光传感器用半导体集成电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光传感器用半导体集成电路。
【背景技术】
[0002] 近年，在便携电话或智能手机等移动设备中，为了进行与环境光对应的显示画面 的亮度调整W及视觉辨认性提高、或者通话时的省电，搭载了安装在1个小型封装中的照 度传感器W及接近传感器。送些传感器通常用大体上遮断可见光的黑色系的遮盖玻璃等遮 盖部件覆盖。
[0003] 关于照度传感器用PD (Photodiode ;光电二极管）的分光特性，希望在人眼可W 识别亮度的区域（波长400nm~波长700nm左右）具有最大灵敏度，在红外光区域（波长 800nm~波长lOOOnm左右）具有低的相对灵敏度。被遮盖玻璃覆盖的该PD的分光特性，在 红外光区域中的相对灵敏度升高。因此，已知通过利用在红外光区域中具有最大灵敏度的 PD(能见度修正用PD)等，降低红外光区域中的相对灵敏度（能见度修正），来维持照度传 感器的检测精度的技术。
[0004] 如图10所示，照度传感器用PD的分光特性，在用黑色系的玻璃等遮盖部件覆盖的 情况下，与不用黑色系的遮盖玻璃等遮盖部件覆盖的情况相比，红外光区域中的相对灵敏 度升高。
[0005] 公开了一种日照传感器装置，与对受光面入射的日照光的方向对应地，对遮光板 W及光感应部的配置或形状等进行研究，控制光感应部的受光面积和被遮光板覆盖的光感 应部的遮光面积，由此高效率地检测该日照光（例如，参照专利文献1)。
[0006] 另外，公开了在同一基板上隔着绝缘层分离配置带隙能量不同的多个受光元件， 通过各受光元件接受具有大量的波长成分的光，由此进行高效率的光电变换的光电变换模 块（例如，参照专利文献2)。
[0007] 在同一基板上形成具有不同分光特性的多个PD的情况下，即使对受光面入射的 光的方向变化，也难W在各PD间使受光光量均匀。
[0008]例如，将照度传感器用PD和接近传感器用PD相邻配置（参照图11 (A))，对使入 射光的方向进行了变化时的照射到各PD的光的面积的变化进行比较（参照图11度)）。在 直进光（圆101)的情况下当从照射到各PD的光的面积为基准时，在斜光（圆102)的情况 下，照射到照度传感器用PD的光的面积增加，照射到接近传感器用PD的光的面积减小。另 一方面，在斜光（圆103)的情况下，照射到照度传感器用PD的光的面积减小，照射到接近 传感器用PD的光的面积增加。
[0009] 特别是存在在照度传感器用PD和能见度修正用PD之间，当受光光量的波动增大 时，根据该受光光量进行的能见度修正的精度降低的问题。
[0010] 专利文献1;日本特开平07-311084号公报
[0011] 专利文献2;日本特开平05-206500号公报
【发明内容】
[0012] 本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种进行高精度的能见度修正 的光传感器用半导体集成电路。
[0013] 本实施方式的光传感器用半导体集成电路（1)经由使可见光衰减，使红外光透过 的遮盖部件（3)和聚光透镜（2)接受环境光，根据受光光量进行能见度修正，检测环境光 的照度，该光传感器用半导体集成电路具有：第一受光元件（21)，其具有第一分光特性；第 二受光元件（22);能见度修正单元（30)，其对第一受光元件（21)的输出和第二受光元件 (22)的输出进行减法运算，第一受光元件（21)和第二受光元件（22)的平面形状为近似中 空多边形，第一受光元件（21)和第二受光元件（22)互相隔离并且同必配置。
[0014] 此外，上述括号内的参照符号是为了容易理解而添加的，只不过是一个例子，并非 限定为图示的形态。
[0015] 根据本发明的实施方式，可W提供进行高精度的能见度修正的光传感器用半导体 集成电路。
【附图说明】
[0016] 图1是示意性地表示光入射到实施方式的光传感器用半导体集成电路的情形的 一例的图，其中实线表示光11，虚线表示光12。
[0017] 图2是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0018] 图3是表示实施方式的受光元件中的电压和暗电流的关系的一例的曲线图。
[0019] 图4是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0020] 图5是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0021] 图6是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0022] 图7是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0023] 图8是表示实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0024] 图9是表示实施方式的受光元件中的波长和相对灵敏度的关系的一例的曲线图。 [00巧]图10是表示分光特性的一例的图。
[0026] 图11是表示现有的光传感器用半导体集成电路的结构的一例的图。
[0027] 符号说明
[0028] 1 光传感器用半导体集成电路
[002引 2 聚光透镜
[0030] 3 遮盖部件
[003U 10环境光
[0032] 21第一受光元件（照度传感器用）
[003引 2化阳极电极（P)
[0034] 21c阴极电极㈱
[0035] 22第二受光元件（修正用）
[003引 2化阳极电极（P)
[0037] 22c阴极电极㈱
[0038] 23第Η受光元件（接近传感器用）
[00測23b阳极电极（P)
[0040] 23c阴极电极㈱
[0041] 30能见度修正单元
[004引313AD变换器
[004引316乘法器
[0044] 318加法器
[0045] 500红外光截止滤光片（第一滤光片）
[0046] 501可见光截止滤光片（第二滤光片）
【具体实施方式】
[0047]W下，参照【附图说明】发明的实施方式。在各图中，有时对相同结构部分赋予相同符 号，并省略重复的说明。
[0048] 在本说明书中，所谓"相对灵敏度"，是指将照度传感器用受光元件的某波长下的 灵敏度（最大灵敏度）设为100%而标准化的分光特性中的在各个波长（波长400nm~波 长1150nm)下的灵敏度。另外，在本说明书中，所谓平面形状，是指从受光部20的表面20s 的法线方向看对象物看到的形状。
[0049][光传感器用半导体集成电路的结构]
[0050] 首先，使用图1简单说明本实施方式的光传感器用半导体集成电路的结构的一例 和该光传感器用半导体集成电路接受环境光后直到检测出照度的流程。
[0051] 光传感器用半导体集成电路1包含受光部20和能见度修正单元30。
[0052] 光10 (环境光）经由遮盖部件3和聚光透镜2入射到受光部20。受光部20包含 在同一基板上形成的多个受光元件。各受光元件包含光电变换部、电极等，根据受光光量流 过电流。作为各受光元件，可W使用