真空炉用露点传感器的制作方法

文档序号:28577688发布日期:2022-01-19 19:03阅读:189来源:国知局
真空炉用露点传感器的制作方法

1.本实用新型属于测量真空加热炉测量高温状态下炉膛内真空负压条件下的露点的领域,涉及一种真空炉用露点传感器。


背景技术:

2.露点(dewpoint)或露点温度是在固定气压之下,气体中所含的气态水达到饱和而凝结成液态水所需要降至的温度。气体压力一定时,不同环境温度,同样体积的气体达到饱和状态时携带的水蒸气的量是不同的。露点温度被用来作为衡量气体中含水量的指标,露点用来表示气体的中的含水量。含水量越多露点数值越高。
3.金属热处理工艺加工过程的全部和部分在真空状态下进行的称为真空热处理,金属零件的真空热处理加工需要在专用的真空热处理炉中完成,热处理质量大大提高。其中,真空热处理所处的真空环境指的是低于一个大气压的气氛环境,包括低真空、中等真空、高真空和超高真空等。与常规热处理相比,真空热处理加工技术可同时实现无氧化、无脱碳、无渗碳,可去掉工件表面的磷屑,并有脱脂除气等作用,从而达到表面光亮净化的效果。
4.即使在高真空状态下,还会有残存的微量物质,比如水汽等,因此为了控制加工产品的质量,除了测量真空度和炉膛压力,测量残余的水汽含量也是有必要的。
5.由于真空炉处于真空负压状态,炉内含水量极少(露点低)对探头测量精度要求高,而且高负压对探头传感器结构密封要求高,还需要确保负压下的压力不会损坏传感器探头。
6.现有技术由于普通露点检测设备有的无法测量真空下的低露点,有的会被负压力造成破坏无法使用,因此常常不使用专门的露点水含量检测设备,而是通过设备自带的真空计推算。


技术实现要素:

7.本实用新型为了克服上述现有技术的不足,提供一种真空炉用露点传感器,用来解决目前真空负压状态时普通露点测量传感器会泄露导致真空炉无法维持需要的炉膛真空度负压和传感器受压力被损坏无法正常工作的缺陷。
8.本实用新型所采用的技术方案是:
9.真空炉用露点传感器,包含露点探头、安装座,其特征在于:露点探头紧密安装在安装座上,安装座安装在真空炉体上并保证真空炉体的密封。
10.所述露点探头的核心检测器件采用氧化锆陶瓷敏感元件,氧化锆陶瓷敏感元件与金属外壳之间用耐高温陶瓷密封粘结材料浇筑成为一个整体。
11.所述露点探头的金属外壳与不锈钢的安装座焊接成为一个整体。
12.所述不锈钢的安装座上焊有平板密封法兰。
13.使用时,露点探头通过真空炉壁或真空管路上的开孔和炉膛相通,由于安装座上焊有平板密封法兰,可以和另外一块安装在真空炉壁或真空管路上的平板密封下法兰对接
安装并密封,露点传感器被紧密地安装在真空炉体上并保证炉体的密封,能在真空负压时不泄露和正常工作。
附图说明
14.图1为本实用新型的露点探头结构示意图。
15.图2为本新型新型的结构示意图
16.图3为本实用新型在真空炉上的安装示意图。
具体实施方式
17.结合附图对本实用新型作进一步的描述。
18.如图1、图2所示,本实用新型真空炉用露点传感器7,包含露点探头4、安装座5,其特征在于:露点探头4紧密安装在安装座5上,所述露点探头4的核心检测器件采用氧化锆陶瓷敏感元件1,氧化锆陶瓷敏感元件1与金属外壳3之间用耐高温陶瓷密封粘结材料2浇筑成为一个整体;所述露点探头4的金属外壳3与不锈钢的安装座5焊接成为一个整体;所述不锈钢的安装座5上焊有平板密封法兰6。
19.使用时,如图3所示,露点探头4通过真空管路9(也可以是真空炉壁)上的开孔和炉膛相通,由于安装座5上焊有平板密封法兰6,可以和另外一块安装在真空管路9上的平板密封下法兰8对接安装并密封,真空炉用露点传感器7被紧密地安装在真空炉体上并保证炉体的密封,能在真空负压时不泄露和正常工作。


技术特征:
1.真空炉用露点传感器,包含露点探头、安装座,其特征在于:露点探头紧密安装在安装座上,安装座安装在真空炉体上并保证真空炉体的密封;所述露点探头的金属外壳与不锈钢的安装座焊接成为一个整体;所述不锈钢的安装座上焊有平板密封法兰。2.根据权利要求1所述的真空炉用露点传感器,其特征在于:所述露点探头的核心检测器件采用氧化锆陶瓷敏感元件,氧化锆陶瓷敏感元件与金属外壳之间用耐高温陶瓷密封粘结材料浇筑成为一个整体。

技术总结
本实用新型涉及一种真空炉用露点传感器,包含露点探头、安装座,其特征在于:露点探头紧密安装在安装座上,安装座安装在真空炉体上并保证真空炉体的密封。本实用新型测量真空加热炉工作中处于真空负压时,传感器可以检测炉膛内残余水汽含量用于辅助控制真空炉的真空状态和炉膛内残余物质的成分。本实用新型通过安装座安装在真空炉壁或真空管道上,安装座和探头结构能在在炉膛内真空负压状态时保证不泄露和维持需要的炉膛真空度,能在真空负压时不泄露和正常工作。泄露和正常工作。泄露和正常工作。


技术研发人员:吴锴 刘翼翔
受保护的技术使用者:武汉市华敏智造科技有限责任公司
技术研发日:2021.08.10
技术公布日:2022/1/18
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