测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置的制作方法

文档序号:6094017阅读:972来源:国知局
专利名称:测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及测量防中子辐射屏蔽材料的屏蔽性能的装置。
至今我们还没有看到有关防核辐射材料屏蔽性能的测量装置的报道。目前,为了测试材料防中子辐射的屏蔽性能,需使用核反应堆,其缺陷是因反应堆不易搬动,故测试只能在反应堆上进行;因反应堆引出中子束的准直孔一般是不可变的,这样就对被测材料的尺寸有一定限制;又因反应堆产生的中子辐射受多种因素影响,故其稳定性差。
有鉴于此,本实用新型将提供一种测量防中子辐射屏蔽材料的屏蔽性能的装置,它可测量中子注量、中子剂量的削弱系数。
本实用新型的目的是这样实现的一种测量防中子辐射屏蔽材料屏蔽性能的装置由石蜡堆、同位素中子源、中子源导管、内准直器、外准直器、影锥体和探测器组成。所说同位素中子源装在所说中子源导管内并插于所说石蜡堆中;所说石蜡堆有一深及所说中子源导管的开口,该开口中安放带中心通孔的内准直器;所说外准直器的中间开通孔,其入口对准所说内准直器的通孔,其出口可供所说影锥体的小径端插入;所说探测器位于所说影锥体的大径端之后。同位素中子源2为锎中子源。
以下结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。


图1是本实用新型的结构示意图。
如图中所示,本实用新型由石蜡堆1、同位素中子源2、中子源导管3、内准直器4、圆柱形外准直器6、影锥体7和探测器8组成。为了更好地屏蔽中子和γ辐射,石蜡堆采用两层结构内层是重水泥;外层由石蜡加少量硼沙组成。锎中子源装在中子源导管3内并插于石蜡堆1中,石蜡堆有一深及中子源导管3的开口1′,该开口中安放带中心通孔的内准直器4,外准直器6的中间开通孔,其入口对准内准直器4的通孔,其出口可供影锥体7的小径端插入,探测器8则位于影锥体7的大径端之后。内准直器4和外准直器6均由石蜡加少量硼沙构成。
石蜡准直器的长度不小于500mm,其形状也可根据被测材料的形状而制作,为便于搬运和操作,它可由若干可拆部件组成。
平时锎中子源放于中子源导管3的下部。测量时,将锎中子源提到内准直器4的中心通孔处,将待测材料5紧置于内准直器4的外侧,依序置内准直器4、外准直器6和探测器8于同一轴线上,此后由探测器8可测得无屏蔽材料和有屏蔽材料时的粒子计数值N0和N,复将影锥体7的小径端插入外准直器的出口处,则又可测得无屏蔽材料和有屏蔽材料时的本底计数值N0b和Nb。这样由下式便可计算出中子注量或剂量的削弱系数ff=(N0-N0b)/(N-Nb)本实用新型的优点是1.装置采用同位素中子源,与反应堆、加速器产生的中子相比,具有辐射稳定、操作简便、不受许多因素影响等优点,所以测量的准确度可大大提高;所采用的锎中子源和其它的同位素中子源相比,又有比活度高、γ射线少、中子能谱已知的优点;2.安放在石蜡堆开口中的内准直器4可取出,因此可选用不同孔径的内准直器来适应待测材料的尺寸;并且若在内准直器中加上不同厚度的慢化剂(如石蜡),就可得到不同能谱的中子辐射场,并可用理论计算方法较确切地知道慢化后的中子辐射能谱;3.由于待测材料与探测仪器之间装有外准直器,因此可准确地扣除本底的影响,提高测量精度。
4.根据所选用的锎中子源的大小,按防护的要求,可适当选用石蜡堆的大小,这样便于搬动石蜡堆以实现现场测试。
权利要求1.一种测量防中子辐射材料的屏蔽性能的装置,它有石蜡堆(1)、同位素中子源(2)和探测器(8),其特征在于它还包括中子源导管(3)、内准直器(4)、外准直器(6)和影锥体(7),所说同位素中子源(2)装在所说中子源导管(3)内并插于所说石蜡堆(1)中,所说石蜡堆(1)有一深及所说中子源导管(3)的开口(1′),所说内准直器(4)开中心通孔并安放在该开口(1′)中,所说外准直器(6)的中间开通孔,其入口对准所说内准直器(4)的中心通孔,其出口可供所说影锥体(7)的小径端插入,所说探测器(8)位于所说影锥体(7)的大径端之后。
2.根据权利要求1所述的测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置,其特征在于所说的同位素中子源(2)为锎中子源。
3.根据权利要求1或2所述的测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置,其特征在于所说的石蜡堆(1)分为两层,其内层是重水泥,其外层由石蜡加硼沙组成。
专利摘要测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置由石蜡堆1、锎中子源、导管3、内准直器4、外准直器6、影锥体7和探测器8组成。锎中子源装在导管3内并插于石蜡堆1中,石蜡堆有一深及中子源导管3的开口1′,内准直器4开中心通孔并安放在此开口中,外准直器6的中间开通孔,其入口对准内准直器4的中心通孔,其出口可供影锥体7的小径端插入,探测器8位于影锥体的大径端之后。它可用于测量中子注量、中子剂量的削弱系数。
文档编号G01N23/09GK2194511SQ9420822
公开日1995年4月12日 申请日期1994年5月5日 优先权日1994年5月5日
发明者郑金美, 王炳林, 张荫芬, 郭秀英, 尚宏忠, 宁静, 温琛林 申请人:北京市射线应用研究中心
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