样的浓度被稀释为1/2,应当显示58. 5%的化学发光强度。然而， 在图11中，（c)显示出17. 3%的化学发光强度。这表明在还原通道中pH 4. 5的试样与蒸 馏水混合后pH值变高，进而产生铬（III)的沉淀现象或铁和铬的共沉淀现象，导致化学发 光强度减少41. 2%。在图11中，（d)是通过与（c)相同的方法注入试样和蒸馏水并注入溶 解有EDTA的试剂而得到的化学发光信号，表示试样中以溶解状态残留的铁（II)被EDTA除 去，造成5. 4%的化学发光强度减少。从所述结果可知，通过化学发光法检测铬（III)时，如 果注入蒸馏水就会发生分析误差，这种情况下即使注入Η)ΤΑ也无法消除其他金属离子造 成的干扰效果。
[0135] [实验例9]
[0136] 在本实验例9中，使用未添加 EDTA的试剂和添加 IOmM的EDTA的试剂，对参与鲁 米诺化学发光反应的铁（II)、钴（II)、铜（II)、镍（II)以及混合有铬的pH 4. 5的试样进行 了化学发光检测。
[0137] 对于溶解有500ppb的铬（III)以及所述干扰金属离子分别溶解有500ppb或5ppm 的试样，利用硝酸将pH值调成4. 5。此时，用于调整pH值的硝酸溶液的体积为试样体积的 1/1000以下，可以忽略试样中铬和干扰金属的浓度变化。而且，对于溶解有500ppb的总铬 (包含250ppb的铬（III)和250ppb的铬（IV))以及干扰金属离子分别溶解有500ppb或 5ppm的试样，利用硝酸将pH值调成4. 5。
[0138] 化学发光试剂是通过添加 IOmM的EDTA的缓冲溶液和未添加 EDTA的缓冲溶液中 分别加入鲁米诺和过氧化氢来制备的。
[0139] [表 1]
[0140]
[0141] [表1]不出各试样的化学发光强度，是对于溶解有500ppb的络（III)和干扰金属 离子的试样，将500ppb铬（III)试样的化学发光强度设定为100%，对于溶解有500ppb总 络和干扰金属离子的试样，将500ppb的总络试样的化学发光强度设定为100%，并注入未 添加 EDTA的化学发光试剂和添加 IOmM的EDTA的化学发光试剂时，对于各试样的化学发光 强度。化学发光强度右侧括号内的值是针对各试样三次测定化学发光强度而得到的相对标 准偏差。
[0142] 当注入未添加 EDTA的试剂时，由于试样中存在的干扰金属离子测到的化学发光 强度超过100%。然而，使用添加 IOmM的m)TA的化学发光试剂时，在检测通道中干扰金属 离子被Η)ΤΑ除去，因而化学发光强度与500ppb的铬（III)、500ppb的总铬标准试样相同， 对于干扰金属离子的浓度为络浓度的10倍（5ppm)的试样，也可以在没有干扰效果的情况 下对500ppb的络（III)和总络进行选择性分析。
[0143] [实验例 10]
[0144] 本实验例10是为了确认本实施例的检测装置的性能而进行的，分析了在工厂收 集的试样中总铬和铬（ΠΙ)、铬（IV)的浓度。将经具有0. 45 μ m pore的过滤器过滤的试样 注入微流控芯片，并测定了铬浓度。
[0145] 表2是将试样中总铬和铬（III)、铬（IV)浓度的分析结果与通过原子吸光光度 法和吸光法分析的结果进行对比的表格，原子吸光光度法只能分析总铬浓度，检测极限为 20ppb。而且，吸光法采用紫外线可见光分光光度计测定由铬（IV)与1，5_二苯基卡巴肼 (l，5-dipheny Icarbazide)的反应生成的红色络合物在540nm波长下的吸收度并进行了 分析，由于没有其他物质造成的干扰效果，在铬（IV)分析中是选择性高的分析方法。
[0146] 对根据本实验例10的试样中的铬，使用本实施例的微流控芯片通过化学发光 法进行分析的结果，试样1、试样2、试样3中包含的总铬的浓度分别为137ppb、112ppb、 128ppb，类似于通过原子吸光光度法分析的结果，对各试样分析三次的结果得到比原子吸 光光度法更低的相对标准偏差。
[0147] [表 2]
[0148]
[0149] 对于通过化学发光法分析的铬（III)的浓度，试样1、试样2、试样3分别为27ppb、 20ppb、28ppb，类似于从通过原子吸光光度法分析的总铬浓度减去通过吸光法分析的铬 (IV)浓度而算得的铬（III)浓度。对于铬（IV)的浓度，利用总铬和铬（III)浓度的计算值 与通过吸光法分析的铬（IV)浓度类似。如上所述，利用本实施例的测铬装置分析，可以准 确地测定总铬和铬（III)、铬（IV)的浓度。
[0150] 上面说明了本发明的较佳实施例，但本发明并不局限于上述内容，在权利要求书 和说明书及其附图范围内可以各种变形方式实施，毋庸置疑这些均属于本发明的保护范围 之内。
【主权项】
1. 一种微流控芯片，包括： 第一基板，形成有用于混合试样和试剂的还原通道、用于混合试剂的试剂混合通道、及 一侧端部与所述还原通道和所述试剂混合通道并联连接而另一侧端部与排出口连接的检 测通道；以及 第二基板，具有面向所述检测通道且使光线透过的检测部，所述第二基板与所述第一 基板结合。2. 根据权利要求1所述的微流控芯片，其中， 所述还原通道更长于所述试剂混合通道。3. 根据权利要求2所述的微流控芯片，其中， 所述第一基板和第二基板由具有可吸光的颜色的材料形成，或者被染成可吸光的颜 色。4. 根据权利要求2所述的微流控芯片，其中， 所述第一基板上形成有用于注入试样的试样注入口和用于注入还原剂的还原剂注入 口，所述试样注入口以试样通道为中介体与还原通道连接，所述还原剂注入口以还原剂通 道为中介体与还原通道连接。5. 根据权利要求4所述的微流控芯片，其中， 所述第一基板上形成有用于注入第一试剂的第一试剂注入口和用于注入第二试剂的 第二试剂注入口，所述第一试剂注入口通过第一试剂通道与试剂混合通道连接，所述第二 试剂注入口通过第二试剂通道与试剂混合通道连接。6. 根据权利要求2所述的微流控芯片，其中， 所述检测通道重叠配置且一侧端部和另一侧端部交互连接，所述检测通道从中央越向 两边侧端越减小。7. 根据权利要求2所述的微流控芯片，其中， 所述还原通道和所述试剂混合通道重叠配置且一侧端部和另一侧端部交互连接。8. -种测铬装置，包括： 微流控芯片，包括第一基板及第二基板，其中第一基板形成有用于混合试样和试剂的 还原通道、用于混合试剂的试剂混合通道、及一侧端部与所述还原通道和所述试剂混合通 道并联连接而另一侧端部与排出口连接的检测通道，而第二基板具有面向所述检测通道且 使光线透过的检测部，所述第二基板与所述第一基板结合； 检测器，配置成面向所述检测部；以及 供应部，用于向所述微流控芯片供应试样及试剂。9. 根据权利要求8所述的测铬装置，其中， 所述还原通道更长于所述试剂混合通道。10. 根据权利要求9所述的测铬装置，其中， 所述第一基板和第二基板由具有可吸光的颜色的材料形成，或者被染成可吸光的颜 色。11. 根据权利要求9所述的测铬装置，其中， 所述第一基板上形成有用于注入试样的试样注入口、用于注入还原剂的还原剂注入 口、用于注入第一试剂的第一试剂注入口、及用于注入第二试剂的第二试剂注入口。12. 根据权利要求11所述的测铬装置，其中， 所述供应部向所述试样注入口供应试样，向所述还原剂注入口供应亚硫酸钾，向所述 第一试剂注入口供应溶解于碱性条件的缓冲溶液的鲁米诺，向所述第二试剂注入口供应溶 解于碱性条件的缓冲溶液的过氧化氢。13. 根据权利要求12所述的测铬装置，其中， 所述供应部将溴离子与所述第一试剂及所述第二试剂一起供应至所述微流控芯片。14. 根据权利要求12所述的测铬装置，其中， 所述供应部将乙二胺四乙酸与所述第一试剂及所述第二试剂一起供应至所述微流控 芯片。15. 根据权利要求9所述的测铬装置，其中， 所述检测通道重叠配置且一侧端部和另一侧端部交互连接，所述检测通道从中央越向 两边侧端越减小。
【专利摘要】根据本发明的一个方面的微流控芯片，包括：第一基板，形成有用于混合试样和试剂的还原通道、用于混合试剂的试剂混合通道、及一侧端部与所述还原通道和所述试剂混合通道并联连接而另一侧端部与排出口连接的检测通道；以及第二基板，具有面向所述检测通道且使光线透过的检测部，所述第二基板与所述第一基板结合。
【IPC分类】G01N21/76, G01N33/18, G01N31/22, G01N21/77
【公开号】CN105102976
【申请号】CN201380075382
【发明人】韩宗勋, 安宰勋, 缮井硲
【申请人】浦项工科大学校产学协力团
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2013年11月12日
【公告号】WO2014163271A1