利用ate测量线路上寄生电容的方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及集成电路测试领域，尤其是一种利用ATE测量线路上寄生电容的方 法。
【背景技术】
[0002] 集成电路器件在销售前需要进行ATE量产测试。一般情况下，待测器件测试规范 要求待测器件的输出端口在一定负载电容下，在此过程中需要用负载板将待所述测器件连 接到ATE(AutomaticTestEquipment,集成电路测试时使用的自动测试设备）的标准接口。 一般的，所述负载板是一块印刷电路板，在所述印刷电路板上可放置测试所需外围电路，并 将所述待测器件的引脚连接到ATE测试的资源如电源、数字通道的引脚。
[0003] 但由于所述负载板上的每个通道上连接的走线、外围电路均会产生一定的寄生电 容，所述寄生电容会对所述待测器件测试的结果造成影响，特别是时序参数的影响。因此， 需要对测试通路和所述负载板上的电容进行测量，从而对所述待测器件的测试结果进行校 正修正W满足测试规范的要求。
[0004] 现有技术中，通常有两种方法实现对所述测试通路和所述负载板上的电容进行测 量。方法一；W所述ATE测试机本身的规格参数作为参考。具体的，所述ATE测试机的出 厂规格书上会表明所述ATE的测试组件模块容性负载的大小，可此作为所述测试通路 的电容。但是，在该只是所述ATE测试机本身负载电容的大小，而在实际测试过程中，所 述测试通路中还包括其他连接组件，例如，如果是对娃晶圆进行测试，所述ATE需要通过 DIB值eviceInter化ceBoard,测试接口板）、化goTower(弹黃转接板）才能与一探针卡 之间进行连接，而所述测试接口板、所述Tower本身W及各部件之间的连线均会增加所述 测试通路上的负载电容。因此，W所述ATE测试机本身的规格参数作为所述测试通路上的 电容，将导致所述测试通路上的电容测量不准确，进而影响所述待测器件的测量精度。
[0005] 方法二：利用LCR等分离仪器对所述测试通路进行测量。具体的，如果所述待测器 件对所述测试通路上的寄生电容有比较严格的要求时，需要采用LCR等分离仪对所述测试 通路的电容进行测量。但是，所述ATE测试机的通道至少有几百个，多达两千多个，而且不 同的负载板导致测试通路上的电容也不一样，需要重新测量。因此，该种测量方法麻烦且效 率低下。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种利用ATE测量线路上寄生电容的方法，W解决ATE测 试过程中测试通路中寄生电容无法快速准确测量的问题。
[0007] 为了达到上述目的，本发明提供了一种利用ATE测量线路上寄生电容的方法，包 括W下步骤：
[000引选定需要量测的测试通路；
[0009] ATE定义一矢量发生数据和一矢量，并根据所述矢量发生数据和所述矢量向所述 测试通路上施加一第一电压对所述测试通路进行充电；
[0010] 所述ATE向所述测试通路上施加一第一恒定电流，W维持所述测试通路在测试过 程中的电流为一恒定值；
[0011] 当所述测试通路达到规定充电时间后，所述ATE停止向所述测试通路上施加所述 第一电压，所述测试通路进行放电，所述ATEW-矢量周期周期性的测量所述测试通路的 输出电压；
[0012] 所述ATE将所述输出电压与一第二电压进行比较判断，当所述输出电压小于所述 第二电压时，所述矢量的测试显示为失效，则计算从放电开始到输出电压小于所述第二电 压的过程中所述矢量运行的矢量行数；
[0013] 计算所述测试通路上的寄生电容：
[0014] 寄生电容=所述第一恒定电流* (所述矢量周期*所述矢量行数）/(所述第一电 压-所述第二电压）。
[0015] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述第一电压大于所 述第二电压。
[0016] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述矢量发生数据由 所述ATE上的PinElectronic组件生成。
[0017] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述矢量发生数据与 所述测试通路一一对应。
[001引优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述ATE通过Pin Electronic组件向所述测试通路上施加所述第一电压。
[0019] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述ATE通过PPMU组 件向所述测试通路上施加所述第一恒定电流。
[0020] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述ATE通过Pin Electronic组件测量所述测试通路的输出电压。
[0021] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述ATE通过Pin Electronic组件将所述输出电压和所述第二电压进行比较判断。
[0022] 优选的，在上述的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，所述第一恒定电流和 所述第一电压同时被施加到所述测试通路中。
[002引在本发明提供的利用ATE测量线路上寄生电容的方法中，利用所述ATE测试设备 本身的测量组件测量出所述测试通路上的稳定充电电压和放电电压，即所述第一电压和所 述第二电压，W及所述测试通路上的电压从所述第一电压变化到所述第二电压所需要的时 间，即（所述矢量周期*所述矢量行数），从而可W快速准确的对所述测试通路上的寄生电 容进行测量。当变更所述ATE的测试通道及负载板时，仅通过修改所述矢量发生数据即可 快速、方便的实现不同测试通路上寄生电容的测量。
【附图说明】
[0024] 图1为本发明实施例中利用ATE测量线路上寄生电容的方法的流程图；
[00巧]Ui-第一电压化-第二电压；n-矢量行数；T-矢量周期；I-第一担定电流；C-寄生 电容。
【具体实施方式】
[0026] 下面将结合示意图对本发明的【具体实施方式】进行更详细的描述。根据下列描述和 权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均 使用非精准的比例，仅用W方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0027] 本发明提供了一种利用ATE测量线路上寄生电容的方法，如图1所示，包括W下步 骤：
[002引 S1 ;选定需要量测的测试通路。
[0029]S2 ;ATE定义一矢量发生数据和一矢量，并根据所述矢量发生数据和所述矢量向 所述测试通路上施加一第一电压Ui对所述测试通路进行充电。
[0030] 所述ATE测试机上有几百个，多达两千多个测试通道，再结合不同的负载可W形 成几千个甚至上万个测试通路，根据实际测量的需要定义一个需要的测试通路，并且利用 所述ATE测试机定义一矢量发生数据，所述矢量发生数据与所述测试通路一一对应，当修 改所述矢量发生数据时，就可W根据修改的所述矢量发生数据测量不同的测试通路。
[0031] 针对所选取的所述测试通路，所述ATE根据上述矢量发生数据向所述测试通路上 施加一第一电压Ui对所述测试通路进行充电。
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