多晶硅硅片刻蚀前外观缺陷检测系统的制作方法

文档序号:16657922发布日期:2019-01-18 20:08阅读:194来源:国知局
多晶硅硅片刻蚀前外观缺陷检测系统的制作方法

本实用新型涉及光伏电池领域,具体涉及多晶硅硅片刻蚀前外观缺陷检测系统。



背景技术:

多晶硅太阳能电池由于其较高的性价比,近年来一直在光伏发电市场占据着绝对优势。有报道称,2015年多晶硅太阳能电池组件占据了光伏发电市场88%的份额。在可预见的将来,多晶硅太阳能电池组件仍将占据光伏发电市场的绝对霸主地位。

多晶硅片相较于单晶硅片,主要缺点在于较高的缺陷。较高的缺陷将直接影响着硅片的质量,从而制约着硅片电池效率的提高。因此,分析和研究多晶硅片上的缺陷将会显得非常的重要。

由于人手不足或者其他问题,导致部分扩散后有缺陷的硅,如发蓝、蓝黑点、缺角等,硅片无法及时挑出,流入后道工序,导致外观、效率等异常。



技术实现要素:

发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供多晶硅硅片刻蚀前外观缺陷检测系统,可以将扩散后外观异常硅片挑选出来,从而增加良品率。

技术方案:

多晶硅硅片刻蚀前外观缺陷检测系统,包括检测平台、控制器以及缓存设备;所述检测平台两端分别与缓存设备和刻蚀主机台连接;所述检测平台包括检测台以及设置在检测台侧面的控制器,在所述检测台上方安装有视频监控设备;在所述检测台上设有传送带,在所述检测台下方设有用于控制所述传送带运动的电机;所述电机通过所述控制器连接正反转控制电路;所述控制器及所述视频监控设备均与计算机通信连接;所述视频监控设备将其监控的视频图片信息发送至所述计算机,所述计算机对其监控的视频图片信息进行分析,得出多晶硅硅片的外观缺陷检测结果;如果检测得到的多晶硅硅片有外观缺陷,则通过所述控制器控制所述电机反转,带动传送带将其放入所述缓存设备中;如果检测得到的多晶硅硅片没有外观缺陷,则通过所述控制器控制所述电机正转,将其放入所述刻蚀主机台进行刻蚀。

所述视频监控设备通过支架安装在所述检测台上方。

所述视频监控设备为摄像头。

有益效果:本实用新型通过在在刻蚀主机台上料前加装视频监控设备和缓存设备,可以将扩散后外观异常硅片挑选出来,从而增加良品率。

附图说明

图1为本实用新型的侧视图。

图2为本实用新型的俯视图。

1为检测台,11为控制器,2为支架,3为视频监控设备,4为刻蚀主机台,5为缓存设备。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。

图1为本实用新型的侧视图,图2为本实用新型的俯视图。如图1、2所示,本实用新型的多晶硅硅片刻蚀前外观缺陷检测系统包括检测平台、控制器11以及缓存设备5。所述检测平台两端分别与缓存设备5和刻蚀主机台4连接。所述检测平台包括检测台1以及设置在检测台1侧面的控制器11,在所述检测台1上方通过支架2安装有视频监控设备3。在所述检测台1上设有传送带(图中未示出),在所述检测台1下方设有电机(图中未示出),所述电机用于控制所述传送带运动;所述电机通过所述控制器11连接正反转控制电路。

所述控制器11及所述视频监控设备3均与计算机通信连接;所述视频监控设备3将其监控的视频图片信息发送至所述计算机,所述计算机对其监控的视频图片信息进行分析,得出多晶硅硅片的外观缺陷检测结果;如果检测得到的多晶硅硅片有外观缺陷,则通过所述控制器11控制所述电机反转,带动传送带将其放入所述缓存设备5中;如果检测得到的多晶硅硅片没有外观缺陷,则通过所述控制器11控制所述电机正转,将其放入所述刻蚀主机台4进行刻蚀。

在本实用新型中,所述视频监控设备3为摄像头。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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