相位均值;

所述处理单元3053,用于针对于每一个所述平面波分量,执行a1至a3,

a1:根据所述平面波分量所对应的入射方向及所述主平面波分量所对应的入射方向,确定所述平面波分量与所述主平面波分量之间的夹角,并根据所述夹角确定第一影响因子;

a2:根据所述平面波分量所对应的幅值及所述被测物体的形状、材料电磁特性以及所述被测物体在所述三维空间模型内的位置信息确定第二影响因子;

a3:根据所述平面波分量所对应的相位与所述相位均值之间的差值确定第三影响因子;

所述第二确定单元3054,用于根据各个所述平面波分量所分别对应的所述第一影响因子、所述第二影响因子及所述第三影响因子计算所述紧缩场的不确定度。

综上所述,本发明实施例提供的各个技术方案,可从非均匀平面波的各个平面波分量所分别对应的分量参数以及被测物体的特征参数等多个维度进行综合分析以得到紧缩场的不确定度,得到的不确定度能够更为准确的反应出紧缩场对测量结果所造成影响的影响程度。

最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

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