电源负载测试装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电源负载测试装置，尤其涉及一种用于电脑VRM的电源负载测试
目.ο
【背景技术】
[0002]电脑的电压调节模块(Voltage Regulator Module，VRM)在实际使用中，其所带的负载一般是动态负载，即，VRM的负载是随时变化的，相应地，VRM的输出电流也随负载的变化而呈动态变化。例如，电脑在进入某些游戏程序时，VRM所带的负载会明显增大，相应地VRM的输出电流也明显增大。
[0003]在对VRM进行动态测试时，一般在VRM的输出端连接一个电子负载，所述电子负载通过模拟实际使用情况改变VRM的输出电流实现对VRM的动态负载测试。VRM进行动态测试时，其在电子负载的作用下，输出电流的波形一般可简化为图1所示的方波波形，VRM的输出电流从O上升到11的上升时间为11，其中，输出电流的斜率，即电子负载的拉载斜率为:11与上升时间11的比值。根据负载的不同，VRM的拉载斜率也不同，有时，VRM需要较大的拉载斜率来驱动负载。
[0004]目前的电子负载的拉载斜率一般在IAAis左右，并且是固定的，无法满足某些VRM对较大拉载斜率的需求。
【发明内容】
[0005]针对上述问题，有必要提供一种可提供较大拉载斜率的电源负载测试装置。
[0006]—种电源负载测试装置，用于对一被测电源进行动态负载测试，包括依次电性连接的主控制器、函数发生器、拉载电路以、电流检测电路、电性连接至所述主控制器的用于输入预设斜率值的键盘电路及显示所述输入的预设斜率值的显示器，所述函数发生器用于输出一方波信号;所述拉载电路用于根据所述方波信号动态地改变所述被测电源的输出电流;所述电流检测电路还电性连接至所述主控制器，所述电流检测电路用于配合所述主控制器检测所述输出电流的斜率，所述主控制器用于将检测到的所述输出电流的斜率与一预设斜率值进行比较，并根据比较结果相应控制所述函数发生器调整所述方波信号，直到所述输出电流的斜率与所述预设斜率值相等。
[0007]本发明电源负载测试装置通过主控制器控制函数发生器对方波信号的波形进行调节，从而可通过拉载电路相应调节该电源负载测试装置的拉载斜率，从而可根据需要获得较大的拉载斜率。此外，根据键盘电路输入的不同的预设斜率值，所述电源负载测试装置还可相应得到不同的拉载斜率，因此，具有较好的通用性。
【附图说明】
[0008]图1为现有VRM在进行动态测试时的输出电流波形图。
[0009]图2为本发明较佳实施方式的电源负载测试装置的功能模块图。
[0010]图3为图2所示电源负载测试装置的电路图。
[0011]主要元件符号说明
[0012]电源负载测试装置100
[0013]VRM200
[0014]主控制器10
[0015]函数发生器20
[0016]拉载电路30
[0017]电流检测电路40
[0018]使能电路50
[0019]键盘电路60
[0020]显示器70
[0021]输出电流1
[0022]电流检测引脚Pl
[0023]控制引脚P2
[0024]电压跟随器Ul
[0025]运算放大器U2
[0026]第一MOSFETQl
[0027]NPN型三极管Q2
[0028]PNP型三极管Q3
[0029]第二MOSFETQ4
[0030]负载电阻RO
[0031]滤波电阻Rl
[0032]限流电阻R2_R8、R10
[0033]反馈电阻R9
[0034]滤波电容Cl
[0035]同相输入端1、5
[0036]反相输入端2、6
[0037]输出端3、7
[0038]控制端4、8
[0039]栅极gl、g2
[0040]源极sl、s2
[0041]漏极dl、d2
[0042]基极bl、b2
[0043]集电极cl、c2
[0044]发射极el、e2
[0045]如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0046]请参阅图2，本发明较佳实施方式的电源负载测试装置100用于对一被测电源进行动态负载测试。在本实施方式中，以所述被测电源为一VRM200为例对本发明进行说明。
[0047]电源负载测试装置100包括主控制器10、函数发生器20、拉载电路30、电流检测电路40、使能电路50、键盘电路60以及显示器70。函数发生器20用于产生一方波信号；拉载电路30用于根据所述方波信号动态地改变VRM200的输出电流；电流检测电路40用于配合主控制器1检测VRM200的输出电流I ο，即负载电流，从而得到输出电流I ο的斜率;所述主控制器10用于将输出电流1的斜率与一预设斜率值进行比较，并根据比较结果相应控制函数发生器20调整所述方波信号的波形，直到输出电流1的斜率与所述预设斜率值相等。
[0048]请一并参阅图3，主控制器10包括电性连接至电流检测电路40的电流检测引脚PI以及电性连接使能电路50的控制弓I脚P2。
[0049]拉载电路30包括电压跟随器Ul、第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)Ql、负载电阻RO、滤波电阻Rl、限流电阻R2-R5以及滤波电容Cl。电压跟随器Ul包括同相输入端1、反相输入端2、输出端3以及控制端4。电压跟随器Ul的同相输入端I通过限流电阻R2电性连接至函数发生器20，用于接收所述方波信号；反相输入端2依次通过滤波电阻Rl及滤波电容Cl电性连接至输出端3;输出端3通过限流电阻R3电性连接至第一MOSFET Ql的栅极gl;控制端4电性连接至使能电路50。第一MOSFET Ql的源极Si通过负载电阻RO接地，源极Si还电性连接至电压跟随器Ul的反相输入端2;第一MOSFET Ql的漏极dl电性连接至VRM200的输出端。在本实施方式中，源极Si通过限流电阻R5电性连接电压跟随器Ul的反相输入端2。限流电阻R5用于防止电压跟随器Ul的反相输入端2上的电流对VRM的输出电流1的测试造成影响。
[0050]电压跟随器Ul的输出端3上的电压与其同相输入端I上的电压同相，且电压跟随器Ul的放大倍数近似为I，因此，电压跟随器Ul的输出端3输出的信号即为所述方波信号，所述方波信号驱动第一MOSFET Ql依次导通与截止，从而VRM200在负载电阻RO上产生一动态的电流，即VRM200的输出电流I ο。
[0051]根据运算放大器的虚断特性，电压跟随器Ul的反相输入端2的电流近似为零，因此，限流电阻R5上的压降很小，第一MOSFET Ql的源极Si上的电位近似等于电压跟随器Ul的反相输入端2的电位。根据运算放大器的虚短特性，电压跟随器Ul的同相输入端I的电位与反相输入端2的电位相等，因此，第一MOSFET Ql的源极Si上的电位的幅值等于所述方波信号的幅值。而负载电阻RO上的电流，即输出电流1的值等于源极Si上的电位与负载电阻RO的阻值之商，如此，通过改变所述方波信号的幅值，即可改变输出电流1的大小，从而，在相同的上升时间的情况下，输出电流1越大，则其斜率越大。此外，由于所述方波信号的幅值改变时，输出电流1的幅值也随之改变，因此，输出电流1具有与所述方波信号相同的上升时间、下降时间、频率以及占空比，通过改变所述方波信号的上升时间以及下降时间，也可相应改变输出电流1的上升时间及下降时间，在输出电流1幅值不变的情况下，上升时间及下降时间越大，则其斜率越小。
[0052]在本实施方式中，拉载电路30还包括NPN型三极管Q2以及PNP型三极管Q3 JPN型三极管Q2以及PNP型三极管Q3用于增强所述方波信号对第一MOSFET Q I的驱动能力，避免所述方波信号失真无法正常驱动第一MOSFET Q1。具体地，电压跟随器Ul的输出端3通过限流电阻R5电性连接至NPN型三极管Q2及PNP型三极管Q3的基极bUbSJPN型三极管Q2的集电极Cl电性连接至+5V电源;发射极el电性连接至PNP型三极管Q3的发射极e2，且发射极el、e2之间的节点通过限流电阻R3电性连接至第一MOSFET Q I的栅极gI。PNP型三极管Q3的集电极c2电性连接至-5V电源。此外，当第一MOSFET Ql截止时，PNP型三极管Q3还用于使第一MOSFET Ql内的充电电容(图未示)迅速接地放电，从而使第一MOSFET Ql快速截止，从而提高第一MOSFET Ql的响应速度。
[0053]电流检测电路40包括运算放大器U2、限流电阻R6-R8以及反馈电阻R9。运