温度校准方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体工艺加工技术领域，特别是涉及一种温度校准方法及系统。
【背景技术】
[0002] CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相淀积）方法是一种利用不同气体在高 温下的相互反应来制备外延薄膜层的方法。对于CVD设备来说反应温度都比较高，一般反 应温度都在l〇〇〇°C以上，因此CVD设备中采用感应加热比较多，在感应加热中，一般采用红 外测温仪进行温度测温。
[0003] 传统的温度校准方法需通过特殊的软件修改红外测温仪的发射率进行温度校准， 由于红外测温仪的发射率只能设定一个值，因此只能对一个温度点进行温度校准。
【发明内容】
[0004] 针对传统技术只能对一个温度点进行温度校准的问题，本发明提供了一种可以对 多个不同预设温度进行温度校准的温度校准方法及系统。
[0005] 为达到技术目的，本发明提供一种温度校准方法，包括以下步骤：
[0006] 温控器控制机台加热；
[0007] 读取机台的温度，记作机台的真实温度；
[0008] 读取温控器的输出温度，记作机台的被校准温度；
[0009] 所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；
[0010] 将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立所述真实温度和所述 被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏移量为相对应的所述 真实温度与所述被校准温度的差值；
[0011] 读取温控器的预设温度；
[0012] 根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量；
[0013] 所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制机台加热。
[0014] 作为一种可实施方式，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的 实际温度偏移量，包括如下步骤：
[0015] 若所述预设温度为所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度，所 述预设温度对应的实际温度偏移量为所述真实温度与所述被校准温度的差值。
[0016] 作为一种可实施方式，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的 实际温度偏移量，包括如下步骤：
[0017] 若所述预设温度不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度，则从 预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个所述被校准温度，比所述预设温度大 的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温度，比所述 预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作第二真实温 度；
[0018] 根据公式计算所述预设温度对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：
[0019] (预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度）八第一真实温度-第二真实温度） =(预设温度-第二被校准温度V (第一被校准温度-第二被校准温度）。
[0020] 作为一种可实施方式，所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制 所述机台加热，包括如下步骤：
[0021] 所述温控器根据所述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。
[0022] 相应的，本发明还提供一种温度校准系统，包括加热模块，第一读取模块，第二读 取模块，建立模块，第三读取模块，计算模块和控制模块，其中：
[0023] 所述加热模块，用于温控器控制机台加热；
[0024] 所述第一读取模块，用于读取机台的温度，记作机台的真实温度；
[0025] 所述第二读取模块，用于读取温控器的输出温度，记作机台的被校准温度；
[0026] 所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；
[0027] 所述建立模块，用于将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立 所述真实温度和所述被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏 移量为相对应的所述真实温度与所述被校准温度的差值；
[0028] 所述第三读取模块，用于读取温控器的预设温度；
[0029] 所述计算模块，用于根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温 度偏移量；
[0030] 所述控制模块，用于控制所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控 制机台加热。
[0031] 作为一种可实施方式，所述计算模块包括第一计算单元，用于当所述预设温度为 所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度时，计算所述真实温度与所述被 校准温度的差值，记作所述预设温度对应的所述实际温度偏移量。
[0032] 作为一种可实施方式，所述计算模块还包括第二计算单元，用于当所述预设温度 不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度时，根据公式计算所述预设温度 对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：
[0033](预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度）八第一真实温度-第二真实温度） =(预设温度-第二被校准温度）八第一被校准温度-第二被校准温度）；
[0034] 从所述预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个被校准温度，比所述 预设温度大的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温 度，比所述预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作 第二真实温度。
[0035] 作为一种可实施方式，所述控制模块包括控制加热单元，用于所述温控器根据所 述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。
[0036] 作为一种可实施方式，所述第二读取模块为双色红外测温仪。
[0037] 作为一种可实施方式，所述机台为多个，多个机台采用一个双色红外测试仪，所述 双色红外测试仪为可拆卸的。
[0038] 本发明的有益效果包括：
[0039] 本发明的温度校准方法及系统，首先建立真实温度和被校准温度的预设对应关系 数集，然后根据预设对应关系数集计算出预设温度对应的实际温度偏移量，温控器根据实 际温度偏移量和预设温度对机台加热，保证工艺温度的准确，根据预设对应关系数集，温控 器控制机台加热到不同的预设温度时，都可保证工艺温度的准确，实现多个不同预设温度 的温度校准。在温度校准过程中，不采用修改物体发射率进行温度校准的方式，而是通过计 算真实温度和被校准温度的差值，得到实际温度偏移量的方式进行，可实现实时温度校准。
【附图说明】
[0040] 图1为本发明的温度校准方法的一实施例的应用时的结构示意图；
[0041] 图2为本发明的温度校准方法的一实施例的流程图；
[0042] 图3为本发明的温度校准方法的建立真实温度和被校准温度的预设对应关系的 一实施例的流程图；
[0043] 图4为本发明的温度校准方法的一实施例的温度校准曲线示意图；
[0044] 图5为本发明的温度校准系统的一实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0045] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对 本发明温度校准方法及系统进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅 用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0046] CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相淀积）方法是一种利用不同气体在高 温下