晶圆测试方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种晶圆测试方法。
【背景技术】
[0002]如图1所示，是现有晶圆测试方法的探针台的探针卡的走向示意图，在晶圆测试中，需要采用探针台进行测试，探针台的探针卡上设置有多个探针，通过探针卡的多个探针和晶圆101上的芯片接触实现多个芯片的同测，和探针卡相对应，晶圆上包括了多个测试单位102，每个测试单位由多个相邻的用于同测的芯片组成。现有方法采取如标记103所示的“之”字形走向的策略，现有这种探针卡的“之”字形走向方法所带来的一个问题是探针容易造成污染，被污染的探针则容易和芯片之间形成不良接触，容易直接导致测试良率(yield)降低。为了提高接触特性，不得不增加探针卡的清洁次数，对探针卡的探针进行清洁的同时也是对探针本身进行损耗，最后会导致针卡寿命的快速消耗。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆测试方法，能提高测试良率，延长探针卡的寿命。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆测试方法包括如下步骤:
[0005]步骤一、进彳丁晶圆外圈和晶圆内圈的划分，所述晶圆内圈为晶圆曝光有效区域，所述晶圆外圈位于所述晶圆内圈外部，位于所述晶圆外圈和所述晶圆内圈之间的呈环带状区域为晶圆曝光无效区域。
[0006]步骤一■、根据晶圆上的测试单位和所述晶圆外圈和所述晶圆内圈的位置关系确定测试单位所处的测试区域块，将和所述晶圆曝光无效区域相交的所述测试单位围绕形成的测试区域块定义为外圈测试区域块，将由所述外圈测试区域块内部的所述测试单位组成的测试区域块定义为内圈测试区域块。
[0007]步骤三、对所述晶圆进行测试前先对探针台的探针卡上的探针进行清洁。
[0008]步骤四、探针清洁后使用所述探针台先对所述内圈测试区域块的所述测试单位进行测试，测试分多次进行，每一次测试都对一个所述测试单位进行全覆盖测试，一个所述测试单位测试完成后移动所述探针卡对下一个所述测试单位进行测试，直至所述内圈测试区域块内的所有所述测试单位都测试完毕。
[0009]步骤五、所述内圈测试区域块内的所有所述测试单位都测试完毕后移动所述探针卡对所述外圈测试区域块的所述测试单位进行测试，测试分多次进行，每一次测试都对一个所述测试单位进行全覆盖测试，一个所述测试单位测试完成后移动所述探针卡对下一个所述测试单位进行测试，直至所述外圈测试区域块内的所有所述测试单位都测试完毕。
[0010]进一个的改进是，步骤三中使用清针片对所述探针进行清洁。
[0011]进一个的改进是，步骤三的清洁工艺将所述探针上的铝肩或钨塞污染清除掉。
[0012]进一个的改进是，所述探针上的铝肩或钨塞污染来源于对上一片晶圆进行测试时的步骤五中产生的。
[0013]进一个的改进是，步骤五中和所述测试单位的位于所述晶圆曝光无效区域接触的探针产生铝肩或钨塞污染。
[0014]进一个的改进是，步骤四中对测试过程中的所述探针卡的移动方向设定为:选择一个靠近所述外圈测试区域块的所述测试单位为测试起点，之后以螺旋型向内移动直至所述内圈测试区域块内的所有所述测试单位都测试完毕。
[0015]进一个的改进是，步骤四中对测试过程中的所述探针卡的移动方向设定为:选择一个最内侧所述测试单位为测试起点，之后以螺旋型向外移动直至所述内圈测试区域块内的所有所述测试单位都测试完毕。
[0016]进一个的改进是，步骤五中对测试过程中的所述探针卡的移动方向设定为:选择一个所述测试单位为测试起点，之后按照所述外圈测试区域块圆圈的顺时针方向或者逆时针方向进行移动直至所述外圈测试区域块内的所有所述测试单位都测试完毕。
[0017]进一个的改进是，所述测试单位由多个相邻的用于同测的芯片组成。
[0018]进一个的改进是，所述全覆盖测试是指利用所述探针卡上的探针对所述测试单位中的所有芯片都进行测试连接实现所述测试单位中的所有芯片的同测。
[0019]进一个的改进是，所述晶圆曝光无效区域的环带状宽度为3毫米?5毫米。
[0020]进一个的改进是，所述晶圆曝光无效区域的接触垫的通孔呈暴露出来的状态。
[0021]本发明通过根据晶圆曝光有效区域对晶圆进行内外圈的划分，以及根据测试单位和晶圆内外圈的位置关系进行内外圈测试区域块的划分，在对探针卡进行一次清洁之后先对内圈测试区域块的测试单位进行测试，再对外圈测试区域块的测试单位进行测试，由于内圈测试区域块的测试单位都不会和晶圆曝光无效区域相交，能够避免晶圆曝光无效区域内暴露的通孔对探针的污染，提高内圈测试区域块的测试良率；由于对内圈测试区域块的测试过程中探针不会被污染，所以在整个内圈测试区域块的测试过程中都不需要对探针进行清洗；而在之后对外圈测试区域块的测试过程中，外圈测试区域块呈一环形结构，对沿外圈测试区域块的圆心对称的两个位置的测试时晶圆曝光无效区域内的芯片所对应使用的探针在探针卡上的位置大致相反，所以能够降低外圈测试区域块的测试过程对探针的污染，从而能提高测试的稳定性和测试良率。另外，在整个测试过程中进行在对内外圈测试区域块进行一次探针的清洁即可，所以本发明能够减少探针的清洁次数，提高探针卡的寿命。
【附图说明】
[0022]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0023]图1是现有晶圆测试方法的探针台的探针卡的走向示意图；
[0024]图2是本发明第一实施例方法流程图；
[0025]图3是本发明第一实施例方法的步骤一中进行晶圆内外圈的划分以及步骤二中确定内外圈测试区域块的示意图；
[0026]图4是本发明第一实施例方法的探针台的探针卡的走向示意图；
[0027]图5是本发明第二实施例方法的探针台的探针卡的走向示意图。
【具体实施方式】
[0028]如图2所示，是本发明第一实施例方法流程图；本发明第一实施例晶圆测试方法包括如下步骤:
[0029]步骤一、如图3所示，进行晶圆外圈203和晶圆内圈204的划分，所述晶圆内圈204为晶圆曝光有效区域，所述晶圆外圈203位于所述晶圆内圈204外部，位于所述晶圆外圈203和所述晶圆内圈204之间的呈环带状区域为晶圆曝光无效区域。
[0030]本发明实施例中，所述晶圆曝光无效区域的环带状宽度为3毫米?5毫米。所述晶圆曝光无效区域的接触垫(pad)的通孔呈暴露出来的状态。
[0031]步骤二、如图3所示，根据晶圆201上的测试单位202和所述晶圆外圈203和所述晶圆内圈204的位置关系确定测试单位202所处的测试区域块，将和所述晶圆曝光无效区域相交的所述测试单位202围绕形成的测试区域块定义为外圈测试区域块，将由所述外圈测试区域块内部的所述测试单位202组成的测试区域块定义为内圈测试区域块。
[0032]所述测试单位202由多个相邻的用于同测的芯片组成，图3中显示了所述测试单位202中包括了 24个同测的芯片。
[0033]步骤三、对所述晶圆201进行测试前先对探针台的探针卡上的探针进行清洁。
[0034]较佳选择为，使用清针片对所述探针进行清洁。清洁工艺将所述探针上的铝肩或钨塞污染清除掉。所述探针上