专利名称：硅自封闭压力传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种扩散硅式压力敏元件与被测介质相隔离的压力传感器。
原有的扩散硅式压力传感器，力敏原件芯片的扩散电阻与封接面不在同一平面上，这就使得结构复杂，增加了非线性。所以，硅元件是一个硅杯，由于它是一个杯状，所以加工难度较大。同时采用这种结构，在压力较大情况下，是满足不了使用要求的。在1988年11月16日由段祥照同志申请的，申请号为88217080.5的“硅力敏传感器封装结构”中，采用了两道封装结构，同时，玻璃元件在硅元件的下部。这种结构虽解决结构复杂，成品率低的问题。但是由于有两道粘结口，这样在使用时精度不可能太高，尤其是长期稳定性保证不了。
本实用新型的目的在于克服上述已有技术的不足而提供一种硅自封闭压力传感器。
本实用新型的结构特点如附图
所示它包括有金丝、引线板、缓冲垫、玻璃元件、粘接密封剂、密封圈、压紧螺帽、外壳等组成，其中，硅元件在玻璃元件的下部，用静电封接在一起，构成硅力敏元件。玻璃元件的上部装有缓冲垫，而硅力敏元件是用粘接剂固定在外壳的上部。在外壳与硅力敏元件之间的空隙中，充填有粘接剂。同时，在硅力敏元件与压紧螺帽之间安装一密封圈。引线板安装在外壳的上部，金丝由硅元件上引出。在硅片的两面同时涂有硅橡胶涂层。
附图是本实用新型的结构示意图。
金丝1，引线板2，缓冲垫3，玻璃元件4，硅元件5，密封圈6，压紧螺帽7、外壳8、密封粘接剂9。
本实用新型比较原有技术具有以下优点1、不加保护可以测量一般介质，且测量精度较高，可适应0-40兆帕压力的测量。
2、由于硅片进行了抛光加工，所以线性好。
3、成本低，加工无需专用设备，成品率高，可靠性高。
权利要求1.一种硅自封闭压力传感器，包括有金丝1，引线板2，缓冲垫3，玻璃元件4，硅元件5，密封圈6，压紧螺帽7，外壳8，密封粘接剂9，其特征在于硅元件5设置在玻璃元件4的下端，构成硅力敏元件，玻璃元件4的上端设置有缓冲垫3，硅力敏元件在外壳8的上部，在外壳8与硅力敏元件之间，充填有粘接剂9，在硅力敏元件与压紧螺帽7之间设置一个密封圈6。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于它的硅元件的双面涂有硅橡胶涂层。
专利摘要一种硅自封压力传感器，它克服了原有技术中加工难度大，测量精度不高等缺点。本实用新型包括有金丝、引线板、缓冲垫、玻璃元件、硅元件、密封圈、压紧螺帽等组成，其中由玻璃元件硅元件的下部，在硅力敏元件与外壳之间用粘接剂进行密封，在下部利用密封圈进行密封。本实用新型的具有测量精度高、线性好、成本低等优点。
文档编号G01L1/00GK2047014SQ8921012
公开日1989年11月1日 申请日期1989年2月14日 优先权日1989年2月14日
发明者于海波, 段祥照 申请人:于海波, 段祥照