具有高功耗的老化板的制作方法

专利名称：具有高功耗的老化板的制作方法
本申请要求于1997年10月7日申请的60/061,305、于1997年10月21日申请的60/062,555、于1997年10月22日申请的60/062,673的美国临时申请的权益，这里引用这些文献。
本发明一般涉及集成电路芯片(IC)的老化和测试的装置，具体说，本发明涉及用于确保新制造的芯片能适于使用的老化板上的IC器件的冷却技术。更具体说，本发明包括用于提供提高的冷却能力的插座及能有效地冷却IC和插座的系统。
电子器件制造领域都知道，在将各种电子分元件组装成较大装置之前，要测试和/或“老化”它们。例如，计算机芯片通常分别连接于老化系统中，以便于确保每个芯片中的所有需要的电子电路能够工作。老化工艺可以加速芯片的老化，所以能够在制造工艺中早识别和放弃有缺陷的芯片。由于该工艺能够允许制造者避免其它情况下由于构成含有有缺陷的芯片的较大、较贵装置而浪费的费用，所以需要这样做。除老化外，计算机芯片和其它集成电路还可以进行各种其它测试操作。这里所用术语“测试”意在包含和包括老化操作。
在老化操作中，此后称为“被测器件”或“DUT”的每个芯片、集成电路(IC)或其它电子元件连接到数个电引线上。这些引线一般采取小焊料球阵列的形式，这些小焊料球定位成对应于DUT下表面上的电引线。DUT置于成阵列的引线上，以便在每个需要的点形成电连接。
老化或测试操作期间，电流通过各引线穿过DUT上的各电路时产生热。迄今为止，IC的功率较小，因而，计算机芯片老化期间的功耗量较小。为此，所产生的热量使得老化装置多数情况下能够被空气冷却。随着新的更高功率芯片的出现，老化期间产生的热量增加十倍，从约3-10瓦增加到30-100瓦或更多。
此外，芯片封装成本的增加推动了制造商去改进老化步骤，以便在最后的封装前而不是在其后进行老化。这可以使制造商节约封装有缺陷的芯片的成本，但意味着老化操作必须对部分封装的IC进行，这种封装中硅片自身可能是暴露的。与完全封装的芯片相比，部分封装的IC较不坚固，更易受损伤。所以，老化操作不能对DUT加过量的或不均匀的力。
由于老化必须在控制的温度下进行，并且由于芯片不能暴露于温度极限，所以必然要去除老化期间产生的大量热。没有非常大的热沉，空气冷却无法提供充分的冷却。已尝试利用电绝缘流体的液体冷却，但已证明对于非常高功率的DUT来说是行不通的。同时，与老化或测试完全封装的芯片相比，老化或测试部分封装芯片产生了新问题。例如，部分封装的芯片一般不适于容易地按要求的速率集中加热。
已知，大功率晶体管产生与老化操作期间相当大的热量。然而，晶体管和常规晶体管封装结构使得为晶体管老化装置设计的冷却系统不容易适用于冷却IC器件。此外，晶体管一般密封于耐久性金属或塑料封装中，所以这种处理涉及在老化芯片中发生的事情不发生在晶体管老化装置中。而且，与需要测试的大功率晶体管的体积相比，必须测试的IC的体积大许多倍，所以与晶体管测试有关的不太高的成本因素在用于芯片测量时会变得非常高。
除了与为给定老化装置提供充分的冷却能力和提供不限制该能力热的传递表面有关的问题外，问题的原因还在于各DUT的老化或测试期间产生的热量彼此间大不相同。已发现，在某些情况下，所产生热量的不同有两个数量级之多。由于适于充分冷却产生较多热量的DUT的冷却系统，会过度冷却产生较少热量的DUT，引起它们的温度降到低于要求的老化温度范围，所以这种偏差的结果是很难同时老化数个器件。相反，适于冷却产生较少热量的DUT的冷却系统，对产生较多热量的DUT冷却不足，造成它们的温度升到高于要求的老化温度范围。
因此，希望提供一种DUT老化装置，能够同时去除数个芯片每个中的至少30-300瓦热量，同时能够保持每个DUT的温度在希望的窄范围内。另外，即便多个DUT产生的热量可能有一个数量级以上的偏差，并且即便某些DUT会产生少至3瓦的热量，优选装置也应能够将DUT保持在预定的温度范围内。优选装置还应容易引入到能够同时处理多个DUT的系统中。这些目标需要该装置能够补偿同时老化的多个DUT间所产生热量的偏差。优选装置应能够在老化工艺之前、期间或之后，没有损伤地处理未封装芯片。还希望提供一种从成本、劳动力和可靠性方面考虑经济实用的老化装置。
本发明涉及一种老化装置，它能够同时去除数个DUT的每一个中的至少30-100瓦热量，同时能够补偿多个DUT间所产生热量的偏差，并保持每个芯片的温度在希望的窄范围内，所说DUT包括产生3瓦或更多热量的DUT。本发明容易引入能够同时老化多个DUT的系统中。优选装置对DUT的损伤最小，且从成本、劳动力和可靠性方面考虑经济实用。
本发明涉及一种用于老化期间容纳和接触各芯片的新颖插座，及支撑和冷却数个插座的系统。所说插座包括能够从芯片中去除是先前系统的至少3-10倍的热量。所说冷却系统至少包括一个与芯片或被测器件(DUT)良好热接触的高导热热沉部件。
本发明包括能够实现热沉部件和DUT间良好热接触的装置和技术。优选装置提供适应DUT上表面上的任何不平整的保形界面。在第一实施例中，这种热接触通过一起构成插座盖的一个弹性热垫和一个散热器实现。弹性热垫较好是被薄金属膜覆盖。在另一实施例中，保形界面包括容纳于由更高熔点金属构成的表层内的低熔点金属。在次优选的实施例中，该界面包括超平滑、高度抛光的金属表面。
根据本发明，分离的老化插座容纳每个DUT。每个插座较好是构成为控制允许热沉和DUT间良好热接触的偏置力，使之分布于整个DUT上，从而避免对DUT的机械损伤。优选插座还提供多种装置，该装置在插座基座和DUT间施加足够的接触力，以产生良好电接触，同时限制施加于DUT上的压力，以避免损伤DUT。
本发明的优选实施例还包括监测DUT附近的冷却系统的温度和提供关于该温度的数据的温度传感器，及响应于温度传感器的输出给DUT加控制的热量的热源。所说温度传感器较好是嵌在散热器中接近与DUT的界面。所说热源较好是嵌在散热器中。响应于温度传感器产生的信号，控制器控制该热源。
本发明冷却系统的优选实施例还包括与热沉和插座热接触的液—汽冷却系统。液—汽冷却系统较好是包括多个由单控制器控制的液—汽导管，与现有技术相比，成本和运转费用明显减少。在另一实施例中，液—汽冷却系统由称为液体冷却单元(LCU)的环形液体系统代替。LCU能够使老化温度低于60℃。
在阅读了以下的详细介绍并参考附图的基础上，本发明的其它目的和优点将变得更清楚，其中

图1是根据本发明第一实施例构成的老化或测试插座的剖面图；图2是本发明的热界面的可选实施例的放大示图；图3A是图1所示插座的散热部分的分解透视图；图3B是图1所示插座的散热部分的可选实施例的分解透视图；图4是沿图3的线4-4取的侧视图，示出了部分剖视的内部元件；图5A-B分别是座落于和未座落于相应热沉上的老化板的俯视图；图6是整个测试系统的正面透视图，示出了多组插座和多个热沉。
应理解，以下详细介绍的装置可以在任何取向工作。例如“上”、“下”、“之上”或“之下”等相关术语是指图示的各元件，用于只是为了展示和讨论目的之用。并不想用这些术语来要求本发明任何实施例中的这些关系。
现参见图1，本发明的一个装置涉及满足上述要求的老化或测试插座10。具体说，本发明的老化系统包括插座10，该插座10包括插座基座12及与插座盖20、热垫22、压板24、弹簧26和散热器30一起使用的压缩挡块16。图1中，示出了DUT 40容纳于插座10中。在某些实施例中，如果插座和盖构成为可以利用其它装置给DUT加足够的压力，则可以省略压板24和弹簧26。插座插座基座12较好是由合适的例如所属领域已知的不导电材料构成，并具有嵌于其中的多个导电引线14。每个引线14较好是端接于电触点15，电触点15可以包括例如插座基座12上表面13(如图所示)上的焊料突点等表面。引线14可移动至与DUT 40的下表面啮合和与之脱开。
插座基座12的上表面13较好是包括用作将DUT引导到插座基座12上的位置的成斜角的法兰盖17，但不是必须这样。法兰17较好是限定一个对应于DUT的基底面的区域。该区域一般是一个面积稍大于DUT的热传递区域的的方形区。例如，由法兰17限定的区域的每侧可以比DUT一侧的长度长0.005-0.010英寸。压缩挡块16较好是在上表面13上比法兰17延伸更远。压缩挡块16较好是包括刚性不可压缩材料，其构成为限定或对应于插座基座12的外围。在可选实施例中，压缩挡块16由与基座12相同的片一体形成。基座12和挡块16一起构成两部分有盖的插座10的一部分。
插座10的其它部分由插座盖20、散热器30、热垫22、弹簧26及压板24构成。这些部件相互连接在一起，一起移动到与插座及DUT啮合和与它们脱开。插座盖20较好由高温塑料或其它类似材料构成。插座盖20适于支撑在压缩挡块16上，包括用于此目的的下表面27。散热器30有一个中心部分32，该部分具有其上固定有热垫22的接触表面33，从而限定一个高导热界面。散热器30还包括支撑在压缩挡块16上的突缘36。
此外，散热器30包括支撑至少两个向下延伸的弹簧26的中间肩部34。根据一个优选实施例，八个弹簧26沿中心部分32的两侧固定于肩部34上。至少一个压力分布装置例如压板24固定于每个弹簧26的相对端部。各压板24可以如图所示彼此分开，或可形成为具有任何要求结构的单片形(未示出)。提供包括弹簧26和压板24的系统为的是给DUT施加压力，从而确保DUT上的电触点和插座中的引线14间的良好电接触。也可以用除上述弹簧和压板外的各种机械系统给DUT施加压力。在共同拥有且同时申请的题为“具有适用的热沉装置的老化板”的申请＿＿中详细记载了这些可选系统中的一些，这里引用该文献。
散热器30较好是由任何合适的刚性高导热材料构成。一种优选材料是铜，更优选的是镀有其它金属的铜，例如镀镍的铜。弹簧26较好是常规的小螺旋弹簧，但也可以是任何合适的可压缩偏置装置。压板24可以是任何能够提供非常平滑表面的刚性材料，并且较好是抛光的不锈钢。散热器30的表面33较好是抛光到至少约8微英寸。热界面根据本发明，DUT 40和散热器30间的界面设计成提供从DUT到散热器的最大热传递。为了实现最大热传递，该界面必须适应DUT的不平上表面。总之，热界面必须是保形、导热、耐久和可再利用的。此外，还必须考虑例如劳动力、材料成本和制造复杂性的因素。应理解，以下介绍的系统仅是例示，并不排除满足这些要求的各种系统。
根据第一优选实施例，热垫22固定于散热器30中心部分32的下表面上(如图所示)。热垫22较好是包括具有高导热性的材料。更具体说，形成热垫22的材料较好是具有至少0.2BTU/ft，更好是至少0.5BTU/ft的导热率。由于DUT的上表面容易具有一些凸凹不平，所以热垫22较好是某种程度上还能够保形或具有弹性。优选的材料类别可以是导热聚合复合材料。满足这些条件的一种优选材料是设于Bergquist Company of Minneapolis以商品名SIL-PAD 2000销售的填氮化硼的硅弹性体，较好是使用厚约为千分之4-20英寸较好是约5/103英寸的SIL-PAD 2000。另一优选材料是Thermagon，Inc.，3256West 25th Street，Cleveland，OH 44109以商品名T-Flex出售的填铝硅弹性体。弹性热垫22较好提供为薄片形式，热垫22的厚度较好是约4-5密耳。
由于与DUT的上表面接触的表面较好是不在DUT上留下残留物，所以较好是在构成热垫22的弹性导热体上提供薄箔敷层23(图3A)。另一优选实施例使用2密耳厚的其上电镀有50微米的金层的铜箔。再一优选实施例使用电镀有金的1密耳厚镍箔。其它次优选箔包括镀有铂的铜、镀有钯的铜和黄铜。
用于热界面的第二优选实施例包括由在系统的工作温度下熔化的低熔点金属构成的保形垫，如图2所示。如图所示，热界面包括容纳于金属箔表层37内的低熔点金属体35。表层37较好是包括1密耳的镍箔。如果需要，表层金属可以包括不同的金属，例如镀金的铜，或可以包括或可以镀有铂、金或钯。较好是用不会留下残留物或不污染DUT表面的金属镀敷金属箔。金属表层较好是利用护圈39夹于并密封于散热器30的接触表面33上，或用焊料垫圈(未示出)密封。在其熔化时，表层37和护圈39一起容纳LMPM 35。在图3B所示可选实施例中，LMPM 35包含于表层37和夹在表层37与散热器30之间的垫圈38中。垫圈48可以由任何能够在界面工作温度下保持密封的合适垫圈材料构成。每种情况下，至少包括一个穿过散热器30的膨胀口30a，以便于LMPM 35的热膨胀。如果需要，可用栓塞30b塞住口30a，如图所示。
在其熔化时，表层37与护圈39一起或表层、垫圈38和护圈39一起容纳LMPM。低熔点金属(LPMM)可以是任何合适的LMPM，例如现有技术所公知的那些。LMPM有时称作可熔合金。它们包括铋与铅、锡、镉、镓和/或铟的合金。通过改变这些元素的比例，可将LMPM设计成具有在要求温度范围内的熔点。根据本发明，构成与散热器30的热界面的LMPM在29℃-65℃之间熔化。
由于容纳LMPM的焊料垫圈39的熔点必须高于LMPM的熔点，所以如果使用焊料法，较好是在LMPM放置就位前，在焊料垫圈39上附着表层37。一旦表层37的外围完全密封到接触表面33上，则可以熔化需要量的LMPM，并浇铸或注入到表层之下。这较好是通过穿过热沉的进入通道完成，如图2中的部分剖面41所示。需要量的LMPM置于表层37后面之后，进入通道较好是由任何能够在工作温度下保持密封的合适装置密封，例如焊料。由于LMPM一般具有至少100BTU/ft通常至少为200BTU/ft的热导率，所以该实施例提供了从DUT的优异导热。
热界面的再一实施例可在界面处不用保形部件构成。在该实施例中(未示出)，散热器30的下表面较好是如上所述直接覆盖以金属箔。该例有赖于热沉材料和金属箔的轻微保形性和因省去保形部件可以产生的较好热传递性，以确保从DUT充分传递热量。热补偿系统本发明的老化系统适用于老化具有不同容量的DUT。还已知，甚至在相同规格的各DUT内，也会具有实际的工作特性范围。同时，DUT的热容差较小，较好是在窄的温度范围内进行老化。例如，芯片制造商可规定在60℃-125℃的温度范围内进行老化或测试。如果冷却系统为每个插座提供固定冷却能力，则各DUT间不等的热量会在DUT间产生不均的温度。由于一组给定DUT的工作温度范围易超过规定的老化温度范围，所以必须包括能使一组DUT上的温度相等的系统。
在本系统中，通过提供额外的冷却能力并同时为各DUT提供补充热量达到这一目的。更具体说，以下介绍的这种冷却系统设计成和工作以从每个插座中去除比最热DUT产生的热量多约10％的热量。现参见图3和4，每个散热器30较好是包括嵌在热沉本体中靠近其接触面33的一个热耦42或其它合适的温度传感器。热耦42较好是可拆卸和可更换的，并通过热耦引线43连接到合适的信号处理设备(未示出)。热耦42可以是任何合适的热耦，例如所属领域公知的那些。热耦42较好是由固定螺丝42a固定就位。
此外，散热器30中还可以包括一小电阻加热器或其它类型的加热器44。加热器44可以是任何合适的加热器，只要具有相当快的响应时间便可。加热器44较好是相对于接触面33定位在热耦42后面，以便热耦探测非常靠近DUT表面的点的温度。加热器44较好也是可拆卸和可更换的，并且通过加热器引线45与电源相连。给加热器44提供的电源较好是由信号处理设备响应于热耦42的输出控制。本发明中，较好是每个加热器44能够产生至少30瓦、更好是至少50瓦、最好是至少55瓦热量。加热器44较好是由固定螺丝44a固定就位。液汽冷却系统现参见图5A-B，散热器30从DUT把导热出去，而散热器由热沉50冷却。每个热沉50冷却多个插座。在优选实施例中，热沉50包括穿过其中的液—汽(LV)导管52。LV导管52用作例如为水(液态和汽态)但不限于水的冷却介质的导管。水通过包括导管52、容器、加热器、控制器和在电连接器53和54间同时形成电接触和机械热接触的机械装置的封闭回路(未示出)循环。
迄今为止，液—汽冷却系统已用于冷却大功率晶体管、可控硅整流器等的老化装置。在授予Jones的美国专利3,756,903中记载了LV冷却系统的工作原理，这里全文引用该文献。然而，如上所讨论的，与这些装置有关的处理、成本、和其它问题导致先前已知的冷却LV系统不适用于本申请中冷却集成电路芯片。
到目前为止，一直以来需要为每个导管52提供一个分开的控制器，以确保一组装置的冷却不影响系统中另一组装置的冷却。根据本发明，通过提供以一组至少两个较好是4个的方式提供都装有歧管的导管52，可以允许整个系统的高达72个插座用一个容器、加热器和控制器工作，由此实现了明显的成本和运转费用的节约。
现参见图6，应理解，可以在一个老化系统100中数次重复插座和热沉组合。根据一个优选实施例，LV导管52分组，并都装有歧管，以便它们可以在一个系统中工作，并受一个控制器的控制。LV导管52可分组成使从老化系统100出来的所有导管一起受控，或可以分成含少于所有导管的小组。
尽管结合优选的LV冷却系统介绍了本发明的系统，但应理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以使用任何其它冷却系统。例如，空气、冷却水(例如LCU)或其它冷却流体可直接或间接与散热器30热接触，以带走要求的热量。工作在需要进行老化操作时，DUT 40置于插座基座12上由法兰7限定的区域内，以便DUT上的电触点与插座基座12上的合适触点15对准。散热器30和固定于其上的各部件然后降到基座上，直到盖20靠在压缩挡块16上。参见图1和5A-B，热沉50夹在一对或多对相对的插座10之间，作用于相对插座上的力F用作作用于包括每个插座内的DUT的各部件上的压力。每次老化操作后，相对插座从与热沉50的接触状态脱开，使每个插座打开，取出DUT。
散热器30的大小和形状设计成在力F通过热沉50作用于其上时，将热垫22压成与DUT的上表面产生良好的热接触，弹簧26稍稍受压。热垫22压在DUT和散热器30之间，但不压到其压缩度的极限。另外，弹簧26也不压到其弹性极限，并用于通过压板24从散热器30将限制的压力传到DUT。因此，加于DUT上的力控制在需要的范围内，任何过量的力都直接通过压缩挡块16传给插座基座。同时，受压热垫22在DUT和散热器30间形成良好的热接触，允许散热器30和热沉50有效地去除老化期间DUT中产生的所有热量(30瓦或更多)。
象所加的力一样，老化操作期间，每个DUT的温度被精确地控制在预定的规定范围内。如上所述，这可以通过提供额外的冷却能力，并根据需要为各DUT提供补充热量来实现。LV系统设定为从每个插座中去除多于任何一个DUT所产生的最大热量的热量。在冷却每个DUT时，热耦42探测其温度。如果给定DUT的温度降到低于规定的老化温度范围，则信号处理器使加热器44提供热量补充，从而保持DUT的温度在要求的范围内。应理解，这种控制回路可用任何合适的控制器包括微处理器实现，并可以包括任何合适的控制算法，例如所属中领域已知的那些。例1热规格以下是根据本发明的老化系统60的一个实施例的热规格和工作细节功率控制每个LVU可以控制2,500瓦的器件功耗。带有8个LVU的标准测试系统可以耗散20,000瓦。每个LCU可控制5,000瓦器件功耗，则带有8个LCU的标准LCU测试系统可以耗散40,000瓦。在其每个工作板带有4个DUT的最高功率控制结构中，每个DUT可以耗散高达100瓦的平均功率。每个测试系统的最大器件密度为576个器件(每个工作板12个器件，每个LVU 6个工作板，每个系统8个LVU，每个测试系统总共有48块板，含576个DUT)。该系统可以减少到允许较大器件功耗。电源可给每个器件输入高达75瓦功率，LVU可控制每个耗散75瓦的30个器件。
对于LVU来说，每个器件75瓦的优选系统密度为240个器件。对于LCU平说，每个器件75瓦的优选系统密度为480个器件。在一个LVU中，如果平均DUT功率小于27瓦，则器件密度可增大到每个工作板15个DUT。在该负载下，在相同数量的板位置的情况下，每个板上有15个器件可以使每个测试系统有720个DUT。本发明的系统DUT电源能够给每个大功率模式的DUT或给每对小功率模式的器件提供75瓦的DC功率。
板密度如上所述，工作板密度随需要的平均器件功率而改变。对于功耗高达34瓦平均功率的器件，每个工作板上允许12个部件。对于功耗35-52瓦的器件，每个工作板上允许8个部件。
权利要求
1.测试集成电路的系统，包括插座，能够容纳和支撑带有集成电路的DUT，所说插座包括连接DUT上的相应引线的电引线；与冷却介质热接触的热沉，及与所说热沉和DUT热接触的散热器，所说散热器包括可与插座中的DUT可释放地机械和热接触的热界面。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所说热界面包括热导率至少为0.2BTU/ft。的材料。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所说热界面包括热导率至少为100BTU/ft。的材料。
4.根据权利要求2所述的系统，其中所说材料包括导热聚合复合材料。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所说热界面包括含有金属箔的外层。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所说热界面包括容纳于金属箔表层内的大量低熔点金属。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所说金属箔表层具有密封到所说热沉上的周边。
8.根据权利要求1所述的系统，还包括加热器和热耦，所说热耦与所说热界面相邻，所说加热器响应于所说热耦的输出受控。
9.根据权利要求1所述的系统，还包括与所说热界面相邻的加热器。
10.根据权利要求1所述的系统，还包括与所说热沉热接触的液—汽冷却系统。
11.测试多个集成电路的系统，包括多个插座，每个插座适于容纳和支持带有集成电路的DUT；多个散热器，每个散热器包括加热器；定位成从每个DUT向散热器传导热量的热界面；与所说散热器热接触的冷却系统。
12.根据权利要求11所述的系统，还包括定位成检测每个DUT的温度的热耦。
13.根据权利要求11所述的系统，其中所说热界面是保形的。
14.根据权利要求11所述的系统，其中所说热界面包括导热聚合复合材料。
15.根据权利要求14所述的系统，其中所说材料包括具有金属箔的外层。
16.根据权利要求11所述的系统，其中所说热界面包括容纳于金属箔表层内的大量低熔点金属。
17.测试集成电路的方法，包括(a)提供插座，容纳和支持带有集成电路的DUT；(b)在插座中提供电触点，用于电接触DUT上的相应引线；(c)实现DUT和具有保形热界面的热沉间的热接触；(d)为集成电路提供预定电信号，同时通过热界面将热量去除到热沉中，从而保持集成电路在预定的温度范围内。
18.根据权利要求17所述的方法，其中步骤(d)包括在电信号的作用下，从DUT中去除比所产生的热导多的热量的步骤。
19.根据权利要求18所述的方法，其中步骤(d)包括通过加热热界面给DUT施加补充热量的步骤。
20.根据权利要求18所述的方法，其中步骤(d)包括响应于来自温度传感器的信号，给DUT施加补充热量的步骤。
21.根据权利要求17所述的方法，其中步骤(d)包括使冷却介质流过热沉的步骤。
22.根据权利要求17所述的方法，还包括提供装有歧管能同时从多个插座去除热量的冷却系统的步骤。
23.根据权利要求17所述的方法，还包括给DUT加压力的步骤。
24.设置成与热传递面接触的导热界面，包括第一导热材料；及固定于所说导热材料上并定位成接触热传递面的金属表层。
25.根据权利要求24所述的界面，其中所说第一导热材料包括聚合材料。
26.根据权利要求24所述的方法，其中所说第一导热材料包括低熔点金属。
全文摘要
一种老化集成电路芯片(40)的系统和方法,包括能够容纳和支撑芯片的插座(10),插座中用于连接芯片上的相应引线的电引线(14),及与冷却介质热接触的热沉。热沉(30)包括与插座中的集成电路可释放地热接触的热界面(22)。热沉从集成电路中去除比老化工艺期间产生的热量多的热量,通过监视集成电路的温度,并根据需要提供补充热量,将集成电路保持在预定要求温度范围内。多个插座一起编组,并利用歧管冷却系统冷却,可以分别监测和控制每个集成电路的温度。
文档编号G01R1/04GK1274518SQ98809918
公开日2000年11月22日 申请日期1998年10月6日 优先权日1997年10月7日
发明者詹姆斯·E·约翰逊, 罗纳尔多·J·达西 申请人:可靠公司