自复式漏电保护器漏电检测电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种漏电检测电路，更具体地说，涉及一种自复式漏电保护器漏电检测电路。
【背景技术】
[0002]通过精确、可靠的测量漏电电流来提高漏电保护精度是自复式漏电保护器的基本要求。所以要想提高自复式漏电保护器的可靠性和保护精度，不但需要选用高质量的电子元器件，而且更需要采用创新的设计方法来简化电子线路的设计、减少电子元器件的使用数量，降低电子元器件的失效率。现有的漏电电流检测电路(见图1)，普遍采用和微处理器配合使用的设计方法，虽然能够实现精确测量，但是由于电子线路设计复杂、电子元器件使用数量多，存在可靠性低和生产成本高的问题。
[0003]因此，现有技术亟待有很大的进步。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述的缺陷，提供一种自复式漏电保护器漏电检测电路，包括:整流放大单元和比较器单元；
[0005]其中所述整流放大单元包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，电容Cl、电容C2，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器UlB ；
[0006]所述比较器单元包括电阻R8、电阻R9、电阻R10，运算放大器U1C。
[0007]实施本发明的自复式漏电保护器漏电检测电路，具有以下有益效果:漏电检测电路不采用和微控制器配合使用的方式，整个电路设计简单，电子元器件使用数量少，可靠性高，抗电磁兼容特性高，同时成本底非常适合自复式漏电保护器批量生产。
【附图说明】
[0008]下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中:
[0009]图1是现有技术中自复式漏电保护器漏电检测电路电路原理图。
[0010]图2是本发明自复式漏电保护器漏电检测电路的第一实施例的电路示意图。
【具体实施方式】
[0011]请参阅图1，为现有技术中自复式漏电保护器漏电检测电路电路原理图。如图1所示，普遍采用和微处理器配合使用的设计方法，虽然能够实现精确测量，但是由于电子线路设计复杂、电子元器件使用数量多，存在可靠性低和生产成本高的问题。
[0012]请结合参阅图2，为图2是本发明自复式漏电保护器漏电检测电路的第一实施例的电路示意图。如图2所示，在本发明提供的第一实施例中，至少包括:整流放大单元和比较器单元；其中所述整流放大单元包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，电容Cl、电容C2，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器UlB ；所述比较器单元包括电阻R8、电阻R9、电阻R10，运算放大器U1C。
[0013]本发明通过以上第一实施例的设计，可以做到漏电检测电路不采用和微控制器配合使用的方式，整个电路设计简单，电子元器件使用数量少，可靠性高，抗电磁兼容特性高，同时成本底非常适合自复式漏电保护器批量生产。
[0014]本发明是根据特定实施例进行描述的，但本领域的技术人员应明白在不脱离本发明范围时，可进行各种变化和等同替换。此外，为适应本发明技术的特定场合，可对本发明进行诸多修改而不脱离其保护范围。因此，本发明并不限于在此公开的特定实施例，而包括所有落入到权利要求保护范围的实施例。
【主权项】
1.一种自复式漏电保护器漏电检测电路，其特征在于，包括:整流放大单元和比较器单元; 其中所述整流放大单元包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，电容Cl、电容C2，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器UlB ； 所述比较器单元包括电阻R8、电阻R9、电阻R10，运算放大器U1C。
【专利摘要】本发明涉及一种自复式漏电保护器漏电检测电路，包括：整流放大单元和比较器单元；其中所述整流放大单元包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4，电容C1、电容C2，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和运算放大器U1B；所述比较器单元包括电阻R8、电阻R9、电阻R10，运算放大器U1C。漏电检测电路不采用和微控制器配合使用的方式，整个电路设计简单，电子元器件使用数量少，可靠性高，抗电磁兼容特性高，同时成本低非常适合自复式漏电保护器批量生产。
【IPC分类】G01R31/02
【公开号】CN105182152
【申请号】CN201510514946
【发明人】余存泰, 方晓东, 章火明, 肖义峰, 彭昆明
【申请人】浙江凯发电气股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年8月20日