专利名称:电磁性能测试样品架的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及电磁性能测试装置,特别涉及一种半导体薄膜材料尤其外延薄膜材料电磁性能测试样品架。
在外延薄膜材料电磁性能测试中,必须在样品上形成电极。常用的方法是在处理好的样品上用烙铁焊上铟电极,这个过程形成了对材料的掺杂和损伤,尤其对HgCdTe外延薄膜材料情况更为严重。比较热处理前后情况,热处理将铟扩散到了体内,同时在工艺上也极感不便,对电阻较高的样品焊接电极就更加困难。
本实用新型的目的是提供一种电磁性能测试样品架,它不用在外延薄膜材料样品上焊接电极,而是对样品直接进行电磁性能测试。
本实用新型所述的一种电磁性能测试样品架包括电极、引线、接插座和绝缘板,它还包括一位于绝缘板下面的呈法兰状的搁架,一与搁架连接的引线管,一与引线管的另一端呈扩展形的外径接口相连接的绝缘样品台,以及在绝缘样品台上安装的螺钉和螺母;所述电极是压片电极,其中一端的下表面即面对所置被测样品的一面装有铟接触点,压片电极中间有孔,由螺钉和螺母可活动地安装在绝缘样品台上;所述引线的其中一端与上述螺钉和螺母连接,其中另一端与接插座上的芯柱连接。
本实用新型尤其适用于HgCdTe外延薄膜材料,对被测试样品不破坏,不污染,样品可重复测试,测试方便、简捷且快速。本实用新型可重复处理,重复使用。
以下结合附图对本实用新型作详细说明。
图1是一种电磁性能测试样品架的结构示意图。
图2是图1中的A-A剖视图。
图3是上述样品架中的压片电极结构示意图。
图4是图3中的B-B剖视图。
参看图1至图4,一种电磁性能测试样品架包括电极、引线、接插座1和绝缘板2。它还包括一位于绝缘板2下面的呈法兰状的搁架3,一与搁架3连接的引线管4,一与引线管4的另一端呈扩展形的外径接口相连接的绝缘样品台5,以及在绝缘样品台5上安装的螺钉6和螺母7。
电极是压片电极8,其中一端的下表面即面对所置被测样品12的一面装有铟接触点9,以接触样品12。压片电极8中间设有扁孔10,由螺钉6和螺母7可活动地安装在绝缘样品台5上。压片电极8呈梭状,由铜材制成。按图1所示,压片电极8有四个,分布安装在绝缘样品台5上。
安装在引线管4中的引线11的其中一端与上述螺钉6和螺母7连接,其中另一端与接插座1上的芯柱连接。
搁架3与引线管4由不锈钢材制成一体。
测试样品时,将样品置于样品台正面,将铟接触点置于样品适当位置,旋紧螺钉和螺母即可。
权利要求1.一种电磁性能测试样品架,它包括电极、引线、接插座和绝缘板,其特征在于,它还包括一位于绝缘板下面的呈法兰状的搁架,一与搁架连接的引线管,一与引线管的另一端呈扩展形的外径接口相连接的绝缘样品台,以及在绝缘样品台上安装的螺钉和螺母;所述电极是压片电极,其中一端的下表面即面对所置被测样品的一面装有铟接触点,压片电极中间有孔,由螺钉和螺母可活动地安装在绝缘样品台上;所述引线的其中一端与上述螺钉和螺母连接,其中另一端与接插座上的芯柱连接。
2.根据权利要求1所述的电磁性能测试样品架,其特征在于,所述压片电极呈梭状,由铜材制成。
3.根据权利要求1所述的电磁性能测试样品架,其特征在于,所述压片电极有四个,分布安装在绝缘样品台上。
4.根据权利要求1所述的电磁性能测试样品架,其特征在于,所述搁架与引线管由不锈钢材制成一体。
专利摘要本实用新型涉及一种电磁性能测试样品架,它包括电极、引线、接插座和绝缘板,它还包括一位于绝缘板下面的呈法兰状的搁架,一与搁架连接的引线管,一与引线管的另一端呈扩展形的外径接口相连接的绝缘样品台,以及在绝缘样品台上安装的螺钉和螺母。电极是压片电极,其中一端的下表面即面对所置被测样品的一面装有铟接触点,压片电极由螺钉和螺母可活动地安装在绝缘样品台上。本实用新型适用于外延薄膜材料,对被测试样品不破坏,测试方便、简洁且快速。
文档编号G01N27/00GK2293830SQ9723471
公开日1998年10月7日 申请日期1997年6月4日 优先权日1997年6月4日
发明者马可军, 俞振中, 何进, 沈寿珍, 许平 申请人:马可军, 俞振中, 何进, 沈寿珍, 许平