半导体装置测量方法
【专利摘要】本发明公开了一种半导体装置测量方法，在高温测量环境中可以有效测量多个半导体装置的电气特性。使用薄片预热设备(3)对粘附在环形框架(12)上的薄片(11)进行加热然后冷却。然后，测量设备(6)在高温测量环境中测量粘附在薄片(11)上的多个半导体装置(14)的电气特性。因为预先对薄片(11)进行了加热和冷却，因此薄片(11)膨胀而不会出现松弛。因此，即使在此后将薄片(11)放置在高温测量环境中时，也能避免薄片(11)因加热而膨胀。因此，粘附在薄片(11)上的多个半导体装置(14)的位置和角度保持不变。
【专利说明】
半导体装置测量方法
技术领域
[0001]本发明涉及一种半导体装置测量方法，更具体地，涉及一种测量粘附在薄片上的半导体装置的电气特性的半导体装置测量方法。
【背景技术】
[0002]通过采用尺寸大于半导体晶片的环形框架来测量半导体装置。具有大于环形框架的内圆周边缘的圆形的胶粘片被固定到环形框架，并且半导体晶片粘附在胶粘片上。粘附在胶粘片上的半导体晶片被切割设备分为多个半导体装置。半导体测试设备的接触元件电连接到多个分开的半导体装置的电极，并且立即测量多个半导体装置的电气特性。日本专利特开2007-178132中公开了该半导体装置测量方法。
[0003]根据半导体装置的使用环境，理想地是在高于室温的温度下的高温测量环境中(例如，125°C)测量半导体装置的电气特性。在这种情况下，必须通过将粘附有多个半导体装置的薄片放在热板的放置面上并加热薄片来生成用于多个半导体装置的高温测量环境。然而，如果执行上述过程，则薄片由于热量而膨胀和松弛，并且多个半导体装置粘贴在薄片上的位置和贴附角度也会发生变化。因此，半导体测试设备的接触元件无法再与半导体装置的电极接触，故此也不可能再同时测量该多个半导体装置的电气特性。这将导致无法有效地在高温测量环境中测量多个半导体装置的电气特性。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种半导体装置测量方法，该半导体装置测量方法能够在高温测量环境下有效测量多个半导体装置的电气特性。
[0005]为实现上述目的，本发明的半导体装置测量方法包括以下步骤:将薄片(该薄片被加热后受到冷却时收缩)粘附到环形框架上的薄片粘附步骤;将以矩阵形式形成有多个半导体装置的集合体粘附到薄片的表面上的集合体粘附步骤;通过切割粘附在薄片的所述表面上的集合体分开多个半导体装置的切割步骤;将粘附有多个分开的半导体装置的薄片放置在加热设备的放置面上的放置步骤；由加热设备加热粘附在薄片上的多个分开的半导体装置的加热步骤;多个分开的半导体装置被加热时测量该多个分开的半导体装置的电气特性的测量步骤;以及在加热步骤之后和放置步骤之前加热并然后冷却薄片的预热步骤。
[0006]粘附在框架上的薄片被加热并在加热后进行冷却，因此薄片膨胀而不会有松弛。即使在通过在该状态下将薄片放置在加热设备的放置面上并通过加热设备加热薄片来产生高温测量环境时，薄片因加热而发生的膨胀还是可以被抑制的。因此，粘附在薄片上的多个半导体装置的位置和角度将保持不变。这使得可以在高温测量环境下有效地测量多个半导体装置的电气特性。
【附图说明】
[0007]图1是显示根据本发明第一实施例的用在半导体装置测量方法中的半导体装置测量系统的整体结构的方框图；
[0008]图2是用于说明使用自动薄片粘附设备的薄片粘附步骤的视图；
[0009]图3是用于说明使用薄片预热设备的薄片预热步骤的视图；
[0010]图4A是显示半导体带被粘附到薄片上的状态的立体图；
[0011]图4B是显示图4A中的S部分被放大后的立体图；
[0012]图5A是用于说明使用切割设备的切割步骤的视图；
[0013]图5B是显示图5A的主要部分被放大后的视图；
[0014]图6是显示使用切割设备切割半导体带的状态的剖视图；
[0015]图7是显示测量设备的构造的视图；
[0016]图8是显示测量设备的热板的立体图；
[0017]图9是显示薄片被放置在测量设备的热板上的状态的立体图；
[0018]图10是显示测量设备的热板的结构的剖视图；
[0019]图11是用于说明使用UV固化设备执行UV固化步骤的立体图；
[0020]图12是显示UV固化设备使用紫外线照射薄片的方式的剖视图；
[0021 ]图13是显示分类设备的构造的视图；
[0022]图14是显示本发明第一实施例的半导体装置测量方法的过程的流程图；
[0023]图15是显示半导体带被切割设备切割前和切割后的状态的剖视图；
[0024]图16是显示半导体装置被上推针向上推动的状态的剖视图；
[0025]图17是显示根据本发明第二实施例的用在半导体装置测量方法中的半导体装置测量系统的整体结构的方框图；
[0026]图18是显示根据本发明第二实施例的半导体装置测量方法的过程的流程图；
[0027]图19是显示根据本发明第三实施例的用在半导体装置测量方法中的半导体测量系统的整体结构的方框图；
[0028]图20是显示根据本发明第三实施例的半导体装置测量方法的过程的流程图；
[0029]图21是显示根据本发明第四实施例的测量设备的热板和被放置在该热板上的薄片的立体图；和
[0030]图22是显示根据本发明第四实施例的测量设备的热板的结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0031 ]〈第一实施例〉
[0032]以下将结合附图对本发明的第一实施例进行说明。
[0033]〈半导体装置测量系统的整体结构〉
[0034]如图1所示，半导体装置测量系统I包括自动薄片粘附设备2、薄片预热设备3、自动半导体条带粘附设备4、切割设备5、测量设备6、UV固化设备7以及分类设备8。
[0035]〈自动薄片粘附设备〉
[0036]自动薄片粘附设备2是用于将薄片11自动粘附到环形框架12上的设备。如图2所示，环形框架12为在平面图中具有圆环形状的近似薄板形的框架，并且具有圆形开口 12a。自动薄片粘附设备2将在平面图中具有圆形形状的薄片从卷绕成卷形的薄片本体10切掉，并且将薄片11的胶粘材料Ilb(图6)的边缘粘合到环形框架12上。
[0037]需要注意的是，环形框架12不需要总是为圆环形，还可以是矩形环或类似形状。在这种情况下，薄片11被切为与环形框架12的形状相对应的形状，例如矩形形状。同样，自动薄片粘附设备2也不需要始终被使用，而可以在执行简单的定位后将薄片11手动粘附到环形框架12上。
[0038]〈薄片〉
[0039]薄片11具有略大于环形框架12的开口12a的直径。如图6所示，薄片11为通过将UV-固化胶粘材料Ilb堆叠在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底Ila上获得的UV(紫外线)薄片。当薄片11从外部受到紫外线的照射时，胶粘材料Ilb的粘合力降低。
[0040]薄片11具有膨胀/收缩的特性，在被加热到高于室温(第一温度)的温度(第二温度)，例如100°C时，薄片11发生膨胀，并且在之后冷却到室温的情况下与加热之前相比收缩得更多。薄片11的该膨胀/收缩特性还可以限定为，基于冷却的收缩因数大于基于加热的膨胀因数。需要注意的是，“室温”是由空气调节控制的温度，大约为20°C到25°C。
[0041]上述膨胀/收缩特性是结晶质塑料中发现的特性。例如，还可以使用包括由PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)形成的衬底11 a的薄片11作为结晶质塑料。
[0042]〈薄片预热设备〉
[0043]如图3所示，薄片预热设备3包括高温环境炉17，高温环境炉17能够以高于室温的温度(第二温度)(例如，100°C或更高)产生高温环境。在高温环境炉17产生的该高温环境中，粘附在环形框架12上的薄片11与环形框架12放置在一起并被预热。下文中将这一过程称为“预热”。
[0044]<自动半导体带粘附设备〉
[0045]自动半导体带粘附设备4是用于将半导体带13(稍后说明)自动粘合到由薄片预热设备3预热的薄片11的胶粘材料Ilb上的设备。需要注意的是，自动半导体带粘附设备4不需要始终被使用，而也可以在执行简单的定位后手动地将半导体带13粘合到薄片11上。
[0046]〈半导体带>
[0047]如图4A和4B所示，半导体带13为集合体，其中多个半导体装置14被布置成矩阵并集成。半导体带13的尺寸小于环形框架12的开口 12a。形成半导体带13的每个半导体装置14具有以下结构，其中半导体芯片14c和电连接到半导体芯片14c的引线框14r使用成型树脂14m整体密封。每个半导体装置14的引线框14r物理上电连接到相邻半导体装置14的引线框14r，并且使用成型树脂14m进行密封。
[0048]〈切割设备〉
[0049]如图5A、5B和6所示，切割设备5为保持与粘附有半导体带13的薄片11集成的环形框架12并通过切割刀片20切割半导体带13以将半导体带13分为单个的半导体装置14的设备。
[0050]〈测量设备〉
[0051]测量设备6为用于同时测量多个半导体装置14的设备。在本实施例中，被粘附在薄片11上的多个分开的半导体装置14为测量对象。测量设备6可以根据半导体装置14的实际使用环境在高于室温的温度(第三温度)下产生高温测量环境，例如125°C，并且在此高温测量环境下执行测量。在此情况下，该高温测量环境的下限为室温，而该高温测量环境的上限为 125。。。
[0052]如图7所示，测量设备6包括作为用于加热多个半导体装置14的加热设备的热板50、包括多个探针26的接触器25、和连接到多个探针26并测量半导体装置14的电气特性的测试器27。
[0053]如图8-10所示，热板50包括加热器51和固定在加热器51上的夹紧台24。夹紧台24由金属制成，并且在平面图中具有近似矩形的形状。在平面中具有近似矩形的形状的凹部24a(图10)形成在夹紧台24的上表面上。在平面图中具有近似矩形形状的盘状夹紧构件53被装配在夹紧台24的凹部24a中。夹紧构件53由包含大量的气隙和孔的多孔材料(陶瓷)制成。夹紧构件53具有能够夹紧薄片11的光滑平坦的放置面53a。
[0054]每一个在侧视图中都具有L形状的两个真空通路55和两个真空通路56形成在夹紧台24的内部。真空通路55和56中的每一个的一端朝向夹紧台24的凹部24a开口，真空通路55和真空通路56的另一端朝向夹紧台24的侧面24b和24c开口。两个管连接构件52和两个管连接构件54连接到夹紧台24的侧面24b和24c。通孔52a和54a形成在管连接构件52和54中。管连接构件52和54的通孔52a和54a连接到夹紧台24的真空通路55和56。真空栗(图中未示出)连接到管连接构件52和55。
[0055]热板50被安装在X-Y台(图中未示出)上，所述X-Y台能够在箭头A-B方向(宽度方向)、垂直于箭头A-B方向的箭头C-D方向(深度方向)以及箭头E-F方向(高度方向)上移动。
[0056]接触器25与夹紧台24的夹紧构件53相对。接触器25包括具有近似平行六面体形状的主体25a以及固定到主体25a的多个探针26。探针26为接触元件，以电连接到半导体装置14的引线框14r。探针26延伸穿过主体25a。每个探针26的远端部26a从主体25a的下端沿箭头F的方向向下突出。每个探针26的近端部26b从主体25a的上端沿箭头E的方向向上突出，并且连接到测试器27。多个探针26被布置成与一个半导体装置14的多个引线框14r相对。
[0057]测试器27包括:测量单元27a，所述测量单元用于当探针26的远端部26a电连接到半导体装置14的引线框14r时测量半导体装置14的传导状态;诊断单元27b，所述诊断单元用于根据测量单元27a获得的测量结果诊断半导体装置14的电气特性;和传送单元27c，所述传送单元用于将诊断单元27b获得的诊断结果传送到分类设备8。
[0058]〈UV固化设备〉
[0059]UV固化设备7是用于使用紫外线从薄片11的衬底Ila的侧面照射薄片11的设备。也就是说，薄片11受到来自没有粘附半导体装置14的表面的紫外线照射。如图11和12所示，UV固化设备7包括多个黑光灯28，该多个黑光灯平行地布置在薄片11的衬底Ila的粘附到环形框架12上的侧面上。
[0060]〈分类设备〉
[0061]分类设备8是一种根据测量设备6的测试器27对多个半导体装置14做出的电气特性诊断结果将多个半导体装置14中的每一个分类为合格产品或不合格产品、将被分类为不合格产品的半导体装置14从薄片11上移除并用拣选器将移除的半导体装置14捡取的设备。
[0062]如图13所述，分类设备8包括:接收单元31，所述接收单元用于接收测量设备6的测试器27获得的半导体装置14的诊断结果;分类单元32，所述分类单元用于根据所述诊断结果将半导体装置14分类为合格产品和不合格产品；和上推针30，所述上推针用于从薄片11的下方仅将被分类单元32分类为不合格产品的半导体装置14向上推。
[0063]〈半导体装置测量系统的测量操作〉
[0064]下面将参照附图14说明具有上述结构的半导体装置测量系统I测量半导体装置14的电气特性所采用的操作。
[0065][自动薄片粘附步骤SI]
[0066]如图2所示，自动薄片粘附设备2将大于环形框架12的开口12a的圆形薄片11从薄片主体10上剪切下来，并且将薄片11的外圆周边缘粘合到环形框架12上。粘附有薄片11的环形框架12被从自动薄片粘附设备2转送到薄片预热设备3。
[0067][薄片预热步骤S2]
[0068]薄片预热设备3将粘附到环形框架12上的薄片11容纳在高温环境炉17内，并且在100°C的高温环境中加热薄片11两分钟(预热时间)或更长的时间。然后，薄片预热设备3将薄片11从高温环境炉17中卸下，并且在室温环境下自然冷却薄片11。
[0069]在此过程中，薄片11在高温环境炉17中的高温环境中膨胀，其后在室温环境中收缩。因为薄片11具有收缩因数大于膨胀因数的特性，使得粘附在环形框架12上的薄片11具有张力，而此张力消除了薄片11被粘合到环形框架12上时引起的松弛和起皱问题。这是通过薄片预热设备3的预热和冷却获得的薄片11的状态。
[0070]为了获得如上所述的即没有松弛又没有起皱的薄片11，只需要将高温环境炉17的下限温度设置为90°C，作为形成薄片11的PET的玻璃转化温度Tg，并且将高温环境炉17的上限温度设定为260°C，作为PET的熔点Tm(该熔点不是材料熔化的温度，而是聚合熔点)。薄片11的预热时间设置为两分钟或者更长，这是因为即使在高温环境炉17中设定了 100°C的高温环境，但是若预热时间小于两分钟也不能获得薄片11的预热/冷却效果。
[0071 ][自动半导体带粘合步骤S3]
[0072]然后，自动半导体带粘附设备4将半导体带13粘合到覆盖有薄片11的胶粘材料Ilb的表面上，其中薄片11上的松弛和褶皱可以通过上文所描述的预热和冷却消除。此后，粘附有半导体带13的薄片11与环形框架12—起被转送到切割设备5。
[0073][切割步骤S4]
[0074]切割设备5通过环形框架12保持从自动半导体带粘附设备4转送来的薄片11，并且通过切割刀片20切割粘附在薄片11上的半导体带13，从而将半导体带13分为单个的半导体装置14。在该步骤中，如图15所示，切割刀片20切割粘附有半导体带13的薄片11的胶粘材料I Ib，但是并不切割薄片11的衬底I la。因此，切割设备5执行半切割。
[0075]如上所述，半导体带13中相邻半导体装置14的引线框14r物理地电连接。当将半导体带13的单个半导体装置14分割开时，相邻半导体装置14之间的该电连接消失。因此，测量设备6可以分别测量形成半导体带13的多个半导体装置14的电气特性。
[0076][放置步骤S5]
[0077]被切割设备5分开的多个半导体装置14仍旧全部被胶粘材料Ilb粘附在薄片11上(图7)。测量设备6将因此粘附有多个分开的半导体装置14的薄片11放置在热板50的夹紧构件53的放置面53a上。然后，通过由真空栗经由热板50的管连接部52和54以及夹紧台24的真空通路55和56抽吸薄片11，使得薄片11被夹紧在夹紧构件53的放置面53a上。在此状态下，至少薄片11的粘附有多个半导体装置14的部分必须被夹紧在放置面53a上。
[0078][加热步骤S6]
[0079]然后，测量设备6通过位于夹紧台24的下方的加热器51对夹紧台24进行加热，从而将夹紧构件53的放置面53a上夹紧的粘附在薄片11上的多个分开的半导体装置14设置在125°C的高温测量环境中。
[0080]在通过加热器51加热生成高温测量环境之前的保温时间(soak time)中，位置调节被执行以使得多个半导体装置14中的一个的引线框14r与接触器25的探针26相对。更具体地，照相机分别捕捉半导体装置14的引线框14r的图像以及接触器25的探针26的图像，并且X-Y台根据所捕捉的图像移动热板50，以使得引线框14r与探针26相对。
[0081]通过预热使得放置在夹紧构件53的放置面53a上的薄片11发生无松弛的膨胀。因此，即使在高温测量环境中，薄片11也几乎不会膨胀，而且既没有松弛也没有褶皱。因此，相对于通过加热器51加热之前的状况，粘附在薄片11上的多个半导体装置14相对于探针26的位置和角度都保持不变。因此，即使经过加热器51的加热，半导体装置14的多个引线框14r与接触器25的多个探针26之间的位置关系也不会变化，而是得到保持。这可以防止由于薄片11的松弛和褶皱而带来的薄片11不易被夹紧在夹紧构件53的放置面53a上的麻烦。
[0082][测量步骤S7]
[0083]在加热多个半导体装置14的高温测量环境中，接触器25的主体25a沿箭头F的方向向下移动，使得探针26的远端部26a与半导体装置14的多个引线框14r相接触。测试器27的测量单元27a通过多个探针26测量半导体装置14的多个引线框14r的传导状态。根据测量结果，测试器27的诊断单元27b诊断每个半导体装置14的电气特性。测试器27的传送单元27c将该诊断结果(合格产品或不合格产品)传送到分类设备8。
[0084]当测试器27在高温测量环境中完全对粘附在薄片11上的全部分开的多个半导体装置14的电气特性诊断时，粘附有多个半导体装置14的薄片11被转送到UV固化设备7。
[0085][UV固化步骤S8]
[0086]UV固化设备7的多个黑光灯28从薄片11的衬底Ila的侧面发出紫外光。因此，薄片11的胶粘材料Ilb的粘结力下降，而这促使多个半导体装置14从薄片11上移除。在此状态下，薄片11被转送到分类设备8。
[0087][分类步骤S9]
[0088]分类设备8的接收单元31接收从测量设备6的测试器27传送的每个半导体装置14的诊断结果。分类设备8的分类单元32根据诊断结果将多个半导体装置14中的每一个分类为合格产品或不合格产品，并且控制上推针30以向上推动被分类为合格产品的半导体装置
14。如图16所示，被分类为合格产品的半导体装置14被上推针30的远端部30a从薄片11的下方向上推动。因此，半导体装置14被从薄片11的胶粘材料Ilb上移除，并且被拣选器(图中未示出)捡取。
[0089]需要注意的是，被分类为不合格产品的半导体装置14没有被上推针30的远端部30a从薄片11的下方向上推，而是保持粘附在薄板11上并最终被丢弃。
[0090][效果]
[0091]通过预热和冷却消除粘附在环形框架12上的薄片11的松弛和褶皱。在此状态下，薄片11被放置在测量设备6的热板50的放置面53a上。因此，即使当被加热器51加热到125°C时，薄片11也几乎不会膨胀，并且没有松弛和褶皱。因此，在调节接触器25的多个探针26与半导体装置14的多个引线框14r之间的位置关系之后，它们之间的该位置关系不会因为加热器51的加热而改变。
[0092]在本实施例中，热板50包括夹紧构件53。如上所述，因为已进经过预热和冷却的薄片11既不会松弛也不会褶皱，所以夹紧构件53可靠地将薄片11夹紧在放置面53a上。即便在经过加热器51加热时，薄片11也不会发生松弛或褶皱，并且通过夹紧构件53夹紧在放置面53a上。使用加热器51加热前和加热后，通过将薄片11夹紧在放置面53a上，更稳定地保持接触器25的多个探针26和半导体装置14的多个引线框14r之间的位置关系。
[0093]因此，接触器25的多个探针26的远端部26a与半导体装置14的多个引线框14r稳定地接触，并且测量半导体装置14的电气特性。因此，随后测量粘附在薄片11上的多个半导体装置14的电气特性。因此，在本实施例中，即使在高温测量环境中也可以立即有效地测量多个半导体装置14的电气特性。
[0094]需要注意的是，传统测量设备包括较大的预热结构，以便在高温下测量半导体装置。然而，在测量设备6中，预热可以由安装在热板50的夹紧台24下方的加热器51执行。由于这避免了传统测量设备中对较大预热结构的需求，因此可以简化设备的结构并降低设备的尺寸和重量。
[0095]〈第二实施例〉
[0096]接下来将说明本发明的第二实施例。如图17所示，半导体装置测量系统101包括自动薄片粘附设备2、自动半导体带粘附设备4、切割设备5、薄片预热设备3、测量设备6、UV固化设备7和分类设备8。半导体装置测量系统101的组成元件与根据第一实施例的半导体装置测量系统I的组成元件相同，但是前者的布局与后者的布局不同。也就是说，本实施例的处理步骤顺序与第一实施例的处理步骤顺序不同。
[0097]更具体地，在半导体装置测量系统101中，薄片预热设备3被布置在切割设备5之后、测量设备6之前。也就是说，如图18所示，由薄片预热设备3执行的薄片预热步骤S2在切割设备5执行的切割步骤S4之后、测量设备6执行的放置步骤S5之前执行。
[0098]如果时间选在测量设备6调节多个半导体装置14和接触器25的探针26的位置之前，即使在切割设备5将半导体带13分为多个半导体装置14之后，薄片预热设备3仍然可以通过给予粘附有多个分开的半导体装置14的薄片11张力来消除薄片11的松弛和褶皱。因此，与在第一实施例中一样，即使在高温测量环境中测量设备6也可以立即有效地测量到多个半导体装置14的电气特性。
[0099]〈第三实施例〉
[0100]接下来将说明本发明的第三实施例。如图19所示，半导体装置测量系统102包括自动薄片粘附设备2、自动半导体带粘附设备4、薄片预热设备3、切割设备5、测量设备6、UV固化设备7以及分类设备8。半导体装置测量系统102的组成元件与根据第一实施例的半导体装置测量系统I的组成元件相同，但是前者的布局与后者的布局不同。也就是说，本实施例中的处理步骤的顺序与第一实施例中的处理步骤的顺序不同。
[0101]更具体地，在半导体装置测量系统102中，薄片预热设备3被布置在自动半导体带粘附设备4之后、切割设备5之前。也就是说，如图20所示，薄片粘附设备3执行的薄片预热步骤S2在自动半导体带粘附设备4执行的自动半导体带粘附步骤S3之后、切割设备5执行的切割步骤S4之前执行。
[0102]如果时间选在测量设备6调节多个半导体装置14和接触器25的探针26的位置之前，即使在半导体带13粘附到薄片11上之后、切割设备5将半导体带13分为多个半导体装置14之前，薄片预热设备3仍然可以通过给予粘附有半导体带13的薄片11张力来消除薄片11的松弛和褶皱。因此，如同在第一实施例中所述，即使在高温测量环境中，测量设备6仍然可以有效地立即测量出多个半导体装置14的电气特性。
[0103]〈第四实施例〉
[0104]接下来将说明本发明的第四实施例。在第四实施例中，图21中所示的热板70代替根据第一至第三实施例中的每一个的测量设备6的热板50。因此，除了热板70以外，自动薄片粘附设备2、薄片预热设备3、自动半导体带粘附设备4、切割设备5、测量设备6、UV固化设备7以及分类设备8均与根据第一、第二和第三实施例的半导体装置测量系统1、101和102的组成元件相同。
[0105]如图21和22所示，与热板50类似，热板70包括加热器51。在平面图中具有矩形形状的夹紧台71被固定在加热器51上。夹紧台71的放置面71a中形成有彼此相连的多个沟槽72。夹紧台71由铝制成。因此，当加热器51加热夹紧台71时，夹紧台71的温度保持不变。需要注意的是，夹紧台71不必需由铝制成，也可以由其它具有高导热性的金属材料形成。
[0106]夹紧台71内形成有每一个在侧视图中均具有L形形状的两个真空通路75和两个真空通路76。真空通路75和76中的每一个的一端与多个沟槽72中的一个相连通，而真空通路75和76的另一端向夹紧台71的侧面71b和71c开口。两个管连接构件73和两个管连接构件74固定到夹紧台71的侧面71b和71c。管连接构件73和74中形成有通孔73a和74a。管连接构件73和74的通孔73a和74a连接到夹紧台71的真空通路75和76。真空栗(图中未示出)连接到管连接构件73和74。
[0107]放置在夹紧台71的放置面71a上的薄片11被真空栗通过暴露到放置面71a的多个沟槽72抽吸并卡紧在放置面71a上。
[0108]如图7所示的用于检测多个半导体装置14的电气状态的接触器25被设置在夹紧台71的上方，并且测试器27连接到接触器25。
[0109]与第一实施例相似，即使在被加热器51加热到125°C时，已经经过预热和冷却后的薄片11几乎不会发生膨胀，也不会松弛或起褶。因此，即使在高温测量环境中，薄片11也能被夹紧在夹紧台71的放置面71a上。这种方式避免了当接触器25的探针26与粘附在薄片11上的半导体装置14的引线框14r接触时产生的冲击改变半导体装置14和薄片11的位置而导致粘附在薄片11上的另一个半导体装置14无法再被测量到的不便。
[0110]〈其它实施例〉
[0111]在第一至第四实施例中的每一个中，已经说明了其中通过切割半导体带13获得的半导体装置14为高温测量的对象的示例。然而，通过切割半导体晶片获得的半导体芯片也可以是作为半导体装置的高温测量的对象。
[0112]在第一至第四实施例中的每一个中，已经说明了将薄片11粘附到环形框架12上并然后将半导体带13粘附到薄片11上的示例。然而，也可以将半导体带13粘附到薄片11上，然后再将薄片11粘附到环形框架12上。在这种情况中，首先执行自动半导体带粘附步骤S3，然后执行自动薄片粘附步骤SI。
[0113]在第一到第四实施例中的每一个中，已经说明了通过被卡紧在夹紧构件53的放置面53a或夹紧台71的放置面71a上的薄片11测量粘附在薄片11上的半导体装置14的电气特性的示例。然而，使用预热的薄片11可以避免接触器25的多个探针26与半导体装置14的多个引线框14r之间的位置关系由于加热器51的加热而发生变化，而不需要将薄片11夹紧在放置面53a或71a上。
[0114]在第一到第四实施例中的每一个中，已经说明了通过热板50或70产生最高为1251的高温测量环境并且在此高温测量环境中测量半导体装置14的电气特性的示例。然而，该高温测量环境的温度不限于125°C，还可以是85°C到150°C。
[0115]在第一到第四实施例中的每一个中，预热是通过在高于室温的温度(第二温度)下的高温环境中，例如100°C或更高，加热薄片11预定的预热时间(例如，2分钟)或更长来执行的。在该步骤中，可以通过设置足够长的预热时间将半导体装置14上的残留水烘干。传统的薄片无法在这种高温环境中烘烤。因此，不能通过将多个半导体装置粘附在薄片上烘烤。相反地，可以对由PET制成的薄片11进行长时间的加热。因此，可以通过将多个半导体装置14粘附在PET薄片11上对其进行有效地烘烤。另外，因为利用预热对半导体装置14进行烘烤，所以不需要单独执行任何烘烤步骤。需要注意的是，当执行烘烤时，预热时间被设置为在该期间将半导体装置14的残留水去除的时间，例如，8小时。
[0116]在第一到第四实施例中的每一个中，已经说明了UV固化设备7中使用黑光灯28的示例。然而，也可以使用金属卤化物灯、汞灯或类似灯来代替黑光灯28。
[0117]在第一到第四实施例中的每一个中，已经说明了通过UV固化设备7执行UV固化后分类设备8对半导体装置14进行分类的示例。然而，也可以在分类设备8对半导体装置14进行分类后通过UV固化设备7执行UV固化，然后卸下半导体装置14。
【主权项】
1.一种半导体装置测量方法，包括以下步骤: 将薄片(11)粘附到环形框架(12)上的薄片粘附步骤(SI)，其中所述薄片被加热后在冷却时收缩； 将集合体(13)粘附到所述薄片(11)的表面上的集合体粘附步骤(S3)，其中在所述集合体(13)中，多个半导体装置(14)形成矩阵； 通过切割粘附在所述薄片(11)的所述表面上的所述集合体(13)分开所述多个半导体装置(14)的切割步骤(S4); 将粘附有所述多个分开的半导体装置(14)的所述薄片(11)放置在加热设备(50)的放置面(53a)上的放置步骤(S5); 通过所述加热装置(50)加热粘附在所述薄片(11)上的所述多个分开的半导体装置(14)的加热步骤(S6); 对所述多个分开的半导体装置(14)进行加热时测量所述多个分开的半导体装置(14)的电气特性的测量步骤(S7);和 在所述薄片粘附步骤(SI)之后、所述放置步骤(S5)之前，加热所述薄片(11)并然后冷却所述薄片(11)的预热步骤(S2)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述放置步骤(S5)包括将所述薄片(11)夹紧在所述放置面(53a)上的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预热步骤(S2)包括在所述薄片粘附步骤(SI)之后、所述集合体粘附步骤(S3)之前加热并冷却所述薄片(11)的步骤。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预热步骤(S2)包括在所述切割步骤(S4)之后、所述放置步骤(S5)之前加热并冷却所述薄片(11)的步骤。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预热步骤(S2)包括在所述集合体粘附步骤(S3)之后、所述切割步骤(S4)之前加热并冷却所述薄片(11)的步骤。
【文档编号】G01R31/26GK105842601SQ201610076200
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年2月3日
【发明人】伊藤智章
【申请人】株式会社泰塞克