光学薄膜检测装置及缺陷检测方法
【技术领域】
[0001] 本公开总地涉及光学薄膜检测装置及缺陷检测方法，具体而言，针对薄膜上的透 明有机材料缺陷进行检测的装置及此种缺陷的检测方法。
【背景技术】
[0002] 目前，通常利用Α0Ι检测薄膜上的缺陷。如图1所示，利用现有光学薄膜检测装置 检测0LED的待检测薄膜4上的第一缺陷D1和第二缺陷D2。该光学薄膜检测装置包括感 测器1、正光源2及侧光源3。正光源1设于待检测薄膜4的上方，并照射待检测薄膜4,待 检测薄膜4上的凸起的第一缺陷D1能够反射来自正光源1的光。侧光源3设于待检测薄 膜4的侧面，第一缺陷D1能够反射来自正光源1和侧光源3的光，并在感测器1中形成该 第一缺陷的图像。感测器1可移动的设置在待检测薄膜4上方，在感测器1移动时，扫描并 获取该第一缺陷形成的第一图像，并能够将第一图像的参数与预设参数比较，并根据比较 结果做出缺陷判断。
[0003] 然而，对于有机发光二级管（0LED)来说，其薄膜上的缺陷可能为透明的，其不反 光甚至不折射光线，因此，上述现有的光学薄膜检测装置的光源无法使透明的第二缺陷D2 在感测器1中成像（如图2所示），也就是说，现有的光学薄膜检测装置仅能检测出可反光 的、非透明的缺陷（例如D1)，但无法检测出透明的缺陷（例如D2)，存在漏检问题。在随后 的蒸镀过程中，这些未被检测出的缺陷会在基板上形成失误点或失误线，从而影响基板的 合格率。
[0004] 在所述【背景技术】部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它 可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0005] 公开了一种光学薄膜检测装置及缺陷检测方法，以全面检测出薄膜上的透明和非 透明的缺陷，提高检测成功率及产品合格率。
[0006] 本公开的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中 变得显然，或者可以通过本公开的实践而习得。
[0007] 根据本公开的一个方面，一种光学薄膜检测装置，包括：正光源，设于待检测薄膜 的上方；UV光源；及感测器，设置在该待检测薄膜上方，该感测器能够获取来自该待检测薄 膜由正光源的照射后的反射而产生的第一图像以及由UV光源的照射后而形成的第二图 像，并将该第一、第二图像的参数与预设参数比较，根据比较结果做出缺陷判断。
[0008] 根据本公开的另一方面，一种缺陷检测方法，用于检测一待检测薄膜上的缺陷，该 方法包括以下步骤：以正光源和UV光源照射该待检测薄膜；利用感测器获取该待检测薄膜 被正光源和UV光源照射后产生的图像；将该图像的参数与预设参数比较；及根据比较结果 做出缺陷判断。
[0009] 本公开的光学薄膜检测装置通过另外增设的UV光源激发有机的透明缺陷发光， 从而能够检测出薄膜上的透明缺陷，从而能够全面检测出薄膜上的透明和非透明的缺陷， 提高检测成功率及产品合格率。并且，本公开的光学薄膜检测装置结构简单，制造成本低。
【附图说明】
[0010] 通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得 更加明显。
[0011] 图1示出利用现有光学薄膜检测装置检测非透明缺陷的示意图。
[0012] 图2示出利用现有光学薄膜检测装置检测透明缺陷，发生漏检的示意图。
[0013] 图3示出利用本公开的光学薄膜检测装置检测透明缺陷的示意图。
【具体实施方式】
[0014] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形 式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将 全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清 晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它 们的详细描述。
[0015] 所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式 中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而， 本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更 多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、 材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
[0016] 如图3所示，本公开的光学薄膜检测装置包括：正光源2、UV光源5及感测器1。正 光源2设于待检测薄膜4的上方。感测器1设置在该待检测薄膜4上方，该感测器1能够 获取来自该待检测薄膜由正光源2的照射后的反射而产生的第一图像以及由UV光源5的 照射后而形成的第二图像，并将该第一、第二图像的参数与预设参数比较，根据比较结果做 出缺陷判断。
[0017] 光学薄膜检测装置还可包括侧光源3,设于该待检测薄膜4的侧面，并经反射后和 该正光源2形成该第一图像。
[0018] 其中，该第一图像为该待检测薄膜4上第一缺陷D1反射后的图像。该第一缺陷D1 可为从该待检测薄膜4的表面凸起的非透明颗粒。该第二图像为该待检测薄膜4上第二缺 陷D2产生的图像。上述对于第一缺陷D1的检测结构及原理与【背景技术】中所描述的内容类 似，故不赘述。以下将对第二缺陷D2的检测结构及检测方法进行说明。
[0019] 该第二缺陷D2可为从该待检测薄膜4的表面凸起的有机的透明颗粒，能够被该 UV光源5激发而发光。UV光源5位于待检测薄膜4上，用于向待检测薄膜4发出UV光，由 于有机的第二缺陷D2能够被UV光源激发而发光，因此，感测器1能够扫描并获取第二缺陷 D2发光形成的第二图像，并能够将该第二图像的参数与预设参数比较，并根据比较结果做 出缺陷判断。
[0020] 其中，感测器1可与待检测薄膜4平行设置。或者，感测器1可在待检测薄膜4上 与待检测薄膜4保持平行的移动扫描。UV光源5可固定于感测器1，随感测器1移动，UV光 源20的波长可为200nm至400nm。UV光源5固定于感测器1，与感测器1保持同步运动，使 得UV光源5始终处于距离感测器1的感测区域较近的位置，感测区域内的第二缺陷D2易于 受激而发光，由于有机材料距离UV光源越近，则发光强度越大，因此，此情况下，无需使UV 光源5具有较高的发光强度，从而降低能量消耗，且能确保第二缺陷D2被检测。也可将UV 光源5设置在距离待检测薄膜4较近的高度，同样可降低UV光源的能量消耗。本实施方式 中，正光源2、UV光