压电式超声波探头装置的制造方法

文档序号:8511675阅读:357来源:国知局
压电式超声波探头装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及超声波装置领域,尤其涉及压电式超声波探头装置。
【背景技术】
[0002]超声波传感器是利用超声波的特性研制而成的传感器。超声波是一种振动频率高于声波的机械波,由换能晶片在电压的激励下发生振动产生的,它具有频率高、波长短、绕射现象小,特别是方向性好、能够成为射线而定向传播等特点。超声波对液体、固体的穿透本领很大,尤其是在阳光不透明的固体中,它可穿透几十米的深度。超声波碰到杂质或分界面会产生显著反射形成反射成回波,碰到活动物体能产生多普勒效应。基于超声波特性研制的传感器称为“超声波传感器”,广泛应用在工业、国防、生物医学等方面。而传统的超声波传感器探头的分辨率不够精准,不能满足精密探测的要求。

【发明内容】

[0003]本发明要解决以上的技术问题,提供压电式超声波探头装置,来提高超声波传感器探头的分辨率。
[0004]为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
压电式超声波探头装置,包括金属壳、绝缘壳、接线片、压电晶片、保护膜、阻尼块、导电螺杆,保护膜位于压电晶片的外侧面,绝缘壳上端卡在接线片两端且下端卡在压电晶片两端,阻尼块位于由绝缘壳、接线片、压电晶片所围成的腔体内,导电螺杆与接线片的上侧面的中部相连,金属壳安装在绝缘壳外侧。
[0005]其中,压电晶片的内外侧面镀有银层;压电晶片为圆板型,其厚度与超声频率成反比。
[0006]与现有的技术相比,本发明的有益效果是:本发明采用压电晶片内侧腔体内填充吸收阻尼块,降低了压电晶片的机械品质,吸收声能量,限制住了超声波的脉冲宽度,提高超声波传感器探头的分辨率。
【附图说明】
[0007]图1为本发明的结构示意图;
其中:1、金属壳,2、绝缘壳,3、接线片,4、压电晶片,5、保护膜,6、阻尼块,7、导电螺杆。
【具体实施方式】
[0008]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0009]请参阅图1,图1为本发明的结构示意图。
[0010]本发明提供压电式超声波探头装置,包括金属壳1、绝缘壳2、接线片3、压电晶片4、保护膜5、阻尼块6、导电螺杆7,保护膜5位于压电晶片4的外侧面,绝缘壳2上端卡在接线片3两端且下端卡在压电晶片4两端,阻尼块6位于由绝缘壳2、接线片3、压电晶片4所围成的腔体内,导电螺杆7与接线片3的上侧面的中部相连,金属壳I安装在绝缘壳2的外侧。
[0011]其中,压电晶片4的内外侧面镀有银层。
[0012]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.压电式超声波探头装置,包括金属壳(I)、绝缘壳(2)、接线片(3)、压电晶片(4)、保护膜(5)、阻尼块(6)、导电螺杆(7),其特征在于,所述保护膜(5)位于压电晶片(4)的外侧面,所述绝缘壳(2)上端卡在接线片(3)两端且下端卡在压电晶片(4)两端,所述阻尼块(6)位于由绝缘壳(2)、接线片(3)、压电晶片(4)所围成的腔体内,所述导电螺杆(7)与接线片(3)的上侧面的中部相连,所述金属壳(I)安装在绝缘壳(2)的外侧。
2.根据权利要求1所述的压电式超声波探头装置,其特征在于,所述压电晶片(4)的内外侧面镀有银层。
【专利摘要】本发明公开了压电式超声波探头装置,涉及超声波装置领域。为了提高超声波传感器探头的分辨率,本发明包括金属壳、绝缘壳、接线片、压电晶片、保护膜、阻尼块、导电螺杆,保护膜位于压电晶片的外侧面,绝缘壳上端卡在接线片两端且下端卡在压电晶片两端,阻尼块位于由绝缘壳、接线片、压电晶片所围成的腔体内,导电螺杆与接线片的上侧面的中部相连,金属壳安装在绝缘壳外侧。本发明采用压电晶片内侧腔体内填充吸收阻尼块,降低了压电晶片的机械品质,吸收声能量,限制住了超声波的脉冲宽度,提高超声波传感器探头的分辨率。
【IPC分类】G01N29-24
【公开号】CN104833726
【申请号】CN201510165138
【发明人】余进
【申请人】安庆市紫韵电子商务有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年4月9日
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